技術(shù)編號：9709981
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 場效應(yīng)晶體管是基于通過利用門電壓來控制元件中的電流輸運過程的晶體管器 件?；诒硸臩OI結(jié)構(gòu)的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)具有結(jié)構(gòu)簡單、低 電場、高跨導(dǎo)和良好的短溝道特性，其背襯底可作為背柵極，利用背柵電壓來調(diào)控頂層硅中 的導(dǎo)電溝道寬度。雖然場效應(yīng)晶體管技術(shù)十分成熟，但鑒于器件單元的三端結(jié)構(gòu)，需要專門 提供柵極電源，集成具有復(fù)雜性，并且基于此類技術(shù)制成的壓力傳感器件缺乏外界環(huán)境與 電子器件直接作用交互的機制。 近年來，中國科學(xué)院北京納...
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