技術編號：9816041
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。近年來，為了獲得半導體器件諸如MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的高擊穿電壓、低損耗、在高溫環(huán)境下使用等，已經開始采用碳化硅作為半導體器件的材料。碳化硅是一種比硅的帶隙寬的寬帶隙半導體，其已經常規(guī)廣泛用于半導體器件的材料。因此，通過采用碳化硅作為半導體器件的材料，該半導體器件能夠具有高擊穿電壓、降低的導通電阻等。此外，即使在高溫度環(huán)境下，與采用硅作為其材料的半導體器件相比，采用碳化硅作為其材料的半導體器件具有性能惡化小的優(yōu)勢。例如，日本專利公開N...
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