技術(shù)編號(hào)：9913182
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明包括堆疊的納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的裝置 本申請(qǐng)要求于2014年12月5日提交到美國(guó)專利商標(biāo)局的命名為“A STRUCTURE FORSUPPRESS1N OF THE PARASITIC BIPOLAR EFFECT IN STACKED NANOSHEET FETS”(抑制堆疊的納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的寄生雙極效應(yīng)的結(jié)構(gòu))的第62/088,519號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，通過引用將該美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容全部包含于此。發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例總體上涉及集...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。