技術(shù)編號：9816486
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。近年來，基于莫爾定律(Moore’slaw)的尺寸縮小正面臨極限并且半導(dǎo)體器件的制造成本也在增加。因此，將元件堆疊在用作半導(dǎo)體器件襯底的硅的內(nèi)部并且利用它們來增加每單位體積的元件和功能的數(shù)量等等被認為是非常有效的。例如，專利文獻I公開了一種通過用外延生長堆疊硅而使堆疊方向上的功能增強的圖像傳感器，在外延生長中，在硅表面上形成結(jié)構(gòu)之后，在襯底上生長具有對準晶軸的晶體層。專利文獻I還提出了使用由除了硅之外的材料制成的結(jié)構(gòu)來形成標記。然而，當使用除了硅之外的材料...
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