技術(shù)編號(hào):9976804
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在功率器件MOSFET、IGBT等的控制電路中,過(guò)流和/或短路保護(hù)的方法主要是檢測(cè)回路電流,預(yù)置保護(hù)點(diǎn)進(jìn)行比較作為保護(hù)判斷的條件。這種常見(jiàn)的保護(hù)方法有較大的缺點(diǎn)保護(hù)閾值設(shè)置過(guò)高,容易造成保護(hù)失敗,保護(hù)閾值設(shè)置過(guò)低,又不能充分發(fā)揮功率管的性能。而且,功率器件M0SFET、IGBT等工作在不同的溫度下所承受的過(guò)電流又相差較大,因此保護(hù)點(diǎn)的設(shè)置比較困難。又因?yàn)镸OSFET、IGBT等功率器件的工作溫度和導(dǎo)通壓降存在一定的比例關(guān)系,現(xiàn)有技術(shù)中提出了利用MOSFET...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。