技術編號：9769310
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術技術問題電力變換裝置的低耗電化發(fā)展過程中，對在電力變換裝置中發(fā)揮核心作用的功率器件的低耗電化的期望很高。在該功率器件中，能夠根據(jù)電導率調制效應實現(xiàn)低導通電壓，且能夠根據(jù)對絕緣柵施加的電壓容易地控制電流的電壓驅動型的絕緣柵型雙極晶體管(IGBT InsulatedGate Bipolar Transistor)的使用趨于穩(wěn)定。以往，對于IGBT，迄今為止通過大量改良來實現(xiàn)性能的提高。在此，IGBT的性能是在關斷時保持電壓而完全阻斷電流，另...
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