技術(shù)編號(hào)：9839085
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，目前類單晶的鑄造方法主要有無(wú)籽晶引晶和有籽晶引晶法，有籽晶引晶法是先將單晶硅籽晶鋪設(shè)在石英坩禍底部，在熔化階段保持籽晶不完全熔化，在單晶硅籽晶上進(jìn)行引晶生長(zhǎng)從而得到類單晶硅錠，圖1為傳統(tǒng)的籽晶鋪設(shè)示意圖，圖2為按照?qǐng)D1的籽晶鋪設(shè)方式制得的類單晶硅錠少子壽命測(cè)試圖，圖3為按照?qǐng)D1的籽晶鋪設(shè)方式制得的類單晶硅錠的光致發(fā)光PL圖。從圖1-3中可知，將一定數(shù)量和一定尺寸的籽晶鋪設(shè)在坩禍底部，這些籽晶2之間會(huì)存在或大或小的縫隙I，在硅料熔化過(guò)程中，類單晶硅籽晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。