技術(shù)編號：9868149
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。金屬氧化物半導體器件具有高響應速率、低功耗等特點而被廣泛地應用于存儲、數(shù)碼、電腦、通訊等領域。一般的，金屬氧化物半導體器件具有柵極、源極和漏極，通過柵極控制源極和漏極之間的導通與截止。其中，在柵極兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源極和漏極時，先在柵極的側(cè)壁形成側(cè)壁結(jié)構(gòu)，然后以柵極及側(cè)壁結(jié)構(gòu)為掩膜，采用離子注入的方法形成的。因此，側(cè)壁結(jié)構(gòu)的形成質(zhì)量對器件的電學和可靠性性能具有較大的影響。但是，現(xiàn)有技術(shù)側(cè)壁結(jié)構(gòu)容易引起半導體器件性能的下降。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問題是提供一種，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。