技術編號：9812283
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 自從幾十年前半導體器件的引入W來，半導體器件幾何形狀的尺寸已顯著減小。 現(xiàn)代半導體制造設備通常用于生產具有小至28皿和更小的幾何形狀的器件，并且正不斷 開發(fā)并實現(xiàn)新的設備設計W生產具有甚至更小的幾何形狀的器件。隨著器件的幾何形狀 減小，互連電容對器件性能的影響增加。為了降低互連電容，正在使用較低介電常數(shù)的材料 (低k材料）來形成傳統(tǒng)上由氧化娃形成的層間材料。已使用的一些低k材料包括氣化氧 化娃、碳酸氧化娃，W及各種聚合物與氣凝膠。運些低k材料的使用通常呈...
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