技術(shù)編號：9829991
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 作為功率用開關(guān)元件，廣泛使用M0SFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)這樣的絕緣柵型的半導(dǎo)體裝置。在絕緣柵型的半導(dǎo)體裝 置中，通過對柵電極施加閾值電壓以上的電壓而形成溝道，能夠設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)。在這樣的絕 緣柵型的半導(dǎo)體裝置中，為了提高溝道寬密度，在半導(dǎo)體層中...
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