技術(shù)編號：9728959
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電芯片，尤其涉及一種含有反射層的LED倒裝芯片及其制備方法。背景技術(shù)通常，通過用金屬有機化學(xué)汽相沉積(M0CVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技術(shù)在藍(lán)寶石、碳化硅或其它適當(dāng)?shù)囊r底上外延地生長不同組成和摻雜劑濃度的半導(dǎo)體層的疊層來制造III族氮化物發(fā)光器件。該疊層常常包括用例如Si摻雜的在襯底上形成的一個或多個η型層、在形成于一個或多個η型層上的有源區(qū)中的一個或多個發(fā)光層、以及在有源區(qū)上形成的用例如Mg摻雜的一個或多個ρ型層。在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。