例提供的腦損傷治療儀的治療效果。在相同的刺激時間和功率下刺激，采用不對稱電場治療效果，相對于均勻電場約提高5%至20%。較佳時:直流電刺激(100 μ A) 42天，每天刺激I小時，負極面積為225mm2，正極面積為2025mm2，負極電極置于腦缺血損傷區(qū)顱外側(cè)，正極放置于對側(cè)顱外且錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)，正、負電極均直接接觸顱外皮膚。如圖2所示，用尼氏染色存活神經(jīng)元發(fā)現(xiàn)直流電刺激導(dǎo)致存活神經(jīng)元顯著多于未接受直流電刺激的腦缺血大鼠(n = 6 ;*p〈0.05vs.無直流電刺激組)，表明直流電刺激可減輕缺血區(qū)腦損傷。
[0032]實施例2
[0033]一種腦損傷治療儀，包括數(shù)對不對稱電極、頭盔、控制器和電源。
[0034]所述頭盔用于固定電極，使其不直接接觸顱外皮膚。
[0035]所述多對不對稱電極，為非接觸式點陣電極，通過調(diào)節(jié)點陣電極中個點的極性和通斷形成錐形電場，其負極面積小于正極。通過調(diào)節(jié)，控制負極面積在25mm2至2500mm2之間，正極面積在25mm2至1000mm 2之間，正極面積為負極面積的100倍以下，所述正極和負極電位差可調(diào)，在IV至250V之內(nèi)，電極之間的距離在150mm至300mm之間。
[0036]所述不對稱電極與頭盔通過通斷，控制點陣電極相對位置，實現(xiàn)可活動連接，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)、正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。所述控制器設(shè)置在所述電源與所述不對稱電極之間，用于控制不對稱電極電位以及所述不對稱電極負極和正極的面積之比，從而形成錐形電場；所述電源為交流電源，同時將交流電轉(zhuǎn)換成直流電。
[0037]所述控制器可根據(jù)腦損傷情況，通過控制點陣電極、面陣電極或電磁感應(yīng)圈各單元的通斷控制不對稱電極的負極與其正極的面積比，同時還可控制不對稱電極的電位，形成相應(yīng)強度和大小的錐形電場。
[0038]采用Sprague Dawley大鼠腦缺血模型，驗證本實施例提供的腦損傷治療儀的治療效果。在相同的刺激時間和功率下刺激，采用不對稱電場治療效果，相對于均勻電場約提高8%至37%。較佳時:電場刺激(40伏)42天，每天刺激I小時，負極面積為225mm2，正極面積為2025mm2，負極電極置于腦缺血損傷區(qū)顱外側(cè)，正極放置于對側(cè)顱外且錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)，正、負電極均不直接接觸顱外皮膚，電極與顱外皮膚之間距離為6cm，換算成人腦距離約為18cm。如圖3所示，用尼氏染色存活神經(jīng)元發(fā)現(xiàn)電場刺激導(dǎo)致存活神經(jīng)元顯著多于未接受電場刺激的腦缺血大鼠(n = 6 ；*p<0.05vs.無電場刺激組)，表明電場刺激可減輕缺血區(qū)腦損傷。
[0039]實施例3
[0040]一種腦損傷治療儀，包括一對不對稱電極、頭盔、控制器、電源和實時腦掃描成像系統(tǒng)。
[0041 ] 所述頭盔用于固定電極，使其直接或不直接接觸顱外皮膚。
[0042]所述不對稱電極，用于形成錐形電場，其負極面積小于正極。其中不對稱電極，為非接觸式電極的電磁感應(yīng)圈，正負極面積可調(diào)，所述負極面積在25mm2至2500mm2之間，所述正極面積優(yōu)選在25mm2至1000mm2之間，電極之間的距離在150mm至300mm之間，負極比正極面積小于或等于100倍，所述正極和負極電位差在I伏至250伏之間。
[0043]所述不對稱電極與頭盔通過貼片連接，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)、正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。所述控制器設(shè)置在所述電源與所述不對稱電極之間，用于控制不對稱電極電位以及所述不對稱電極負極和正極的面積之比，從而形成錐形電場；所述電源為直流電源。所述控制器可根據(jù)腦損傷情況，通過控制點陣電極、面陣電極或電磁感應(yīng)圈各單元的通斷控制不對稱電極的負極與其正極的面積比，同時還可控制不對稱電極的電位，形成相應(yīng)強度和大小的錐形電場。
[0044]所述實時腦掃描成像系統(tǒng)可將成像結(jié)果呈現(xiàn)于頭盔上，提示操作人員，實時定位腦損傷區(qū)域，通過頭盔實時調(diào)整電極最佳位置，同時根據(jù)這些信息調(diào)整電極大小，形成較為適合的錐形電場，達到更佳的治療效果。
[0045]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種腦損傷治療儀，其特征在于，包括至少一對不對稱電極和頭盔；所述頭盔用于固定電極并確定電極與頭的相對位置；所述不對稱電極，用于形成錐形電場，其負極面積小于正極面積，所述負極面積在25mm2至2500mm2之間，電極之間的距離在150mm至300mm之間，負極比正極面積小于或等于100倍；所述不對稱電極與頭盔可活動連接，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)且正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的腦損傷治療儀，其特征在于，所述不對稱電極為非接觸式電極，所述正極和負極電位差在I伏至250伏之間。
3.如權(quán)利要求1所述的腦損傷治療儀，其特征在于，所述不對稱電極為接觸式電極，所述正極和負極之間電流在I μ A至250 μ A之間。
4.如權(quán)利要求1所述的腦損傷治療儀，其特征在于，所述不對稱電極為點陣電極、面陣電極或電磁感應(yīng)圈。
5.如權(quán)利要求4所述的腦損傷治療儀，其特征在于，所述不對稱電極為非接觸點陣電極。
6.如權(quán)利要求1所述的腦損傷治療儀，其特征在于，還包括電源，與所述不對稱電極相連，用于提供直流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換成直流電。
7.如權(quán)利要求6所述的腦損傷治療儀，其特征在于，還包括控制器，所述控制器設(shè)置在所述電源與所述不對稱電極之間，用于控制不對稱電極之間的電位、電場方向以及所述不對稱電極負極和正極的面積之比，從而形成錐形電場。
8.如權(quán)利要求1所述的腦損傷治療儀，其特征在于，還包括實時腦掃描成像系統(tǒng)，所述實時腦掃描成像系統(tǒng)與頭盔固定鏈接，用于實時定位腦損傷區(qū)域，控制器根據(jù)定位結(jié)果實時調(diào)整所述不對稱電極。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種腦損傷治療儀，包括至少一對不對稱電極和頭盔；所述頭盔用于固定電極并確定電極與頭的相對位置；所述不對稱電極，用于形成錐形電場，其負極面積小于正極面積,所述負極面積在25mm2至2500mm2之間，電極之間的距離在150mm至300mm之間，負極比正極面積小于或等于100倍；所述不對稱電極與頭盔可活動連接，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)且正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。本發(fā)明提供的腦損傷治療儀，通過不對稱電極形成非均勻電場，使非均勻電場的負極靠近腦損傷區(qū)域，從而取得較均勻電場更佳的治療效果。
【IPC分類】A61N1-32, A61N1-18
【公開號】CN104857632
【申請?zhí)枴緾N201510235937
【發(fā)明人】萬芪, 宋恩民, 陳娟, 孫百勇
【申請人】萬芪
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年5月11日