本技術(shù)涉及霧化，具體是涉及一種噴嘴、霧化器及電子霧化裝置。

背景技術(shù)：

1、相關(guān)技術(shù)中電子霧化裝置用于將氣溶膠生成基質(zhì)霧化為氣溶膠。

2、采用噴嘴霧化是將氣溶膠生成基質(zhì)霧化為氣溶膠的一種方式，但是目前霧化技術(shù)加熱溫度高，一方面電阻絲容易積碳，從而影響口感和霧化器件的壽命，加熱效果有限；另一方面高溫也會(huì)引起香精香料的裂解，口感還原度低；另外容易產(chǎn)生副反應(yīng)，從而產(chǎn)生有害物質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種噴嘴、霧化器及電子霧化裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電阻絲容易積碳從而影響口感和霧化器件的壽命、加熱效果有限，以及容易產(chǎn)生有害物質(zhì)的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供的第一個(gè)技術(shù)方案為：提供一種噴嘴，包括噴射部，噴射部具有霧化腔以及分別與所述霧化腔連通的進(jìn)氣通道、進(jìn)液通道；從所述進(jìn)氣通道進(jìn)入所述霧化腔的氣體與從所述進(jìn)液通道進(jìn)入所述霧化腔的氣溶膠生成基質(zhì)碰撞后進(jìn)行霧化形成氣溶膠；所述霧化腔具有出霧口，使得所述氣溶膠從所述出霧口流出；其中，所述噴射部的至少部分導(dǎo)電，以用作加熱體；所述加熱體具有多個(gè)開孔，且多個(gè)所述開孔與所述霧化腔、所述進(jìn)氣通道和所述進(jìn)液通道均不連通。

3、可選地，所述噴射部包括層疊設(shè)置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板配合形成所述霧化腔、所述進(jìn)氣通道和所述進(jìn)液通道；其中，所述第一基板導(dǎo)電，以用作所述加熱體；或所述第二基板導(dǎo)電，以用作所述加熱體；或所述第一基板和所述第二基板均導(dǎo)電，以用作所述加熱體。

4、可選地，所述第一基板具有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括霧化槽以及分別與所述霧化槽連通的進(jìn)氣槽和進(jìn)液槽，所述第二基板與所述凹槽結(jié)構(gòu)配合形成所述霧化腔、所述進(jìn)氣通道和所述進(jìn)液通道；其中，所述第一基板導(dǎo)電，所述開孔為設(shè)置于所述第一基板上的通孔，且多個(gè)所述通孔均與所述凹槽結(jié)構(gòu)錯(cuò)位設(shè)置；或所述第二基板導(dǎo)電，所述開孔為設(shè)置于所述第二基板上的通孔，且多個(gè)所述通孔均與所述凹槽結(jié)構(gòu)錯(cuò)位設(shè)置。

5、可選地，所述第一基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第二表面具有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括霧化槽以及分別與所述霧化槽連通的進(jìn)氣槽和進(jìn)液槽；所述第二基板包括相對(duì)設(shè)置的第三表面和第四表面，所述第三表面與所述第二表面貼合設(shè)置，且與所述凹槽結(jié)構(gòu)配合形成所述霧化腔、所述進(jìn)氣通道和所述進(jìn)液通道；所述開孔為盲孔，其中，所述第一基板導(dǎo)電，多個(gè)所述盲孔開設(shè)于所述第一表面；和/或所述第一基板導(dǎo)電，多個(gè)所述盲孔開設(shè)于所述第二表面，且與所述凹槽結(jié)構(gòu)錯(cuò)位設(shè)置；和/或所述第二基板導(dǎo)電，多個(gè)所述盲孔開設(shè)于所述第三表面，且與所述凹槽結(jié)構(gòu)錯(cuò)位設(shè)置；和/或所述第二基板導(dǎo)電，多個(gè)所述盲孔開設(shè)于所述第四表面。

6、可選地，所述開孔的形狀為圓形、橢圓形、方形或多邊形。

7、可選地，多個(gè)所述開孔具有不同的尺寸。

8、可選地，所述噴嘴還包括第一電極和第二電極；所述第一電極和所述第二電極設(shè)置于所述噴射部，并與所述加熱體電連接。

9、可選地，所述第一電極和所述第二電極均設(shè)置于所述噴射部的外表面，且所述第一電極和所述第二電極均與所述開孔位于所述噴射部的外表面的端口錯(cuò)位設(shè)置。

10、可選地，所述第一基板導(dǎo)電，以用作所述加熱體；其中，所述第一電極和所述第二電極設(shè)置于所述第一基板遠(yuǎn)離所述第二基板的表面；或所述第一電極和所述第二電極設(shè)置于所述第一基板靠近所述第二基板的表面，并通過在所述第二基板開設(shè)引線孔以使所述第一電極和所述第二電極暴露；或所述第一電極和所述第二電極設(shè)置于所述第一基板和/或所述第二基板的側(cè)面。

11、可選地，所述第一基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第二表面具有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括霧化槽、進(jìn)氣槽和進(jìn)液槽中的至少一種；所述第二基板與所述第一基板層疊設(shè)置；其中，所述第一基板導(dǎo)電，以用作所述加熱體；所述凹槽結(jié)構(gòu)還包括間隔設(shè)置的兩個(gè)容置槽，所述第一電極和所述第二電極一一對(duì)應(yīng)設(shè)置于兩個(gè)所述容置槽中，且所述第一電極和所述第二電極遠(yuǎn)離所述容置槽的底壁的表面與所述第二表面平齊；所述第二基板具有兩個(gè)引線孔，所述引線孔使對(duì)應(yīng)的電極暴露；或所述第二基板導(dǎo)電，以用作所述加熱體；所述第二基板朝向所述第一基板的表面具有間隔設(shè)置的兩個(gè)容置槽，所述第一電極和所述第二電極一一對(duì)應(yīng)設(shè)置于兩個(gè)所述容置槽中，且所述第一電極和所述第二電極遠(yuǎn)離所述容置槽的底壁的表面與所述第二基板朝向所述第一基板的表面平齊；所述第一基板具有與所述凹槽結(jié)構(gòu)錯(cuò)位設(shè)置的兩個(gè)引線孔，所述引線孔使對(duì)應(yīng)的電極暴露。

12、可選地，所述霧化槽的側(cè)壁具有所述出霧口，所述出霧口延伸至所述第一基板的邊緣。

13、可選地，所述第一基板具有相對(duì)的第一邊和第二邊，以及連接所述第一邊和所述第二邊的第三邊，所述霧化槽靠近所述第一邊設(shè)置且具有位于所述第一邊的所述出霧口；其中，所述進(jìn)氣槽從所述第二邊延伸至所述霧化槽，所述進(jìn)液槽從所述第三邊延伸至所述霧化槽；或所述進(jìn)氣槽從所述第三邊延伸至所述霧化槽，所述進(jìn)液槽從所述第二邊延伸至所述霧化槽。

14、可選地，所述霧化槽的底壁具有所述出霧口，所述出霧口延伸至所述第一表面。

15、可選地，所述第一基板具有相對(duì)的第一邊和第二邊，以及連接所述第一邊和所述第二邊的第三邊，所述霧化槽為從所述第一基板的所述第二表面延伸至所述第一表面的通孔，所述通孔位于所述第一表面的端口用作所述出霧口；其中，所述進(jìn)液槽從所述第一邊延伸至所述霧化槽，所述進(jìn)氣槽從所述第二邊延伸至所述霧化槽，使得所述進(jìn)液槽和所述進(jìn)氣槽設(shè)置于所述霧化槽的相對(duì)兩側(cè)；或所述進(jìn)液槽從所述第三邊延伸至所述霧化槽，所述進(jìn)氣槽從所述第二邊延伸至所述霧化槽，使得所述進(jìn)液槽和所述進(jìn)氣槽設(shè)置于所述霧化槽的相鄰的兩側(cè)；或所述進(jìn)液槽從所述第二邊延伸至所述霧化槽，所述進(jìn)氣槽從所述第三邊延伸至所述霧化槽，使得所述進(jìn)液槽和所述進(jìn)氣槽設(shè)置于所述霧化槽的相鄰的兩側(cè)。

16、可選地，所述第一基板的材料和/或所述第二基板的材料包括絕緣體、半導(dǎo)體或?qū)w。

17、可選地，所述第一基板的材料和/或所述第二基板的材料包括絕緣體，所述絕緣體包括玻璃；或所述第一基板的材料和/或所述第二基板的材料包括半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體包括硅；或所述第一基板的材料和/或所述第二基板的材料包括導(dǎo)體，所述導(dǎo)體包括金屬。

18、可選地，所述第一基板的材料包括電阻率小于0.01ω·cm的硅；所述第二基板的材料包括絕緣玻璃片或電阻率高于10ω·cm的硅。

19、可選地，所述噴嘴還包括傳感器，用于獲取所述氣溶膠生成基質(zhì)的檢測(cè)信息；所述檢測(cè)信息包括溫度信息或粘度信息。

20、可選地，所述傳感器設(shè)置于所述噴射部的外表面，用于檢測(cè)所述噴射部所在的環(huán)境溫度，以根據(jù)所述環(huán)境溫度對(duì)所述進(jìn)液通道內(nèi)的氣溶膠生成基質(zhì)加熱預(yù)設(shè)溫度；或所述傳感器設(shè)置于所述進(jìn)液通道內(nèi)，用于檢測(cè)流經(jīng)所述進(jìn)液通道的所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度信息或粘度信息，并根據(jù)所述檢測(cè)信息對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱。

21、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供的第二個(gè)技術(shù)方案為：提供一種霧化器，包括儲(chǔ)液倉、噴嘴和微泵，儲(chǔ)液倉用于存儲(chǔ)氣溶膠生成基質(zhì)；所述噴嘴為上述任一項(xiàng)所述的噴嘴；所述進(jìn)液通道連接所述儲(chǔ)液倉；微泵與所述進(jìn)氣通道連接，用于為所述噴嘴供氣。

22、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供的第三個(gè)技術(shù)方案為：提供一種電子霧化裝置，包括霧化器和電源組件；所述霧化器為上述任一項(xiàng)所述的霧化器；電源組件與所述霧化器耦接，用于對(duì)所述霧化器提供電源；所述電源組件包括處理器，所述處理器用于獲取所述氣溶膠生成基質(zhì)的溫度信息或粘度信息，并根據(jù)所述溫度信息或粘度信息控制所述加熱體對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱。

23、本技術(shù)的有益效果：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)的噴嘴包括噴射部，噴射部具有霧化腔以及分別與霧化腔連通的進(jìn)氣通道、進(jìn)液通道；從進(jìn)氣通道進(jìn)入霧化腔的氣體與從進(jìn)液通道進(jìn)入霧化腔的氣溶膠生成基質(zhì)碰撞后進(jìn)行霧化形成氣溶膠；霧化腔具有出霧口，使得氣溶膠從出霧口流出；其中，噴射部的至少部分導(dǎo)電，以用作加熱體；加熱體具有多個(gè)開孔，且多個(gè)開孔與霧化腔、進(jìn)氣通道和進(jìn)液通道均不連通。本技術(shù)通過將噴射部本身的至少一部分作為加熱體進(jìn)行氣溶膠生成基質(zhì)的霧化，一方面通過低溫霧化，使得氣溶膠生成基質(zhì)的口感還原度高，同時(shí)不易產(chǎn)生有害物質(zhì)，安全性高；另一方面噴射部的本身部分作為加熱體，既能提高加熱效率，提高熱傳遞效率，能量利用率高；同時(shí)能夠?qū)馊苣z生成基質(zhì)進(jìn)行降粘，以提高霧化效率；同時(shí)在加熱體上開設(shè)多個(gè)開孔，以對(duì)加熱體的電阻大小進(jìn)行調(diào)節(jié)，并提高加熱體的熱能利用率。