技術(shù)編號：9766911
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體電子元件裝置中，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random AccessMemory,DRAM)元件是常見的產(chǎn)品之一。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器是由許多存儲單元所構(gòu)成，同時它也是目前最常用的主要易失性存儲器之一。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的每一存儲單元是由一晶體管以及至少一個電容所堆疊串聯(lián)而成的，利用字符線與位線電連接動態(tài)隨機(jī)存取存儲器進(jìn)行寫入和讀取數(shù)據(jù)的動作。另外，當(dāng)存儲器裝置(例如一動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)逐漸地整合，基板的電場則因為過度離子布植而變得非常高...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。