技術(shù)編號：9922168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技術(shù)是目前集成電路制造 中制備多層銅互連結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一。作為當今最有效的全局平坦化方法，CMP技術(shù)利用 化學(xué)腐蝕和機械磨削的協(xié)同作用，可以有效兼顧晶圓局部和全局平坦度。拋光壓力不僅是工藝過程中影響材料去除率和去除非均勻性的重要工藝參數(shù)之 一，而且是實現(xiàn)拋光前后裝卸片等動作的關(guān)鍵因素。隨著晶圓尺寸的不斷增大，為了保證晶 圓表面材料去除的均勻性，分區(qū)壓力控制技術(shù)已引入CMP...
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