技術(shù)編號(hào)：9812277
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。氮化硅是一種廣泛使用于晶圓制程中的介電材料。氮化硅薄膜典型地是形成在半導(dǎo)體基底上，一般用作刻蝕晶圓中二氧化硅的阻擋層，形成于二氧化硅層的上表面。而在濕法刻蝕工藝過(guò)程中，常常用磷酸來(lái)刻蝕或腐蝕該氮化硅阻擋層。在腐蝕的過(guò)程中，通常是將數(shù)目眾多的晶圓同時(shí)置于磷酸溶液中，由于處于磷酸溶液中的氮化硅和二氧化硅具有不同的刻蝕速率(刻蝕選擇比)，即同樣時(shí)間內(nèi)磷酸腐蝕氮化硅和二氧化硅的速率不同。影響氮化硅和二氧化硅在磷酸中的刻蝕選擇比的因素通常有浸泡時(shí)間、磷酸溶液的溫度以...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。