本發(fā)明涉及氣溶膠霧化，具體涉及一種發(fā)熱體組件及其制備方法、氣溶膠生成裝置。

背景技術(shù)：

1、目前加熱不燃燒電子煙的陶瓷發(fā)熱體形態(tài)可大致分為兩種：一是在氧化鋯陶瓷片表面印刷厚膜電路的陶瓷發(fā)熱片，二是以氧化鋁棒芯表面包覆印刷了線路的氧化鋁流延片制備的陶瓷發(fā)熱針。而現(xiàn)有的陶瓷發(fā)熱針，通常采用單層厚膜燒結(jié)或者單層材料制備，制備工序非常復(fù)雜。例如，公開號(hào)為cn211932568u的中國(guó)專利文獻(xiàn)公開的一種氧化鋯陶瓷發(fā)熱體。該氧化鋯陶瓷發(fā)熱體包括氧化鋯棒體，所述氧化鋯棒體包括棒芯和設(shè)置于所述棒芯一端的尖頭件，所述棒芯的外表面由內(nèi)至外依次設(shè)置有第一氧化鋁絕緣層、印刷線路層、第二氧化鋁絕緣層和氧化鋯陶瓷基片；所述尖頭件包括尖端部和設(shè)置于尖端部底面的內(nèi)嵌部，所述內(nèi)嵌部嵌裝于棒芯的內(nèi)部；所述氧化鋯陶瓷基片的外表面與尖端部的外表面涂覆有第一保護(hù)釉層。該氧化鋯陶瓷發(fā)熱體結(jié)構(gòu)新穎，發(fā)熱均勻，發(fā)熱速度快，熱量損失少，節(jié)能，使用壽命長(zhǎng)，實(shí)用性高。由此可以看出，由于上述氧化鋯陶瓷發(fā)熱體的棒芯的外表面由內(nèi)至外依次設(shè)置有第一氧化鋁絕緣層、印刷線路層、第二氧化鋁絕緣層和氧化鋯陶瓷基片，因而制備該氧化鋯陶瓷發(fā)熱體的工藝非常復(fù)雜，且制備成本較高。此外，由于上述氧化鋯陶瓷發(fā)熱體的棒芯的外表面由內(nèi)至外依次設(shè)置有第一氧化鋁絕緣層、印刷線路層、第二氧化鋁絕緣層和氧化鋯陶瓷基片，即，第一氧化鋁絕緣層、印刷線路層、第二氧化鋁絕緣層和氧化鋯陶瓷基片均處于在棒芯的外部；而處于在棒芯的外部的第一氧化鋁絕緣層、印刷線路層、第二氧化鋁絕緣層和氧化鋯陶瓷基片在使用過(guò)程中會(huì)頻繁地撞擊/摩擦/接觸氣溶膠生成基質(zhì)，進(jìn)而導(dǎo)致棒芯外部的涂層(如上述第一氧化鋁絕緣層、印刷線路層、第二氧化鋁絕緣層和氧化鋯陶瓷基片)易脫落損壞等，即，現(xiàn)有的發(fā)熱體組件的可靠性低、耐用性差。

2、因此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足有必要進(jìn)行改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)熱體組件及其制備方法、氣溶膠生成裝置。本技術(shù)提供一種發(fā)熱體組件的制備方法，能夠提高發(fā)熱組件的耐用性。本技術(shù)還提供一種發(fā)熱體組件，發(fā)熱體組件通過(guò)陶瓷基體將發(fā)熱涂層與位于發(fā)熱體組件之外的氣溶膠生成基質(zhì)隔開而避免發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)直接接觸，進(jìn)而防止在發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)的反復(fù)接觸的過(guò)程中降低發(fā)熱涂層的強(qiáng)度和/或使得發(fā)熱涂層發(fā)生脫落，以提高本技術(shù)的發(fā)熱組件的耐用性。

2、根據(jù)第一方面，一種實(shí)施例中提供一種發(fā)熱體組件的制備方法。該制備方法包括：

3、獲取陶瓷基體；獲取導(dǎo)電漿料；

4、涂覆步驟：將所述導(dǎo)電漿料涂覆在所述陶瓷基體上的第一預(yù)設(shè)區(qū)域；

5、第一燒結(jié)處理步驟：對(duì)涂覆在所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的所述導(dǎo)電漿料進(jìn)行第一燒結(jié)處理；

6、將經(jīng)過(guò)第一燒結(jié)處理步驟的所述導(dǎo)電漿料作為發(fā)熱涂層；所述發(fā)熱體組件包括所述發(fā)熱涂層和所述陶瓷基體；

7、其中，所述發(fā)熱體組件用于在通電后通過(guò)所述發(fā)熱涂層產(chǎn)生熱量，并利用所述熱量對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱；所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述陶瓷基體遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)的至少部分區(qū)域；所述陶瓷基體用于避免所述氣溶膠生成基質(zhì)與所述發(fā)熱涂層發(fā)生接觸而保護(hù)所述發(fā)熱涂層。

8、一實(shí)施例中，所述陶瓷基體具有空腔，所述空腔與所述陶瓷基體的外部連通；其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述空腔的至少部分區(qū)域；所述獲取陶瓷基體，包括：

9、對(duì)第一原料進(jìn)行成型處理而得到第一半成品；其中，所述第一半成品具有所述空腔；所述空腔與所述第一半成品的外部連通；

10、對(duì)所述第一半成品進(jìn)行第二燒結(jié)處理而得到所述陶瓷基體。

11、一實(shí)施例中，所述第一燒結(jié)處理步驟還包括：在所述發(fā)熱涂層上設(shè)置電極層；其中，所述發(fā)熱體組件還包括所述電極層，所述電極層用于實(shí)現(xiàn)電源與所述發(fā)熱涂層之間的連接。

12、一實(shí)施例中，所述第一燒結(jié)處理步驟還包括：

13、利用所述電極層將經(jīng)過(guò)所述第一燒結(jié)處理的所述導(dǎo)電漿料劃分為多個(gè)子漿料；

14、將所述多個(gè)子漿料中的一個(gè)或多個(gè)從所述陶瓷基體上剝離；

15、將保留在所述陶瓷基體上的所述子漿料作為所述發(fā)熱涂層。

16、一實(shí)施例中，所述陶瓷基體遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)具有預(yù)設(shè)形狀的凹槽，其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述凹槽；

17、所述獲取陶瓷基體，包括：

18、對(duì)第一原料進(jìn)行成型處理而得到第一半成品；其中，所述第一半成品遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)具有所述凹槽；

19、對(duì)所述第一半成品進(jìn)行第二燒結(jié)處理而得到所述陶瓷基體。

20、一實(shí)施例中，所述獲取陶瓷基體，包括：

21、對(duì)第一原料進(jìn)行成型處理而得到第一半成品；

22、對(duì)所述第一半成品進(jìn)行第二燒結(jié)處理而得到第二半成品；

23、粘貼步驟：在第二預(yù)設(shè)區(qū)域設(shè)置犧牲層；其中，所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗龅诙氤善愤h(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)除所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域之外的區(qū)域；所述犧牲層用于去除涂覆在所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的所述導(dǎo)電漿料；

24、將經(jīng)過(guò)所述粘貼步驟的所述第二半成品作為所述陶瓷基體。

25、一實(shí)施例中，所述制備方法還包括去除犧牲層的步驟；所述犧牲層的步驟位于所述涂覆步驟和所述第一燒結(jié)處理步驟之間；其中，所述去除犧牲層的步驟，包括：

26、去除所述陶瓷基體上的所述犧牲層，進(jìn)而去除涂覆在所述犧牲層上的所述導(dǎo)電漿料。

27、一實(shí)施例中，所述獲取陶瓷基體，包括：

28、對(duì)第一原料進(jìn)行成型處理而得到第一半成品；

29、對(duì)所述第一半成品進(jìn)行第二燒結(jié)處理而得到第二半成品；

30、粘貼步驟：在第二預(yù)設(shè)區(qū)域設(shè)置引導(dǎo)涂覆元件；其中，所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗龅诙氤善愤h(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)除所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域以外的所有區(qū)域；所述引導(dǎo)涂覆元件用于避免將所述導(dǎo)電漿料涂覆在所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域；所述引導(dǎo)涂覆元件在所述第一燒結(jié)處理步驟中從所述第二半成品上消除；

31、將經(jīng)過(guò)所述粘貼步驟的所述第二半成品作為所述陶瓷基體。

32、一實(shí)施例中，所述引導(dǎo)涂覆元件的材質(zhì)為彈性體材料；其中，所述引導(dǎo)涂覆元件具有預(yù)設(shè)的引導(dǎo)形狀，以使得所述引導(dǎo)涂覆元件與所述陶瓷基體遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)表面相接觸的區(qū)域?yàn)樗鲆粋?cè)表面上除所述發(fā)熱涂層以外的區(qū)域。

33、一實(shí)施例中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的面積與所述陶瓷基體的導(dǎo)熱系數(shù)的大小呈反比。

34、根據(jù)第二方面，一種實(shí)施例中提供一種發(fā)熱體組件。該發(fā)熱體組件包括：

35、發(fā)熱涂層，用于通電后產(chǎn)生熱量；

36、陶瓷基體，用于吸收至少部分所述熱量并加熱氣溶膠形成基質(zhì)；

37、其中，所述發(fā)熱涂層位于第一預(yù)設(shè)區(qū)域；所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述陶瓷基體遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)的至少部分區(qū)域，所述陶瓷基體還用于避免所述氣溶膠生成基質(zhì)與所述發(fā)熱涂層發(fā)生接觸而保護(hù)所述發(fā)熱涂層。

38、一實(shí)施例中，所述陶瓷基體具有空腔，所述空腔與所述陶瓷基體的外部連通；其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述空腔的至少部分區(qū)域。

39、一實(shí)施例中，所述發(fā)熱體組件還包括電極層，所述電極層設(shè)置于所述發(fā)熱涂層上，所述電極層用于實(shí)現(xiàn)電源與所述發(fā)熱涂層之間的連接。

40、一實(shí)施例中，所述陶瓷基體遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)具有預(yù)設(shè)形狀的凹槽，其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述凹槽。

41、一實(shí)施例中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的面積與所述陶瓷基體的導(dǎo)熱系數(shù)的大小呈反比。

42、根據(jù)第三方面，一種實(shí)施例中提供一種氣溶膠生成裝置。該氣溶膠生成裝置包括：殼體，具有容置腔；所述容置腔用于收容氣溶膠生成基質(zhì)；發(fā)熱體組件，所述發(fā)熱體組件為如本技術(shù)中任一項(xiàng)實(shí)施例所述發(fā)熱體組件；電源組件，用于為所述發(fā)熱體組件供電。

43、本技術(shù)的有益效果是：

44、本技術(shù)的制備方法包括：獲取陶瓷基體；獲取導(dǎo)電漿料；涂覆步驟：將所述導(dǎo)電漿料涂覆在陶瓷基體上的第一預(yù)設(shè)區(qū)域；第一燒結(jié)處理步驟：對(duì)涂覆在所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的所述導(dǎo)電漿料進(jìn)行第一燒結(jié)處理；將經(jīng)過(guò)第一燒結(jié)處理步驟的所述導(dǎo)電漿料作為發(fā)熱涂層；所述發(fā)熱體組件包括所述發(fā)熱涂層和所述陶瓷基體；其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述陶瓷基體遠(yuǎn)離所述氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)的至少部分區(qū)域；由于本技術(shù)的制備方法通過(guò)在涂覆步驟將導(dǎo)電漿料涂覆在第一預(yù)設(shè)區(qū)域，而第一預(yù)設(shè)區(qū)域包括陶瓷基體遠(yuǎn)離氣溶膠生成基質(zhì)的一側(cè)的至少部分區(qū)域，進(jìn)而使得本制備方法得到的陶瓷基體位于發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)之間，進(jìn)而通過(guò)作為外殼的陶瓷基體將發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)隔開而避免發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)直接接觸，進(jìn)而防止在發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)的反復(fù)接觸的過(guò)程中降低發(fā)熱涂層的強(qiáng)度和/或使得發(fā)熱涂層發(fā)生脫落，進(jìn)而提高了由本制備方法得到的發(fā)熱組件的耐用性；

45、本技術(shù)還提供一種發(fā)熱體組件，發(fā)熱體組件通過(guò)陶瓷基體將發(fā)熱涂層與位于發(fā)熱體組件之外的氣溶膠生成基質(zhì)隔開而避免發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)直接接觸，進(jìn)而防止在發(fā)熱涂層與氣溶膠生成基質(zhì)的反復(fù)接觸的過(guò)程中降低發(fā)熱涂層的強(qiáng)度和/或使得發(fā)熱涂層發(fā)生脫落，以提高本技術(shù)的發(fā)熱組件的耐用性。