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      一種在醫(yī)用材料表面上制備抗菌表面的方法與流程

      文檔序號(hào):12766316閱讀:414來(lái)源:國(guó)知局
      一種在醫(yī)用材料表面上制備抗菌表面的方法與流程

      本發(fā)明涉及醫(yī)用材料,特別涉及一種在醫(yī)用材料表面上制備抗菌表面的方法。



      背景技術(shù):

      我們的健康受到一些微生物威脅,抗菌材料在日常生活中也變得非常重要。隨著社會(huì)健康意識(shí)的提高,植入體材料的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,由細(xì)菌引起的植入體感染問(wèn)題也越來(lái)越受人們重視。盡管材料的無(wú)菌處理和術(shù)前抗生素的使用能一定程度減少該類感染的發(fā)生,但仍有4%-6%的患者在植入初期因細(xì)菌感染而引起植入體失效,給患者帶來(lái)巨大的痛苦和經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)。在中國(guó),該類感染臨床發(fā)生率更是高達(dá)15%。因此,植入體材料不僅要求要有良好的生物相容性,還需要具備必要的抗菌能力。硅材料由于表面規(guī)整度較好,特異性吸附少,廣泛用于表面改性模型的構(gòu)建。

      植入體材料的細(xì)菌感染難以治愈的問(wèn)題決定了對(duì)于植入體的細(xì)菌感染,要采取預(yù)防大于救治的措施。即植入體材料在具備優(yōu)異的組織相容性和生物相容性的同時(shí),還要具備優(yōu)異的抗菌性能。為了提高植入體材料的抗菌性能,對(duì)材料進(jìn)行表面改性,在其表面利用各種抗菌劑構(gòu)建抗菌型表面是一種有效的方法。目前臨床常用的抗菌劑包括離子型抗菌劑,如磺胺嘧啶銀等;以及抗生素類抗菌劑,如四環(huán)素和萬(wàn)古霉素等。盡管添加這些抗菌劑的材料具有很強(qiáng)的抗菌性能,銀離子的細(xì)胞毒性較大,抗生素類則易使細(xì)菌對(duì)抗生素產(chǎn)生耐藥性,耐藥性的細(xì)菌已經(jīng)成為目前臨床面臨的一大挑戰(zhàn)。這些問(wèn)題使得這些抗菌劑在臨床上應(yīng)用存在一定的限制,人們迫切需要一種新型的抗菌劑。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了克服現(xiàn)有技術(shù)中在醫(yī)用材料表面引入的抗粘附聚合物層和抗菌劑,但抗粘附能力和殺菌能力相互影響從而影響表面抗菌能力,以及多肽類抗菌劑自身不穩(wěn)定的問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種在醫(yī)用材料表面上制備抗菌表面的方法,避免了性能相互干擾,而且改善了抗菌劑在體內(nèi)被酶降解的問(wèn)題,獲得更優(yōu)異的長(zhǎng)效抗菌性能。

      本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

      一種在醫(yī)用材料表面上制備抗菌表面的方法,包括以下步驟:

      (1)對(duì)醫(yī)用材料表面進(jìn)行氧等離子體預(yù)處理后,在醫(yī)用材料表面進(jìn)行化學(xué)接枝氨基硅烷,然后將表面接枝節(jié)氨基硅烷的醫(yī)用材料與?;衔锓磻?yīng),制得原子轉(zhuǎn)移自由基聚合的引發(fā)劑修飾表面的醫(yī)用材料;

      (2)將步驟(1)得到引發(fā)劑修飾表面的醫(yī)用材料置于抗粘附單體自由基聚合混合溶液中進(jìn)行接枝聚合反應(yīng),制得抗粘附聚合物刷修飾表面的醫(yī)用材料;

      (3)將步驟(2)得到的抗粘附聚合物刷修飾表面的醫(yī)用材料置于含疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,制得疊氮化表面的醫(yī)用材料;

      (4)將步驟(3)制備的疊氮化表面的醫(yī)用材料,置于抗菌劑的點(diǎn)擊溶液中,進(jìn)行點(diǎn)擊反應(yīng),得到抗粘附聚合物層和抗菌劑層共修飾的抗菌表面。

      步驟(1)所述氧等離子體預(yù)處理,具體為:

      對(duì)醫(yī)用材料表面進(jìn)行氧等離子體預(yù)處理,工作參數(shù)為功率20-600W,壓強(qiáng)20-120Pa,氣體流速2-300ml/min,溫度10-50℃,時(shí)間2-10min。

      步驟(1)所述在醫(yī)用材料表面進(jìn)行化學(xué)接枝氨基硅烷,具體為:

      將預(yù)處理后的醫(yī)用材料浸入氨基硅烷的乙醇溶液中,反應(yīng)5-24h;其中,氨基硅烷的乙醇溶液中,氨基硅烷的體積濃度為1-20%,溫度10-40℃;

      所述氨基硅烷為3-氨基丙基三乙氧基硅烷、11-氨基十一烷基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、N-氨乙基-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷中的一種或多種。

      步驟(1)將接表面枝節(jié)氨基硅烷的醫(yī)用材料與酰基化合物反應(yīng),具體為:

      將表面接枝節(jié)氨基硅烷的醫(yī)用材料浸入?;衔锏亩燃淄槿芤褐?,時(shí)間為0.5-24h;其中酰基化合物的二氯甲烷溶液中,?;衔锏捏w積濃度為2-10%,縛酸劑體積濃度4-20%;

      所述?;衔餅?-溴異丁酰溴、2-溴丙酰溴、4-溴丁基氯酸、3-氯丙酰氯、4-氯戊酰氯中的一種或多種,縛酸劑為三乙胺、吡啶、N,N-二異丙基乙胺中一種或多種。

      步驟(2)所述將步驟(1)得到引發(fā)劑修飾表面的醫(yī)用材料置于抗粘附單體自由基聚合混合溶液中進(jìn)行接枝聚合反應(yīng),具體為:

      將步驟(1)得到引發(fā)劑修飾表面的醫(yī)用材料置于原子轉(zhuǎn)移自由基聚合混合溶液中進(jìn)行接枝聚合反應(yīng);其中,混合溶液中水、甲醇體積比為1:0.5-1:3,抗粘附單體的質(zhì)量濃度為2-20%,銅化合物的質(zhì)量濃度為0.1%-1.2%,配體質(zhì)量濃度為0.3%-3.6%,反應(yīng)時(shí)間為0.5-24h,溫度為10-50℃;

      所述抗粘附單體為丙烯酰氧基磷酸膽堿、甲基丙烯酰氧基磷酸膽堿、丙烯酰胺基磷酸膽堿、甲基丙烯酰胺基磷酸膽堿、丙烯酰氧基磺酸甜菜堿、甲基丙烯酰氧基磺酸甜菜堿、丙烯酰胺基磺酸甜菜堿、甲基丙烯酰胺基磺酸甜菜堿、丙烯酰氧基羧酸甜菜堿、丙烯酰胺基羧酸甜菜堿、甲基丙烯酰胺基羧酸甜菜堿、乙烯基吡咯烷酮中的一種或多種。

      步驟(3)所述將步驟(2)得到的抗粘附聚合物刷修飾表面的醫(yī)用材料置于含疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,制得疊氮化表面的醫(yī)用材料,具體為:

      將步驟(2)得到的抗粘附聚合物刷修飾表面的醫(yī)用材料置于含疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,反應(yīng)4-24h,制得疊氮化表面的醫(yī)用材料;

      其中疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,疊氮化合物質(zhì)量濃度為0.5-5%,溫度40-80℃;

      所述疊氮化合物為疊氮化鈉、疊氮化鋰中的一種或兩種。

      步驟(4)將步驟(3)制備的疊氮化表面的醫(yī)用材料,置于抗菌劑的點(diǎn)擊溶液中,進(jìn)行點(diǎn)擊反應(yīng),具體為:

      將步驟(3)制備的疊氮化表面的醫(yī)用材料,置于抗菌劑的點(diǎn)擊溶液中,進(jìn)行點(diǎn)擊反應(yīng),反應(yīng)時(shí)間1-5h,反應(yīng)溫度為溫度20-50℃;

      所述抗菌劑的點(diǎn)擊溶液中,抗菌劑濃度為20-300μM,銅化合物濃度為0.5-5μM,配體濃度為5-50μM,抗壞血酸濃度為25-250μM;反應(yīng)溫度20-50℃,時(shí)間1-5h。

      所述銅化合物為CuCl、CuSO4、CuCl2、CuBr、CuBr2中的一種或多種。

      所述配體為2,2'-聯(lián)吡啶、四甲基乙二胺、五甲基二亞乙基三胺、六甲基三亞乙基四胺、三(N,N-二甲基胺基乙基)胺、N,N,N’,N”,N”-五甲基二乙烯基三胺、三[2-(二甲胺基)乙基]胺中的一種或多種。

      所述抗菌劑為抗菌多肽,序列為Pra-Lys-Arg-Trp-Trp-Lys-Trp-Trp-Arg-Arg或Pra-Arg-Arg-Trp-Trp-Lys-Trp-Trp-Arg-Lys。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:

      本發(fā)明通過(guò)在醫(yī)用材料表面引入原子轉(zhuǎn)移自由基聚合引發(fā)劑,先接枝抗粘附聚合物,再引入疊氮基,最后通過(guò)點(diǎn)擊反應(yīng)引入抗菌劑,從而在材料表面制備了抗粘附聚合物底層和抗菌劑上層雙層雙功能抗菌表面。由于抗粘附聚合物與抗菌劑位于不同接枝層內(nèi),不僅避免了性能相互干擾,而且改善了抗菌劑在體內(nèi)被酶降解的問(wèn)題,抗粘附聚合物與抗菌劑的協(xié)同作用賦予表面更優(yōu)異的長(zhǎng)效抗菌性能,并會(huì)減輕殺菌層對(duì)血液和體細(xì)胞的不良影響,可獲得優(yōu)良的生物相容性。本發(fā)明解決了由醫(yī)療器械引發(fā)的院內(nèi)感染問(wèn)題。

      附圖說(shuō)明

      圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的在硅片表面上制備抗菌表面的方法的過(guò)程示意圖。

      圖2為未經(jīng)處理的硅基底表面的水接觸角。

      圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的步驟(3)得到的抗粘附聚合物刷修飾表面的硅基底表面的水接觸角。

      圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面水接觸角。

      圖5為未經(jīng)處理的硅基底表面的表面形貌。

      圖6為本發(fā)明的實(shí)施例1制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的表面形貌。

      圖7為本發(fā)明的實(shí)施例1制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的X射線光電子能譜中C元素的分峰。

      圖8為本發(fā)明的實(shí)施例1制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的X射線光電子能譜中N元素的分峰。

      圖9為106CFU/ml細(xì)菌在未經(jīng)處理的硅基底表面培養(yǎng)2.5小時(shí)后細(xì)菌滋生情況。

      圖10為106CFU/ml細(xì)菌在本發(fā)明的實(shí)施例1制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面培養(yǎng)2.5小時(shí)后細(xì)菌滋生情況。

      圖11為比較例1和實(shí)施例1的樣品用1mg/ml胰蛋白酶處理1,3,5分鐘后表面的抗菌性能。

      圖12為比較例1制備的樣品表面的水接觸角。

      圖13為比較例1制備的樣品表面的表面形貌。

      圖14為比較例1制備的樣品表面的X射線光電子能譜中C元素的分峰。

      圖15為比較例1制備的樣品表面的X射線光電子能譜中N元素的分峰。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

      實(shí)施例1

      如圖1所示,本實(shí)施例的在硅片表面上制備抗菌表面的方法,包括以下步驟:

      (1)對(duì)硅基底表面進(jìn)行氧等離子體預(yù)處理,工作參數(shù)為功率100W,壓強(qiáng)20Pa,氣體流速300ml/min,溫度30℃,時(shí)間5min;將預(yù)處理后的硅基底浸入3-氨基丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中,在硅基底表面進(jìn)行化學(xué)接枝氨基硅烷,反應(yīng)溫度30℃,時(shí)間5h;其中,3-氨基丙基三乙氧基硅烷體積濃度為2%。

      (2)將表面接枝氨基硅烷的硅基底浸入?;衔锏亩燃淄槿芤褐校c?;衔锓磻?yīng),溫度為20℃,時(shí)間為3h,制得原子轉(zhuǎn)移自由基聚合引發(fā)劑修飾表面的硅基底表面;?;衔锏亩燃淄槿芤褐校?-溴異丁酰溴的體積濃度為2%,三乙胺體積濃度為4%。

      (3)將引發(fā)劑修飾表面的硅基底置于原子自由基聚合混合溶液中進(jìn)行接枝聚合反應(yīng),時(shí)間為2h,溫度為25℃,得到抗粘附聚合物刷修飾表面的硅基底表面;混合溶液中水、甲醇體積比為1:1,混合溶液中的甲基丙烯酰氧基磺酸甜菜堿單體水溶液的質(zhì)量濃度為5%,溴化銅的質(zhì)量濃度為0.3%,2,2'-聯(lián)吡啶質(zhì)量濃度為0.9%。

      (4)將抗粘附聚合物刷修飾表面的硅基底置于含疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,制得疊氮化表面的硅基底;疊氮化的反應(yīng)條件為:疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,疊氮化鈉質(zhì)量濃度為5%,溫度40℃,時(shí)間8h,制得末端疊氮化抗粘附聚合物修飾的表面。

      (5)將所述疊氮化表面的醫(yī)用材料經(jīng)清洗后,置于抗菌劑(序列為Pra-Lys-Arg-Trp-Trp-Lys-Trp-Trp-Arg-Arg)的點(diǎn)擊溶液中進(jìn)行點(diǎn)擊反應(yīng),溫度37℃,時(shí)間2h,制得抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面;點(diǎn)擊液中,抗菌劑濃度為100μM,硫酸銅濃度為1μM,配體三[2-(二甲胺基)乙基]胺濃度為10μM,抗壞血酸鈉濃度為50μM。

      未經(jīng)處理的硅基底表面的水接觸角如圖2所示,本實(shí)施例的步驟(3)得到的抗粘附聚合物刷修飾表面的硅基底表面的水接觸角如圖3所示。本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面水接觸角如圖4所示。由圖2~4可知,經(jīng)過(guò)各步驟處理后的接觸角有明顯的變化,說(shuō)明抗粘附聚合物及抗菌劑的成功接枝。

      未經(jīng)處理的硅基底表面的表面形貌如圖5所示,本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的表面形貌如圖6示。由圖5~6可知,經(jīng)過(guò)各步驟處理后的表面形貌有明顯的變化,說(shuō)明抗粘附聚合物及抗菌劑的成功接枝。

      本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的X射線光電子能譜中C元素的分峰如圖7所示,N元素的分峰如圖8所示??芍?,抗粘附聚合物與抗菌劑均成功接枝到表面。

      106CFU/ml細(xì)菌在未經(jīng)處理的硅基底表面和在本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面培養(yǎng)2.5小時(shí)后細(xì)菌滋生情況分別如圖9~圖10所示。

      本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面用1mg/ml胰蛋白酶處理1,3,5分鐘后表面的抗菌性能如圖11所示。

      比較例1

      本比較例除未進(jìn)行步驟(3)外,其他步驟均與實(shí)施例1同。

      本比較例制備的樣品表面的水接觸角如圖12所示,表面形貌如圖13所示,用1mg/ml胰蛋白酶處理1,3,5分鐘后表面的抗菌性能如圖11所示;X射線光電子能譜中C元素的分峰如圖14所示,N元素的分峰如圖15所示。

      對(duì)比實(shí)施例與比較例1,可知抗菌劑成功接枝到表面,但實(shí)施例中的抗菌劑接枝量小于比較例1,實(shí)施例具有更好的抗菌性能,同時(shí)也具有更好的抗酶解能力。

      實(shí)施例2

      本實(shí)施例的醫(yī)用鈦表面上制備抗菌表面的方法,包括以下步驟:

      (1)對(duì)醫(yī)用鈦表面進(jìn)行氧等離子體預(yù)處理,工作參數(shù)為功率50W,壓強(qiáng)30Pa,氣體流速30ml/min,溫度30℃,時(shí)間3min;將預(yù)處理后的醫(yī)用鈦表面浸入3-氨基丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中,在醫(yī)用鈦表面接枝氨基硅烷的反應(yīng)條件:3-氨基丙基三乙氧基硅烷體積濃度為8%,溫度25℃,時(shí)間1h。

      (2)將接枝節(jié)氨基硅烷表面的醫(yī)用鈦浸入酰基化合物的二氯甲烷溶液中,與?;衔锓磻?yīng),制得原子轉(zhuǎn)移自由基聚合的引發(fā)劑修飾表面的硅基底表面;反應(yīng)的條件為:2-溴丙酰溴體積濃度為8%,三乙胺體積濃度為16%,溫度為20℃,時(shí)間為1h。

      (3)將引發(fā)劑修飾表面的醫(yī)用鈦置于原子自由基聚合混合溶液中進(jìn)行接枝聚合反應(yīng),混合溶液為水、甲醛體積比1:05,甲基丙烯酰胺基羧酸甜菜堿單體水溶液的質(zhì)量濃度為10%,溴化銅的質(zhì)量濃度為0.6%,2,2'-聯(lián)吡啶質(zhì)量濃度為1.8%,時(shí)間為0.5h,溫度為37℃;疊氮化的反應(yīng)條件為:疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,疊氮化鈉質(zhì)量濃度為2%,溫度70℃,時(shí)間8h,制得末端疊氮化抗粘附聚合物修飾的表面。

      (4)將所述疊氮化表面的醫(yī)用材料經(jīng)清洗后,置于抗菌劑(Pra-Arg-Arg-Trp-Trp-Lys-Trp-Trp-Arg-Lys)的點(diǎn)擊溶液中,進(jìn)行點(diǎn)擊反應(yīng),抗菌劑濃度為200μM,氯化鈉濃度為2μM,配體五甲基二亞乙基三胺濃度為20μM,抗壞血酸濃度為100μM,溫度25℃,時(shí)間4h,制得抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面。

      本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的測(cè)試結(jié)果與實(shí)施例1類似,在此不再贅述。

      實(shí)施例3

      本實(shí)施例的醫(yī)用鈦表面上制備抗菌表面的方法,包括以下步驟:

      (1)對(duì)醫(yī)用鈦表面進(jìn)行氧等離子體預(yù)處理,工作參數(shù)為功率400W,壓強(qiáng)60Pa,氣體流速250ml/min,溫度30℃,時(shí)間10min;將預(yù)處理后的醫(yī)用鈦表面浸入3-氨基丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中,在醫(yī)用鈦表面接枝氨基硅烷,反應(yīng)條件:3-氨基丙基三乙氧基硅烷體積濃度為8%,溫度25℃,時(shí)間0.5h。

      (2)將表面接枝節(jié)氨基硅烷的醫(yī)用鈦浸入?;衔锏娜芤褐校c?;衔锓磻?yīng),制得原子轉(zhuǎn)移自由基聚合引發(fā)劑修飾表面的硅基底表面;反應(yīng)條件為:2-溴異丁酰溴的體積濃度為8%,三乙胺體積濃度為16%,溫度為25℃,時(shí)間為0.5h;

      (3)將引發(fā)劑修飾表面的醫(yī)用鈦置于原子自由基聚合混合溶液中進(jìn)行接枝聚合反應(yīng),混合溶液為水、甲醇體積比1:3,的丙烯酰氧基羧酸甜菜堿單體質(zhì)量濃度為2%,溴化銅的質(zhì)量濃度為0.2%,2,2'-聯(lián)吡啶質(zhì)量濃度為0.6%,時(shí)間為18h,溫度為20℃;疊氮化的反應(yīng)條件為:疊氮化合物的二甲基甲酰胺溶液中,疊氮化鋰的質(zhì)量濃度為1%,溫度50℃,時(shí)間18h,制得末端疊氮化抗粘附聚合物修飾的表面。

      (4)將所述疊氮化表面的醫(yī)用材料經(jīng)清洗后,置于抗菌劑的點(diǎn)擊溶液中點(diǎn)擊反應(yīng),抗菌劑濃度為50μM,硫酸銅濃度為1μM,配體三[2-(二甲胺基)乙基]胺濃度為10μM,抗壞血酸濃度為50μM,溫度37℃,時(shí)間3h,制得抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面。

      本實(shí)施例制備的抗粘附聚合物刷底層和抗菌劑上層雙層共修飾的抗菌表面的測(cè)試結(jié)果與實(shí)施例1類似,在此不再贅述。

      本發(fā)明的氨基硅烷還可為3-氨基丙基三乙氧基硅烷、11-氨基十一烷基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、N-氨乙基-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷中的一種或多種。

      本發(fā)明的?;衔镞€可為2-溴異丁酰溴、2-溴丙酰溴、4-溴丁基氯酸、3-氯丙酰氯、4-氯戊酰氯中的一種或多種,縛酸劑為三乙胺、吡啶、N,N-二異丙基乙胺中一種或多種。

      本發(fā)明的抗粘附單體還可為丙烯酰氧基磷酸膽堿、甲基丙烯酰氧基磷酸膽堿、丙烯酰胺基磷酸膽堿、甲基丙烯酰胺基磷酸膽堿、丙烯酰氧基磺酸甜菜堿、甲基丙烯酰氧基磺酸甜菜堿、丙烯酰胺基磺酸甜菜堿、甲基丙烯酰胺基磺酸甜菜堿、丙烯酰氧基羧酸甜菜堿、丙烯酰胺基羧酸甜菜堿、甲基丙烯酰胺基羧酸甜菜堿、乙烯基吡咯烷酮中的一種或多種。

      本發(fā)明的銅化合物還可為CuCl、CuSO4、CuCl2、CuBr、CuBr2中的一種或多種。

      本發(fā)明的配體還可為2,2'-聯(lián)吡啶、四甲基乙二胺、五甲基二亞乙基三胺、六甲基三亞乙基四胺、三(N,N-二甲基胺基乙基)胺、N,N,N’,N”,N”-五甲基二乙烯基三胺、三[2-(二甲胺基)乙基]胺中的一種或多種。

      上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制,其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化,均應(yīng)為等效的置換方式,都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

      SEQUENCE LISTING

      <110> 華南理工大學(xué)

      <120> 一種在醫(yī)用材料表面上制備抗菌表面的方法

      <130> 1

      <160> 2

      <170> PatentIn version 3.5

      <210> 1

      <211> 30

      <212> PRT

      <213> Artificial Sequence

      <220>

      <223> 1

      <400> 1

      Pro Arg Ala Leu Tyr Ser Ala Arg Gly Thr Arg Pro Thr Arg Pro Leu

      1 5 10 15

      Tyr Ser Thr Arg Pro Thr Arg Pro Ala Arg Gly Ala Arg Gly

      20 25 30

      <210> 2

      <211> 30

      <212> PRT

      <213> Artificial Sequence

      <220>

      <223> 2

      <400> 2

      Pro Arg Ala Ala Arg Gly Ala Arg Gly Thr Arg Pro Thr Arg Pro Leu

      1 5 10 15

      Tyr Ser Thr Arg Pro Thr Arg Pro Ala Arg Gly Leu Tyr Ser

      20 25 30

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