技術(shù)編號(hào):9765175
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。設(shè)想到其中多個(gè)負(fù)載一一諸如例如發(fā)光二級(jí)管(LED) —一放置在陣列中并且提供單獨(dú)為每一個(gè)負(fù)載供電的器件電路的場(chǎng)景。這典型地通過提供每個(gè)負(fù)載的器件單元來實(shí)現(xiàn),其中每一個(gè)單元包括電流源以選擇性地為相關(guān)聯(lián)的負(fù)載供電。典型地,電流源包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),其充當(dāng)用于選擇性地為相應(yīng)負(fù)載供電的開關(guān)。有時(shí),測(cè)試器件的操作可靠性是合期望的。一種這樣的測(cè)試是FET的柵應(yīng)力測(cè)試。在此,在施加應(yīng)力電壓之前和之后測(cè)量每一個(gè)FET的源接觸件與漏接觸件之間的漏電流是合期望的。然而...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。