4h為一個(gè)循環(huán)周期，具體為:先在25°C光照條件下處理12h，光照強(qiáng)度為30001x，然 后在15°C黑暗條件下處理12h。
[0048] 實(shí)施例4:
[0049] -種促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，具體包括以下步驟：
[0050] 步驟A、將半蒴苣苔種子采集后，用篩孔為0.15mm和0.60mm的兩層方孔篩篩選留在 兩層方孔篩之間的半蒴苣苔種子備用；
[00511步驟B、將半蒴苣苔種子用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%的高錳酸鉀水溶液浸泡5min，再用蒸 餾水沖洗3遍；
[0052] 步驟C、將半蒴苣苔種子消毒后，用200mg/L的赤霉素水溶液在25°C下浸泡12h，然 后取出半蒴苣苔種子清洗后進(jìn)行發(fā)芽培養(yǎng)；
[0053] 步驟D、發(fā)芽培養(yǎng)具體是指將赤霉素水溶液浸種后的半蒴苣苔種子在變溫和交替 光照條件下萌發(fā)培養(yǎng)多個(gè)循環(huán)周期至萌發(fā)結(jié)束，期間控制發(fā)芽培養(yǎng)全程的相對濕度為 85%，以24h為一個(gè)循環(huán)周期，具體為:先在25°C光照條件下處理12h，光照強(qiáng)度為20001x，然 后在15°C黑暗條件下處理12h。
[0054] 實(shí)施例5:
[0055] -種促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，具體包括以下步驟：
[0056] 步驟A、將半蒴苣苔種子采集后，用篩孔為0.15mm和0.60mm的兩層方孔篩篩選留在 兩層方孔篩之間的半蒴苣苔種子備用；
[0057]步驟B、將半蒴苣苔種子用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%的高錳酸鉀水溶液浸泡5min，再用蒸 餾水沖洗3遍；
[0058] 步驟C、將半蒴苣苔種子消毒后，用200mg/L的赤霉素水溶液在25°C下浸泡12h，然 后取出半蒴苣苔種子清洗后進(jìn)行發(fā)芽培養(yǎng)；
[0059] 步驟D、發(fā)芽培養(yǎng)具體是指將赤霉素水溶液浸種后的半蒴苣苔種子在變溫和交替 光照條件下萌發(fā)培養(yǎng)多個(gè)循環(huán)周期至萌發(fā)結(jié)束，期間控制發(fā)芽培養(yǎng)全程的相對濕度為 85%，以24h為一個(gè)循環(huán)周期，具體為：1)先在25°C光照條件下處理12h，光照條件下處理12h 的具體操作為:第l_4h，光照強(qiáng)度為ΙΟΟΟΙχ;第5-8h，光照強(qiáng)度為20001x;第9-12h，光照強(qiáng)度 為30001x;2)然后在15°C黑暗條件下處理12h。
[0060] 實(shí)施例6:
[0061]在實(shí)施例4的基礎(chǔ)上，一種促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，在半蒴苣苔種子消毒之 前，將半蒴苣苔種子用35°C磁化水浸泡8-12h，再置于熏蒸裝置的密閉環(huán)境中熏蒸20-25min，熏蒸裝置中放置有熏料層以及設(shè)置在熏料層上方8-10cm的第二層棉布，熏料層包括 熏料芯以及包裹在熏料芯外部的第一層棉布，熏料芯包括高分子吸水樹脂、蒙脫石、菟絲子 和蒺藜草以質(zhì)量比為1:1:50:20混合組成，該熏料芯比例中的各組分為浸泡前的質(zhì)量比，所 述熏料層經(jīng)過醋液預(yù)先浸泡24h，所述醋液由竹醋液、草醋液和水以質(zhì)量比為3:6:100組成， 第二棉布預(yù)先置于磁化水中浸泡濕透，半蒴苣苔種子放置在第二層棉布上，在溫度為120 °C_130°C下熏蒸。
[0062]在一種技術(shù)方案中，所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，所述熏料裝置包括熏 料架以及罩體，所述熏料架包括：
[0063]電加熱板；
[0064] 底座，其包括底座頭部和支撐底座頭部的底座支架，所述底座頭部為長方體，其頂 部設(shè)有容納所述電加熱板的凹槽，所述底座頭部的上表面除去所述凹槽以外的四個(gè)角處分 別設(shè)有一個(gè)固定孔，所述底座頭部的其中一個(gè)側(cè)面上設(shè)有旋鈕，其用于調(diào)節(jié)所述電加熱板 的溫度；
[0065] 四根等長的固定支架，其下端分別插入所述底座頭部的四個(gè)固定孔中，上端為自 由端，對于任意一根固定支架，其上端自下延伸設(shè)有多個(gè)環(huán)形凸棱；
[0066] 其中，罩體可拆卸套設(shè)在固定支架的外部且擱置于所述底座頭部上；
[0067] 熏蒸時(shí)，將熏料層放置到電加熱板上，第二層棉布系到四根固定支架的環(huán)形凸棱 處使放置有半蒴苣苔種子的第二層棉布呈水平狀態(tài)。
[0068] 對比例：
[0069]為了說明本發(fā)明的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法的有益效果，本發(fā)明的申請人針 對步驟C中赤霉素濃度、浸泡溫度和浸泡時(shí)間三個(gè)因素共9組對照組進(jìn)行試驗(yàn)，具體得出平 均萌發(fā)率、首次萌發(fā)時(shí)間以及萌發(fā)持續(xù)時(shí)間見表1，以未經(jīng)赤霉素浸種處理的半蒴苣苔種子 作空白對照，其中空白對照和其他處理除了赤霉素浸泡因素不同之外，其他的萌發(fā)處理方 法與實(shí)施例2相同。由表1可以看出，赤霉素水溶液浸泡對半蒴苣苔種子萌發(fā)影響巨大，平均 萌發(fā)率顯著提高，首次萌發(fā)時(shí)間也大大縮短，萌發(fā)持續(xù)時(shí)間也縮短，而其中以對照組6即赤 霉素濃度為200mg/L、浸泡溫度為25°C下浸泡12h時(shí)平均萌發(fā)率達(dá)95%，首次萌發(fā)時(shí)間縮短 至第15天，萌發(fā)持續(xù)時(shí)間縮短至16天，該條件為最佳赤霉素的浸泡條件。
[0070] 實(shí)施例5和實(shí)施例6是在實(shí)施例4(即對照組6)的基礎(chǔ)上分別進(jìn)行不同的光照處理 方式、消毒之前的薰種處理，由表1可知，實(shí)施例5和實(shí)施例6相比實(shí)施例4來說，平均萌發(fā)率 均有提高，但是首次萌發(fā)時(shí)間和萌發(fā)持續(xù)時(shí)間大大縮短，提高了萌發(fā)整齊度。
[0071] 表1
[0073] 實(shí)施例7:
[0074] 促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法：
[0075] 本實(shí)例操作過程與實(shí)施例4所述種子凈選、消毒、浸種、萌發(fā)培養(yǎng)條件相同，但實(shí)驗(yàn) 材料是2013年11月從廣西壯族自治區(qū)那坡縣采集到的野生半蒴苣苔種子。將經(jīng)過赤霉素溶 液浸種處理的半蒴苣苔種子標(biāo)記為JZ，以未經(jīng)浸種處理的凈種子作對照，標(biāo)記為CK。
[0076] 赤霉素溶液浸種處理JZ的種子首次萌發(fā)時(shí)間為第15天，第30天萌發(fā)結(jié)束，持續(xù)時(shí) 長為16天，最終的發(fā)芽率為84.5%。野生種對照處理CK的種子首次萌發(fā)時(shí)間為第35天，第85 天萌發(fā)結(jié)束，持續(xù)時(shí)長為50天，最終的發(fā)芽率為25%。本專利方法使野生半蒴苣苔的首次萌 發(fā)時(shí)間提早了 20天，持續(xù)萌發(fā)的時(shí)間長度縮短了 34天，并使最終發(fā)芽率增加了 59.5%。
[0077] 盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實(shí)施方式中所列 運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地 實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限 于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，將半蒴苣苔種子消毒后，用100-300mg/L的赤霉素水溶液在20-25°C下浸泡12-24h，然后取出半蒴苣苔種子清洗后進(jìn)行發(fā)芽 培養(yǎng)。2. 如權(quán)利要求1所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，將半蒴苣苔種子消 毒后，用200mg/L的赤霉素水溶液在25 °C下浸泡12h。3. 如權(quán)利要求2所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，所述發(fā)芽培養(yǎng)具體 是指將赤霉素水溶液浸種后的半蒴苣苔種子在變溫和交替光照條件下萌發(fā)培養(yǎng)多個(gè)循環(huán) 周期至萌發(fā)結(jié)束，期間控制發(fā)芽培養(yǎng)全程的相對濕度為80%_90%，以24h為一個(gè)循環(huán)周期， 具體為:先在25°C光照條件下處理12h，光照強(qiáng)度為1000-30001X，然后在15°C黑暗條件下處 理 12h。4. 如權(quán)利要求3所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，發(fā)芽培養(yǎng)時(shí)，光照 條件下處理12h的具體操作為： 第l_4h，光照強(qiáng)度為ΙΟΟΟΙχ;第5-8h，光照強(qiáng)度為20001x;第9-12h，光照強(qiáng)度為30001x。5. 如權(quán)利要求2所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，在半蒴苣苔種子消 毒之前，將半蒴苣苔種子用35°C磁化水浸泡8-12h，再置于熏蒸裝置的密閉環(huán)境中熏蒸20-25min，熏蒸裝置中放置有熏料層以及設(shè)置在熏料層上方8-10cm的第二層棉布，熏料層包括 熏料芯以及包裹在熏料芯外部的第一層棉布，熏料芯包括高分子吸水樹脂、蒙脫石、菟絲子 和蒺藜草以質(zhì)量比為1:1:50:20混合組成，所述熏料層經(jīng)過醋液預(yù)先浸泡24h，所述醋液由 竹醋液、草醋液和水以質(zhì)量比為3:6:100組成，第二棉布預(yù)先置于磁化水中浸泡濕透，半蒴 苣苔種子放置在第二層棉布上，在溫度為120°C-13(TC下熏蒸。6. 如權(quán)利要求5所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，所述熏料裝置包括 熏料架以及罩體，所述熏料架包括： 電加熱板； 底座，其包括底座頭部和支撐底座頭部的底座支架，所述底座頭部為長方體，其頂部設(shè) 有容納所述電加熱板的凹槽，所述底座頭部的上表面除去所述凹槽以外的四個(gè)角處分別設(shè) 有一個(gè)固定孔，所述底座頭部的其中一個(gè)側(cè)面上設(shè)有旋鈕，其用于調(diào)節(jié)所述電加熱板的溫 度； 四根等長的固定支架，其下端分別插入所述底座頭部的四個(gè)固定孔中，上端為自由端， 對于任意一根固定支架，其上端自下延伸設(shè)有多個(gè)環(huán)形凸棱； 其中，罩體可拆卸套設(shè)在固定支架的外部且擱置于所述底座頭部上； 熏蒸時(shí)，將熏料層放置到電加熱板上，第二層棉布系到四根固定支架的環(huán)形凸棱處使 放置有半蒴苣苔種子的第二層棉布呈水平狀態(tài)。7. 如權(quán)利要求1所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，半蒴苣苔種子消毒 之前先進(jìn)行篩選，具體是用篩孔為0.15mm和0.60mm的兩層方孔篩篩選留在兩層方孔篩之間 的半蒴苣苔種子備用。8. 如權(quán)利要求1所述的促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，其特征在于，所述消毒是指將半 蒴苣苔種子用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%的高錳酸鉀水溶液浸泡5min，再用蒸餾水沖洗3遍。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種促進(jìn)半蒴苣苔種子萌發(fā)的方法，將半蒴苣苔種子消毒后，用100-300mg/L的赤霉素水溶液在20-25℃下浸泡12-24h，然后取出半蒴苣苔種子清洗后進(jìn)行發(fā)芽培養(yǎng)。本發(fā)明的方法顯著的提高了半蒴苣苔種子的發(fā)芽率，提早種子萌發(fā)時(shí)間，提高種子萌發(fā)的整齊度，為半蒴苣苔的有性繁殖提供了良好基礎(chǔ)，適用于半蒴苣苔的規(guī)模化人工種植。
【IPC分類】A01C1/00, A01C1/08
【公開號】CN105684596
【申請?zhí)枴緾N201610046138
【發(fā)明人】黃燕芬, 朱艷霞, 潘春柳, 董青松, 柯芳, 韋坤華, 繆劍華
【申請人】廣西壯族自治區(qū)藥用植物園
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2016年1月25日