技術(shù)編號：9868482
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Ma即etic Random Access Memory)是一種基于 自旋轉(zhuǎn)移矩的磁非揮發(fā)存儲器，具有高密度、高速度、低功耗、壽命長和非易失等優(yōu)點，被認(rèn) 為是最有希望的"通用"存儲器之一。STT-MRAM存儲技術(shù)利用電流產(chǎn)生的STT效應(yīng)作用于 自由層（存儲層），并改變自由層的磁化方向，從而在存儲單元中產(chǎn)生高、低兩個阻態(tài)，實現(xiàn) 數(shù)據(jù)的存取。 盡管STT-MRAM存儲技術(shù)在許多方面優(yōu)于其他存儲技術(shù)，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。