技術(shù)編號(hào)：9723153
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。真空濺鍍是由電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉積在基片上成膜，而最終達(dá)到對(duì)基片表面鍍膜的目的。鑰硅靶材是真空濺鍍過程中時(shí)常會(huì)使用到的一種靶材。由于鑰硅靶材濺射形成的氧化物柵和多晶硅接觸性能穩(wěn)定，這種硅化物能經(jīng)受高溫處理而不會(huì)分解成氧化物，具有抗氧化性能，并會(huì)在柵的上部形成絕綴層和內(nèi)連層，同時(shí)還具有優(yōu)良的抗化學(xué)腐蝕...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。