技術(shù)編號：9872567
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用碳化硅的。背景技術(shù)以往，已知使用硅(Si I i con)的溝槽(Trench)型S1-MOSFET等的半導(dǎo)體裝置。在日本特開平06-132539號公報中，公開一種具有縱型絕緣柵(Gate)型場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板，被設(shè)置在該半導(dǎo)體基板主表面的具有低雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層，被設(shè)置在該第一半導(dǎo)體層的上表面的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層的表層部的一部分中的第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層，形成在被設(shè)為...
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