技術編號：9868353
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。10多年前，LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)產(chǎn)品開始作為雙極性晶體管的替代者逐漸開始在射頻領域開始推進。RFLDMOS(射頻橫向擴散金屬氧化物半導體)器件是半導體集成電路技術與微波電子技術融合而成的新一代集成化的固體微波功率半導體產(chǎn)品，具有線性度好、增益高、耐壓高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、易于和MOS工藝集成等優(yōu)點，并且其價格遠低于砷化鎵器件，是一種非常具有競爭力的功率器件，被廣泛用于GSM、PCS、W-CDMA基站的功率放大...
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