技術編號：9827251
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有溝槽柵的碳化硅(下文稱為SiC)半導體裝置以及用于制造碳化硅半導體裝置的方法。背景技術JP-A-2011-101036公開了一種SiC半導體裝置，其設置有金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，MOSFET在元胞區(qū)域中具有溝槽柵以及在圍繞元胞區(qū)域的周邊區(qū)域中具有周邊高擊穿電壓結構。SiC半導體裝置包括半導體襯底，其由n+型SiC組成并且在其上設置有η型漂移層。在元胞區(qū)域中，P型基極區(qū)域形成在η型漂移層的表面部分中，并且η+型源區(qū)域和...
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