技術(shù)編號(hào):9927347
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。]作為光纖用母材的制造方法,具有軸向氣相沉積法(Vapor phase AxialDeposit1n method,VAD法),外氣相沉積法(Outside Vapor Deposit1n method,0VD法)等。在這些方法中,向在反應(yīng)容器中使氫和氧燃燒的氫氧火焰中提供四氯化硅(SiCl4)等的硅化物。然后,堆積通過(guò)水解反應(yīng)從硅化物生成的二氧化硅(S12)微粒,以生長(zhǎng)多孔質(zhì)母材。得到的多孔質(zhì)母材通過(guò)加熱和燒結(jié),以成為透明的光纖用母材(例如參照專利文獻(xiàn)I...
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