技術(shù)編號：9868483
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 近年來，由于在自旋電子器件中的潛在應(yīng)用，尋找半金屬材料，即一個自旋通道是 金屬另一個通道是絕緣體或半導(dǎo)體的材料，成為眾多科研工作者的熱情高漲的工作。在眾 多被實(shí)驗和理論發(fā)現(xiàn)的半金屬鐵磁體當(dāng)中，因為擁有高的磁矩，高的居里溫度和與常見半 導(dǎo)體相匹配的晶格常數(shù)等，霍伊斯勒合金被看做是最有可能用于自旋電子器件的材料。眾 所周知，大多數(shù)半金屬鐵磁體是被制成薄膜或多層膜運(yùn)用到實(shí)際的自旋電子器件中的。因 此，自旋從鐵磁體注入到半導(dǎo)體，如何提高自旋注入效率是一個非常關(guān)鍵...
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