技術(shù)編號(hào)：9922936
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。每個(gè)都包括具有帶隙寬于硅(Si)的II1-V族化合物的半導(dǎo)體器件，現(xiàn)在成為感興趣的主題。其中，包括氮化鎵(GaN)的MISFET具有以下優(yōu)勢(shì)I)高介電擊穿電場(chǎng)，2)高電子飽和速度，3)熱導(dǎo)率大，4)AlGaN和GaN之間的良好異質(zhì)結(jié)成形性，以及5)無毒、安全的材料。例如，日本未審專利申請(qǐng)公開N0.2012-156164公開了具有第一凹槽部、比第一凹槽部淺的第二凹槽部和柵極部分的異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體器件。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明人通過研究和開發(fā)進(jìn)行了認(rèn)真研究，以改善包括這種氮...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。