技術(shù)編號(hào)：9713707
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為SOI晶圓（絕緣層上覆娃晶圓）的制造方法，對(duì)已進(jìn)行注入離子的晶圓進(jìn)行貼 合后進(jìn)行剝離來制造 SOI晶圓的方法(被稱為"離子注入剝離法"或"智能剝離（乂7- h SMART-CUT)法"（注冊(cè)商標(biāo)））廣受注目。 在該方法中，例如在兩片娃晶圓之中，在至少其中一片上形成氧化膜，并且由一片 娃晶圓（接合晶圓，bond wafer)的上表面注入氨離子或稀有氣體離子，在該晶圓的內(nèi)部形 成離子注入層(又稱為"微氣泡層"）。 接下來，將注入離子后的娃晶圓的表面，隔著...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。