本發(fā)明涉及中醫(yī)針灸學(xué)和納米材料學(xué)領(lǐng)域，涉及一種用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針及其制造方法。

背景技術(shù)：

針灸技術(shù)是中醫(yī)臨床醫(yī)療中重要的治療手段，其針刺技術(shù)中最常用的針法為：使用特制的金屬針，按一定穴位，刺入患者體內(nèi)，運用操作手法以達(dá)到治病的目的。本專利中所述針灸專指中醫(yī)學(xué)中的針刺技術(shù)。

現(xiàn)代生理學(xué)研究表明，在針灸治療中外加刺激必須達(dá)到一定的強度，才能引起細(xì)胞的興奮或產(chǎn)生動作電位，即，足夠的刺激強度是引起細(xì)胞興奮的基本條件?；诖?，現(xiàn)代針灸技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出多種技術(shù)方法以增強針灸效果，如電針法、電火針法、微波針法、穴位激光照射法等，均已獲得應(yīng)用并取得實際療效。臨床中，目前最常用的現(xiàn)代針灸技術(shù)為電針法，其依賴電流的作用來興奮穴位組織。

基于對穴位不同解剖層次進行刺激可產(chǎn)生不同治療作用，針灸學(xué)院士程莘農(nóng)教授提出了穴位三才(天、人、地)概念，用現(xiàn)代解剖學(xué)解釋為穴位淺、中、深層，淺層為淺筋膜，中層為肌肉，深層為骨膜和神經(jīng)層。

但是，由于現(xiàn)有普通針灸用鋼針針體均為導(dǎo)體，從而導(dǎo)致在對穴位進行電刺激過程中，電流在未達(dá)到既定穴位層次時即出現(xiàn)大量電荷被傳輸?shù)饺梭w其他部位，進而影響療效，特別是在需要進行精準(zhǔn)神經(jīng)刺激的針灸技術(shù)中(如：蝶腭神經(jīng)節(jié)刺激技術(shù)治療變應(yīng)性鼻炎、副鼻竇炎；骶神經(jīng)刺激技術(shù)治療膀胱疼痛綜合癥、神經(jīng)源性膀胱、非梗阻性尿潴留、膀胱過度活動癥等；醒腦開竅技術(shù)治療卒中----中風(fēng))，該問題尤為突出，亟待解決。

同時，在經(jīng)絡(luò)穴位基礎(chǔ)性研究中，一項重要技術(shù)手段是將針灸鋼針刺入人體穴位后連接數(shù)據(jù)線，進而采集穴位不同解剖層次場電位。但因普通針灸剛針針體均為導(dǎo)體，不能精確說明所采集的場電位數(shù)據(jù)究竟來自那一層穴位組織，因而不能進一步明確解釋臨床療效作用機制。

為提高臨床療效，實現(xiàn)精準(zhǔn)對穴位不同層次行電刺激針灸技術(shù)，精確采集穴位不同解剖層次場電位，明確經(jīng)絡(luò)、穴位特異性機制，減少鋼針針身部位外導(dǎo)電流成為臨床工作及基礎(chǔ)研究的迫切需要，故有必要對鋼針針體進行改進。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的提供一種用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針，包括鋼針本體、CuO材料層和SiO₂材料層，CuO材料層和SiO₂材料層順序覆蓋在鋼針本體除兩端之外的針身上。

進一步，所述材料層為納米膜。

進一步，所述的CuO納米膜的厚度為10～30nm，優(yōu)選為15-25nm。

進一步，所述的SiO₂納米膜的厚度為20～150nm，優(yōu)選為30-100nm，還優(yōu)選為50-90nm。

本發(fā)明的用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針，是以CuO納米膜作為濺射SiO₂納米膜時的基底物質(zhì)，一般可使所SiO₂納米膜分布更均勻和穩(wěn)定，進一步減少鋼針針身部位外導(dǎo)電流，從而能夠精準(zhǔn)的對穴位不同層次行電刺激針灸技術(shù)，精確采集穴位不同解剖層次場電位，有助于明確經(jīng)絡(luò)、穴位特異性機制。

本發(fā)明還提供一種如上所述的針身絕緣鋼針的制備方法，采用濺射法在所述鋼針本體的針身上形成CuO納米膜和SiO₂納米膜，

將鋼針本體固定于磁控濺射儀中的樣品板上，遮蔽鋼針本體的兩端，將CuO和SiO₂靶材分別置于兩個靶腔中；

在針身上濺射得到CuO納米膜，磁控濺射儀的工作條件為：在惰性氣體保護下，工作壓力為0.2～1.1Pa(例如0.5Pa)，直流電功率為55～120W(優(yōu)選100-120W)；

然后，在表面修飾有CuO納米膜的鋼針上濺射制備得到SiO₂納米膜，磁控濺射儀的工作條件為：在惰性氣體保護下，工作壓力為0.03～1.0Pa，直流電功率為55～120W(優(yōu)選80-95W)。

進一步，所述的鋼針本體與CuO和SiO₂靶材之間的距離為80～550mm，優(yōu)選100-400nm，例如300nm。

進一步，所述的磁控濺射儀中的主控室的壓力為2×10^-7～3×10^-3Pa，優(yōu)選為1×10^-6～1×10^-5Pa。

進一步，所述的磁控濺射儀在制備CuO納米膜及制備SiO₂納米膜時的濺射溫度為20～350℃，例如40-100℃。

進一步，所述的磁控濺射儀在制備CuO納米膜時的濺射時間為20～200s，優(yōu)選40-100s，例如50s或82s。

進一步，所述的磁控濺射儀在制備SiO₂納米膜時的濺射時間為60～600s，優(yōu)選500-600s，例如550s。

本發(fā)明針身絕緣鋼針的制備方法具有簡便、易操控、成功率高等特點，制備出的鋼針針身絕緣性能良好且穩(wěn)定，兼具延展性和粘附性好的特點，能夠滿足精準(zhǔn)對穴位不同層次行電刺激針灸技術(shù)的需求。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針的示意圖；

圖2是圖1所示的針身絕緣鋼針沿A-A方向的截面圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明進一步詳細(xì)說明。但本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉，本發(fā)明并不局限于以下實施例。

如圖1、2所示，本發(fā)明的用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針包括鋼針本體1、CuO納米膜2和SiO₂納米膜3，CuO納米膜和SiO₂納米膜順序覆蓋在鋼針本體除兩端之外的針身11上。所述的CuO納米膜2的厚度為10～30nm，所述的SiO₂納米膜3的厚度為20～150nm。由于CuO和SiO₂材料的導(dǎo)電性極差，因此能夠用作本發(fā)明的絕緣層材料。采用納米膜能夠進一步的提高各材料的分布，能夠使得絕緣性能更為穩(wěn)定。本發(fā)明在鋼針本體兩端未覆蓋CuO納米膜和SiO₂納米膜，從而可以在鋼針本體一端12施加外加電流，通過鋼針尖端13對穴位不同層次行電刺激。

以下對本發(fā)明的用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針的制造方法進行說明。

實施例1

將清潔后的鋼針本體固定于磁控濺射儀中的樣品板上，將CuO和SiO₂靶材分別置于磁控濺射儀中的2個靶腔中，鋼針本體與CuO和SiO₂靶材之間的距離均為300mm，磁控濺射儀中的主控室的壓力為1×10^-6Pa，對鋼針本體兩端采用遮蔽處理，使得CuO和SiO₂靶材不會濺射到鋼針本體兩端。首先，在鋼針上濺射制備得到CuO納米膜，磁控濺射儀的工作條件為：在氬氣保護下，工作壓力為0.5Pa，直流電功率為100W，濺射溫度為40℃，濺射時間為50s；然后，立即在表面已覆蓋CuO納米膜的鋼針上濺射制備得到SiO₂納米膜，磁控濺射儀的工作條件為：在氬氣保護下，工作壓力為1Pa，直流電功率為80W，濺射溫度為40℃，濺射時間為550s。

從而最終得到本發(fā)明的用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針，在鋼針本體的針身表面覆蓋有厚度為10nm的CuO納米膜，在CuO納米膜外側(cè)覆蓋有厚度為50nm的SiO₂納米膜。

實施例2

將清洗后的鋼針固定于磁控濺射儀中的樣品板上，將CuO和SiO₂靶材分別置于磁控濺射儀中的2個靶腔中，鋼針本體與CuO和SiO₂靶材之間的距離均為300mm，磁控濺射儀中的主控室的壓力為5×10^-6Pa，對鋼針本體兩端采用遮蔽處理，使得CuO和SiO₂靶材不會濺射到鋼針本體兩端。首先，在鋼針上濺射制備得到CuO納米膜，磁控濺射儀的工作條件為：在氬氣保護下，工作壓力為0.5Pa，直流電功率為120W，濺射溫度為40℃，濺射時間為82s；然后，立即在表面已覆蓋CuO納米膜的鋼針上濺射制備得到SiO₂納米膜，磁控濺射儀的工作條件為：在氬氣保護下，工作壓力為1Pa，直流電功率為95W，濺射溫度為40℃，濺射時間為600s。

從而最終得到本發(fā)明的用于行電刺激針灸技術(shù)的針身絕緣鋼針，在鋼針本體的針身表面覆蓋有厚度為16nm的CuO納米膜，在CuO納米膜外側(cè)覆蓋有厚度為90nm的SiO₂納米膜。

以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明。但是，本發(fā)明不限定于上述實施方式。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。