技術(shù)編號(hào):9900136
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。碳化硅(SiC)是重要的第三代半導(dǎo)體材料,與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比,其具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)異性能,在高溫、高頻、高功率及抗輻射器件方面擁有巨大的應(yīng)用前景。隨著碳化硅單晶片拋光片成功地用于各個(gè)領(lǐng)域,人們開(kāi)始更多的關(guān)注碳化硅單晶片的加工技術(shù)。碳化硅晶體硬度較大,莫氏硬度約為9.3,略低于金剛石,導(dǎo)致其加工難度較大,目前國(guó)內(nèi)主流加工技術(shù)為單面加工,通常先加工一個(gè)面(例如碳面),然后加工另外一個(gè)面(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。