技術(shù)編號(hào):9728846
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及制作領(lǐng)域,涉及一種SOI雙端口 SRAM單元及其制作方法。背景技術(shù)SOI技術(shù)自上世紀(jì)80年代發(fā)明以來(lái),它相對(duì)于普通體硅工藝,具有寄生電容小、功耗低、速度快和天然的抗單粒子閂鎖(Single-Event-Latchup,SEL)能力,使得SOI技術(shù)很適合于工作在片上系統(tǒng)(378丨61]1-011-01丨口8,300、低功耗以及抗福射等場(chǎng)合;另外,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,SRAM)廣泛應(yīng)用于...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。