技術(shù)編號：9752740
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。絕緣棚.雙極型晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體功率器件。它可以看作是由金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)組成的復(fù)合全控型半導(dǎo)體功率器件。既具有功率MOSFET的電壓控制、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單的優(yōu)點，又擁有BJT導(dǎo)通電阻小、電流密度大、阻斷電壓高等多項優(yōu)點。在家用電器、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、動力牽引等領(lǐng)域中都有著廣泛應(yīng)用。眾所周知，在絕...
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