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技術(shù)編號：9752565

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傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor, MOSFET)中的柵極為平面結(jié)構(gòu)，隨著晶體管尺寸不斷減小短溝道效應(yīng)(Shortchannel effects)變得較為明顯，亞閾值電流以及柵泄漏電流的增加影響了 MOSFET的整體性能，并使這種傳統(tǒng)MOSFET的尺寸難以進(jìn)一步得到減小。相比之下，多面柵MOSFET (multi gate MOSFET)具有較好的柵控能力，并能...
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