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      等離子體復(fù)合光催化殺菌劑及其制備方法和應(yīng)用_2

      文檔序號(hào):9673851閱讀:來源:國知局
      [0028](3)本發(fā)明制備的Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑具有較高的可見光催化活性,在500W氣燈照射下,1.0mg/mL Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑對(duì)濃度為106cfu/mL的微生物30min內(nèi)殺滅率可達(dá)到99.99% ;
      [0029](4)本發(fā)明制備的Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑具有良好的穩(wěn)定性和重復(fù)利用性,6次循環(huán)使用后仍然具有高效的光催化活性;
      [0030](5)本發(fā)明制備的Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑中納米Ag產(chǎn)生的表面等離子體共振效應(yīng),不僅提高了復(fù)合材料的可見光吸收性能,并且加速了光生電子-空穴的分離,同時(shí)提高了復(fù)合材料的穩(wěn)定性,使其在水體凈化等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。
      【附圖說明】
      [0031]圖1為本發(fā)明所制備樣品的X-射線衍射(XRD)圖譜(其中橫坐標(biāo)為2Θ(角度),單位為degree(度);縱坐標(biāo)為Intensity(強(qiáng)度),單位為a.u.(絕對(duì)單位));
      [0032]圖2為本發(fā)明所制備樣品的透射電子顯微鏡(TEM)照片:(A)AgVOs,(B,C)Ag/AgV03;(D)Ag/AgV03的高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)照片;
      [0033]圖3為本發(fā)明所制備樣品的EDX圖譜(A)和紫外可見漫反射光譜圖(UV-DRS)(B)(其中A圖中橫坐標(biāo)為Energy(能量),單位為keV(千電子伏特),縱坐標(biāo)為Intensity(強(qiáng)度),單位為a.u.(絕對(duì)單位);13圖中橫坐標(biāo)為Wavelength(波長),單位為nm(納米),縱坐標(biāo)為Absorbance(吸光度),單位為a.u.(絕對(duì)單位),內(nèi)圖中橫坐標(biāo)為hv(能量),單位為eV(電子伏特),縱坐標(biāo)為(ahv)1/2,單位為(eV)1/2));
      [0034]圖4為本發(fā)明所制備樣品光催化殺菌反應(yīng)中大腸桿菌和金黃色葡萄球菌的存活曲線(A)和對(duì)大腸桿菌和金黃色葡萄球菌的光催化殺菌率(B)(其中A圖中橫坐標(biāo)為Time(時(shí)間),單位為min(分鐘),縱坐標(biāo)為Cell density(細(xì)胞濃度),單位為log C cfu/mL(菌落數(shù));B圖中縱坐標(biāo)為Antibacterial rate(殺菌率),單位為% );
      [0035]圖5為本發(fā)明實(shí)施例1中制備的Ag/AgV03-l復(fù)合材料重復(fù)進(jìn)行6次殺菌實(shí)驗(yàn)后的殺菌率(A)和XRD圖譜(B)(其中A圖中橫坐標(biāo)為Cycle number(重復(fù)使用次數(shù)),縱坐標(biāo)為Antibacterial rate(殺菌率),單位為% ;B圖中橫坐標(biāo)為2Θ(角度),單位為degree(度),縱坐標(biāo)為Intensity(強(qiáng)度),單位為a.u.(絕對(duì)單位))。
      【具體實(shí)施方式】
      [0036]以下通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明,有助于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更全面的理解本發(fā)明,但不以任何方式限制本發(fā)明。
      [0037]本發(fā)明通過簡單的水熱合成法制備具有一維結(jié)構(gòu)的Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑,該復(fù)合光催化殺菌劑由AgV03—維納米線負(fù)載具有表面等離子體共振效應(yīng)的納米Ag組裝而成,納米Ag對(duì)AgV03的摻雜提高了復(fù)合材料可見光吸收性能,加速了光生電子_空穴的迀移,構(gòu)建的復(fù)合材料在可見光下具有高效的光催化活性和穩(wěn)定性,對(duì)水體中有害微生物具有高效的殺滅效果,在水體凈化等領(lǐng)域具有很好的實(shí)用價(jià)值和潛在的應(yīng)用前景。同時(shí)該復(fù)合光催化殺菌劑的制備方法具有簡單易行、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。
      [0038]實(shí)施例1:
      [0039]Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑的制備方法:
      [0040]通過水熱合成法制備,控制NH4V03與AgV03的物質(zhì)的量之比為1: 2。將1.0mmo 1NH4V03溶解在30mL超純水中,加熱至80°C并不斷攪拌使其完全溶解;同時(shí)將2.0mmol AgNOs溶解在30mL超純水中,攪拌使其溶解,分別得到溶解液;然后在磁力攪拌下將上述AgN03溶解液逐滴加入到上述NH4V03溶解液中,繼續(xù)避光攪拌30min,得懸浮液,之后懸浮液轉(zhuǎn)移至配有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中,放入電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱中180°C熱處理24h。反應(yīng)結(jié)束后,將反應(yīng)釜冷卻至室溫,經(jīng)過抽濾,抽濾后沉淀依次經(jīng)超純水和無水乙醇洗滌,洗滌后于60°C真空干燥6h,可得到Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑,記為Ag/AgV03-l (參見圖1_3) ο
      [0041 ] 對(duì)比實(shí)施例1:
      [0042]單體AgV03的制備方法:
      [0043 ] 通過水熱合成法制備,控制NH4V03與Ag V03的物質(zhì)的量之比為1: 1。將1.0mmo 1NH4V03溶解在30mL超純水中,加熱至80°C并不斷攪拌使其完全溶解;同時(shí)將1.0mmol AgN03溶解在30mL超純水中,攪拌使其溶解,分別得到溶解液;然后在磁力攪拌下將上述AgN03溶解液逐滴加入到上述NH4V03溶解液中,繼續(xù)避光攪拌30min,得懸浮液,之后懸浮液轉(zhuǎn)移至配有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中,放入電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱中180°C熱處理24h。反應(yīng)結(jié)束后,將反應(yīng)釜冷卻至室溫,經(jīng)過抽濾,抽濾后沉淀依次經(jīng)超純水和無水乙醇洗滌,洗滌后于60°C真空干燥6h,可得到AgV03單體材料,記為AgV03 (參見圖1_3)。
      [0044]由圖1可知,對(duì)比實(shí)施例1制備的AgV03單體材料的所有特征衍射峰都與單斜晶系
      0-AgVO3標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS N0.29-1154)相吻合。另外圖譜中沒有出現(xiàn)任何雜質(zhì)相,且衍射峰比較尖銳,峰強(qiáng)較大,因此可以確定制得的樣品為純的單斜相i3_AgV03,并且具有良好的結(jié)晶度。從圖中b曲線可以看到,實(shí)施例1制備的Ag/AgV03-l復(fù)合材料的XRD圖譜中除了單斜相
      0-AgVO3所有特征衍射峰之外,還出現(xiàn)了另外3個(gè)衍射峰,均對(duì)應(yīng)于面心立方晶系純Ag晶體的標(biāo)準(zhǔn)圖譜(JCPDS N0.04-0783),除此之外沒有出現(xiàn)其他物質(zhì)的衍射峰,表明復(fù)合材料由納米Ag和AgV03組成兩種物質(zhì)組成的。另一方面,Ag/AgV03-l復(fù)合材料的XRD圖譜與單體AgV03相比,AgV03的特征衍射征峰位置和強(qiáng)度都未出現(xiàn)明顯變化,說明反應(yīng)中生成的納米Ag只是吸附于AgV03表面,未進(jìn)入到AgV03晶格中。
      [0045]由圖2(A)可見,對(duì)比實(shí)施例1制備的單體AgV03材料為一維線狀結(jié)構(gòu),長度約4?6μm,直徑約30nm。圖2 (Β)和圖2 (C)分別展示了實(shí)施例1制備的Ag/AgV03_l復(fù)合材料的低倍和高倍TEM照片,表明Ag/AgV03為一維納米線結(jié)構(gòu),AgV03納米線長度約4?6μπι,直徑約30nm,且納米線表面負(fù)載了許多Ag納米顆粒,直徑約為20nm。此外,由圖2(C)中插圖所示,SEAD圖譜中同時(shí)出現(xiàn)了衍射環(huán)和衍射點(diǎn),衍射環(huán)對(duì)應(yīng)著Ag晶體(111)晶面的弱多晶環(huán),證明了納米Ag顆粒的存在,衍射點(diǎn)則對(duì)應(yīng)著AgV03的晶面,同時(shí)也證實(shí)了 AgV03的單晶結(jié)構(gòu)和良好的結(jié)晶度。從圖2(D)中可以清楚看到納米Ag與AgV03的晶格條紋,并且可以看到這兩相之間存在著明顯的襯度和分界線,表明Ag納米顆粒是負(fù)載在AgV03納米線表面。另外,通過測量兩套不同的晶格條紋可知,晶面間距為0.308nm和0.237nm的晶格條紋分別對(duì)應(yīng)于單斜相AgV03的(501)晶面和立方相Ag的(111)晶面,與XRD分析結(jié)果相吻合。結(jié)果進(jìn)一步證明了本實(shí)驗(yàn)制備的Ag/AgV03_l復(fù)合材料是由AgV03納米線負(fù)載Ag納米顆粒組裝而成。
      [0046]如圖3(A)所示,在EDX圖譜中Ag、V、0元素都可以檢測出來,且未有其他元素檢出,證明了樣品中只含有Ag、V、0元素。通過定量分析可以得出,在Ag/AgV03樣品中Ag、V、0元素的原子比為29:18:53(約1.5:1:3),表明在制備過程中生成了單質(zhì)Ag。樣品中不同區(qū)域所得的EDX結(jié)果大體類似。從圖3(B)中可以看本發(fā)明制備的單體AgV03和Ag/AgV03-l在紫外光區(qū)和可見光區(qū)均具有強(qiáng)烈的吸收,顯示出良好的可見光吸收性能,光吸收范圍可到達(dá)約650nm。圖3(B)內(nèi)圖為(ahv)1/2?hv曲線圖,沿曲線方向作一切線,可得到樣品對(duì)應(yīng)的禁帶寬度Eg,可得到AgV03和Ag/AgV03-l的Ej別為2.11eV和2.0eV。表明納米Ag對(duì)AgV03的摻雜擴(kuò)展了AgVCb的可見光吸收范圍,明顯提尚了AgVCb的可見光吸收性能,使其在可見光催化中具有潛在的應(yīng)用前景。
      [0047]實(shí)施例2:
      [0048]Ag/AgV03等離子體復(fù)合光催化殺菌劑的制備方法:
      [0049]通過水熱合成法制備,與實(shí)施例1不同之處在于,控制NH4V03與A
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