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      一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及其制作方法技術資料下載

      技術編號:9789295

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      發(fā)光二極管(Light Emitting D1de,簡稱LED)為是一種能發(fā)光的半導體電子元件。氮化鎵基材料具有寬直接帶隙、強化學鍵、耐高溫、抗腐蝕等優(yōu)良性能,是生產(chǎn)短波長高亮度發(fā)光器件、紫外光探測器和高溫高頻微電子器件的理想材料,廣泛應用于全彩大屏幕顯示,IXD背光源、信號燈、照明等領域。現(xiàn)有的LED外延片包括藍寶石襯底、以及依次層疊在藍寶石襯底上的緩沖層、未摻雜GaN層、N型層、多量子阱層、P型層。其中,N型層中的電子和P型層中的空穴進入多量子阱層復合...
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