技術(shù)編號(hào):9720079
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。i3_Ga203材料是一種直接帶隙的氧化物半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度可達(dá)4.9eV,對(duì)應(yīng)的吸收邊處于日盲區(qū)(波長(zhǎng)小于280nm的紫外波段),同時(shí)i3-Ga203材料還具有優(yōu)良的電學(xué)、傳導(dǎo)及熱穩(wěn)定性能,使其在光電器件、紫外探測(cè)器和氣敏傳感器等領(lǐng)域都有著極高的應(yīng)用價(jià)值。眾所周知,納/微米材料與薄膜材料相比,具有更大的比表面積及小尺寸效應(yīng)等特有的性質(zhì),日益成為國(guó)內(nèi)外學(xué)者研究的熱點(diǎn)和重點(diǎn)領(lǐng)域。特別是微米線(xiàn)由于其尺寸較大,可以直接在肉眼或光學(xué)顯微鏡下操作,具有方便、簡(jiǎn)單...
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