技術編號：9766924
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 近年來人們利用磁性隧道結（MTJ，Magnetic Tunnel Junction)的特性做成磁性 隨機存儲器，即為MRAM(Magnetic Random Access Memory)。MRAM是一種新型固態(tài)非易失 性記憶體，它有著高速讀寫的特性。鐵磁性MTJ通常為三明治結構，其中有磁性記憶層，它 可以改變磁化方向以記錄不同的數(shù)據(jù)；位于中間的絕緣的隧道勢皇層；磁性參考層，位于 隧道勢皇層的另一側，它的磁化方向是不變的。當磁性記憶層與磁性參考層之間的磁化...
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