技術(shù)編號(hào):9728943
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。四甲基氫氧化銨作為刻蝕拋光劑在晶硅太陽(yáng)能電池制造中應(yīng)用的越來(lái)越廣泛,現(xiàn)有的四甲基氫氧化銨拋光刻蝕的主要工藝步驟為第一步,用8-10%的HF酸溶液將擴(kuò)散后硅片非擴(kuò)散面與邊緣的磷硅玻璃去掉;第二步,利用四甲基氫氧化錢與娃反應(yīng)但不與二氧化娃反應(yīng)的特性,用5-30%的四甲基氫氧化銨70-80°C溫度下對(duì)非擴(kuò)散面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去除PN結(jié),達(dá)到刻蝕PN結(jié)同時(shí)拋光的效果;第三步,用大量的水洗掉硅片表面殘留的四甲基氫氧化銨;第四步,用20%左右的HF酸去除擴(kuò)散面的磷硅玻...
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