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      一種基于自生長(zhǎng)電鍍的實(shí)心微針制備方法與流程

      文檔序號(hào):11094819閱讀:796來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于自生長(zhǎng)電鍍的實(shí)心微針制備方法與制造工藝

      技術(shù)領(lǐng)域

      本發(fā)明涉及的是一種生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的裝置,尤其涉及的是一種基于自生長(zhǎng)電鍍的實(shí)心微針制備方法。



      背景技術(shù):

      近年來(lái),經(jīng)皮給藥技術(shù)作為一種新型的藥物經(jīng)皮給藥方式日益引起人們的重視,特別是以微針作為藥物載體的經(jīng)皮給藥方式最實(shí)用。目前研制的微針多是由微機(jī)械加工方法制備,但其制備工藝需要多道微加工工藝,工藝復(fù)雜,制備周期長(zhǎng),成本較高。

      經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)的檢索發(fā)現(xiàn),Raffaele Vecchione, Sara Coppola等Advanced functional materials (2014) pp3515-3523 撰文 “Electro-Drawn Drug-Loaded Biodegradable Polymer Microneedles as a Viable Route to Hypodermic Injection” (“電生長(zhǎng)制備生物可降解的載藥微針作為一種可行的皮下注射方式”《先進(jìn)功能材料》)。該文獻(xiàn)中提及的加工微針陣列的方法是采用激光切割制作微針陣列:(1)在鉭酸鋰基底上PLGA水滴由PDMS倒模成型;(2)在電場(chǎng)中生長(zhǎng)PLGA水滴使之形成微針;(3)生物可降解的微針釋放。然而該方法采用鉭酸鋰、PLGA等材料加工微針陣列,成本較高、效率低,工藝較復(fù)雜。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,提供一種基于自生長(zhǎng)電鍍的實(shí)心微針制備方法,制備得到具有尖銳針尖的實(shí)心微針,由此微針組成的微針陣列具有很好的強(qiáng)度及韌性,易于刺入皮膚;同時(shí)本制備過(guò)程簡(jiǎn)單,制備周期短,成本低且便于普及。

      本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的,首先硅晶圓片上濺射電鍍種子層,然后旋涂光刻膠,接著光刻以顯影出自生長(zhǎng)電鍍微針的微方塊及針尖塊,然后去除光刻膠及不需要的種子層,最后通過(guò)電鍍的方法使得微方塊及針尖塊連接為一體形成所需微針。

      本發(fā)明包括以下步驟:

      第一步、硅片單面濺射鉻銅種子層;

      第二步、將光刻膠旋涂于硅片的鉻銅種子層上;

      第三步、用特定形狀的掩膜圖形化光刻膠,得到有間隔的電鍍微方塊及針尖塊;

      所述的間隔是指相鄰兩個(gè)微方塊的邊緣間距從10~100um變化;

      所述的特定形狀為方形、圓形或?yàn)樘菪危?/p>

      所述的針尖塊為尖銳的三角形塊或錐形塊;

      第四步、電鍍,使得絕緣斷開(kāi)的每個(gè)微方塊及針尖塊連接為一體,得到具有尖銳針尖的實(shí)心微針;

      第五步、去掉硅基底及種子層微方塊,釋放得到尖銳的實(shí)心微針。

      本發(fā)明采用簡(jiǎn)單的光刻與電鍍結(jié)合制備實(shí)心微針,與現(xiàn)有技術(shù)相比,其優(yōu)點(diǎn)在于:采用光刻與電鍍的方法制備實(shí)心微針,方法簡(jiǎn)單,成本低;通過(guò)微方塊的間距及電鍍金屬的厚度,可有效控制微針的大?。煌ㄟ^(guò)末端的針尖快形貌形成尖銳的針尖,所得到的針尖極易刺入皮膚。

      附圖說(shuō)明

      圖1為掩膜的形狀;

      其中:a為方形微方塊掩膜,b為圓形微方塊掩膜,c為梯形微方塊掩膜;

      圖2為本發(fā)明工藝流程圖;

      其中:a為普通硅片準(zhǔn)備,b為在硅片上濺射種子層,c為在種子層上旋涂光刻膠,d為圖形化光刻膠形成電鍍微方塊,e為在微方塊上電鍍金屬,f為去掉光刻膠、硅基片、種子層微方塊后,釋放得到的尖銳實(shí)心微針;1為硅、2為鉻銅種子層、3為光刻膠、4為金屬層;

      圖3為加工出的微針組成的微針陣列圖。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明:本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施,給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程,但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。

      實(shí)施例1:

      1.500μm厚、直徑為75mm的普通硅片在180℃烘箱里烘3個(gè)小時(shí),如圖2a所示;

      2.單面濺射鉻銅種子層,如圖2b所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層;

      3.硅片單面旋涂光刻膠,旋涂厚度5μm,如圖2c所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠;

      4.用有一定間隔的、依次縮小的方形微方塊掩膜(圖1a)曝光光刻膠,最大方形微方塊掩膜尺寸為200x200μm,最小方形微方塊掩膜尺寸為10x10μm,尖端為尖銳的三角形針尖塊,相鄰的方形掩膜邊緣間距為 50μm。90℃升溫25分鐘,恒溫30分鐘烘干光刻膠,然后顯影光刻膠,去除多余的光刻膠及種子層以得到電鍍微方塊及針尖塊,電鍍微方塊及針尖塊由鉻銅種子層組成,如圖2d所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠;

      5.電鍍金屬鎳50μm,使得絕緣孤立的每個(gè)微方塊及針尖塊連接為一體,得到實(shí)心微針。如圖2e所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠,4為金屬鎳;

      6.去掉硅基底、種子層微方塊,釋放得到實(shí)心微針,如圖2f所示。最后加工出的微針組成的陣列形狀如圖3所示。

      實(shí)施例2:

      1.500μm厚、直徑為100mm的普通硅片在180℃烘箱里烘3個(gè)小時(shí),如圖2a所示;

      2.單面濺射鉻銅種子層,如圖2b所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層;

      3.硅片單面旋涂光刻膠,旋涂厚度5μm,如圖2c所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠;

      4.用有一定間隔的、依次縮小的圓形微方塊掩膜(圖1b)曝光光刻膠,最大圓形微方塊掩膜直徑為200μm,最小圓形微方塊掩膜直徑為10μm,尖端為尖銳的三角形針尖塊,相鄰的方形掩膜邊緣間距為 50μm。90℃升溫25分鐘,恒溫30分鐘烘干光刻膠,然后顯影光刻膠,去除多余的光刻膠及種子層以得到電鍍微方塊及針尖塊,電鍍微方塊及針尖塊由鉻銅種子層組成,如圖2d所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠;

      5.電鍍金屬鎳50μm,使得絕緣孤立的每個(gè)微方塊及針尖塊連接為一體,得到實(shí)心微針。如圖2e所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠,4為金屬鎳;

      6.去掉硅基底、種子層微方塊,釋放得到實(shí)心微針,如圖2f所示。最后加工出的微針組成的陣列形狀如圖3所示。

      實(shí)施例3:

      1.500μm厚、直徑為100mm的普通硅片在180℃烘箱里烘3個(gè)小時(shí),如圖2a所示;

      2.單面濺射鉻銅種子層,如圖2b所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層;

      3.硅片單面旋涂光刻膠,旋涂厚度5μm,如圖2c所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠;

      4.用有一定間隔的、依次縮小的等腰梯形微方塊掩膜曝(圖1c)光光刻膠,最大梯形微方塊掩膜上底邊長(zhǎng)為200μm、下底為邊長(zhǎng)為100μm、梯形角為45°,最小梯形微方塊掩膜上底邊長(zhǎng)為20μm、下底為邊長(zhǎng)為10μm、梯形角為45°,尖端為尖銳的三角形針尖塊,相鄰的等腰梯形掩膜邊緣間距為 50μm。90℃升溫25分鐘,恒溫30分鐘烘干光刻膠,然后顯影光刻膠,去除多余的光刻膠及種子層以得到電鍍微方塊及針尖塊,電鍍微方塊及針尖塊由鉻銅種子層組成,如圖2d所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠;

      5.電鍍金屬鎳50μm,使得絕緣孤立的每個(gè)微方塊及針尖塊連接為一體,得到實(shí)心微針。如圖2e所示,其中1為硅,2為鉻銅種子層,3為光刻膠,4為金屬鎳;

      6.去掉硅基底、種子層微方塊,釋放得到實(shí)心微針,如圖2f所示。最后加工出的微針組成的陣列形狀如圖3所示。

      采用此方法能制備得到具有尖銳針尖的金屬實(shí)心微針,尖銳的金屬針尖使得微針在刺入皮膚時(shí)受到的阻力較小,改善了微針的刺入性,。同時(shí)本發(fā)明制備過(guò)程簡(jiǎn)單,采用自生長(zhǎng)電鍍的方法制備實(shí)心微針,成本低且便于普及。

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