>V"2的方式設(shè)定圖1的（A)或者度）的電阻R，使共振的衰減系數(shù)最優(yōu)化。通常，相對(duì) 于期望的衰減系數(shù)C，電阻R在圖1的（A)中由下式（5)表示，在圖2的度）中由下式化） 表不。
陽146] 在此之前，因?yàn)樽詈髿埩艄舱窕祉懻駝?dòng)，所W通過最后施加抑制其的方向的正脈 沖，而抑制過渡響應(yīng)為最小限度。 陽147] 對(duì)W上的第一實(shí)施例進(jìn)行總結(jié)的話，脈沖信號(hào)輸出電路110在第一期間輸出1或 者多個(gè)第一期間脈沖信號(hào)，在第一期間之后的第二期間不輸出脈沖信號(hào)，在第二期間之后 的第=期間輸出第=期間脈沖信號(hào)。
[0148] 例如在圖19的例子中，第一期間是由Tl表示的期間，電壓為Vp-V"-Vp的連續(xù)的脈 沖信號(hào)是多個(gè)第一期間脈沖信號(hào)。另外，第二期間是由T2表示的期間，在第二期間不輸出 脈沖信號(hào)。
[0149] 然后，第S期間是由T3表示的期間，脈沖信號(hào)輸出電路110在第S期間輸出超聲 波換能器元件的發(fā)送信號(hào)的混響抑制用脈沖信號(hào)。
[0150] 由此，可W抑制發(fā)送信號(hào)的混響（過渡響應(yīng)）等。 陽151] 與脈沖輸出定時(shí)同樣，第一期間~第S期間的各期間根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的上升沿定時(shí) 而規(guī)定。第一期間~第=期間的各期間是從時(shí)鐘信號(hào)的第一上升沿定時(shí)開始至第一上升沿 定時(shí)之后的第二上升沿定時(shí)為止的期間。各期間的長度是任意的。 陽152] 如上所述，在本實(shí)施方式中，不增加電壓源的數(shù)量，用矩形波驅(qū)動(dòng)的簡單的定時(shí)控 審IJ，能夠使發(fā)送波形的包絡(luò)線與（大致）正弦波曲線接近，能夠縮短發(fā)送波的過渡響應(yīng)。
[0153] 換而言之，脈沖信號(hào)輸出電路110輸出超聲波換能器元件的發(fā)送信號(hào)的波形的包 絡(luò)線成為正弦波形的脈沖信號(hào)。
[0154] 由此，例如在進(jìn)行諧波成像的時(shí)候，不存在發(fā)送波所含的高次諧波成分引起的反 射波，可W僅由非線性效應(yīng)下的高次諧波成分來生成適當(dāng)?shù)膱D像生成等。
[01巧]另外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成低通濾波器的驅(qū)動(dòng)方法利用了共振，可得到脈沖發(fā)生 器110的輸出電壓W上的發(fā)送電壓。因此，只要是能夠W低電壓驅(qū)動(dòng)的超聲波換能器元件， 就能夠W通常的低電壓邏輯IC或液晶驅(qū)動(dòng)器等來驅(qū)動(dòng)，即使不使用驅(qū)動(dòng)塊超聲波換能器 元件的高電壓的高價(jià)脈沖發(fā)生器IC也可W，即使通道數(shù)量增多也具有能夠廉價(jià)且電路規(guī) 模小的效果。 陽156] 接著，在圖21中示出第二實(shí)施例中的脈沖發(fā)生器110的驅(qū)動(dòng)方法W及脈沖發(fā)生器 輸出波P012,將脈沖發(fā)生器輸出波P012和向超聲波換能器元件輸入的發(fā)送波TP12重疊并 在圖22中示出。 陽157] 在本實(shí)施例中，如圖22所示，對(duì)3. 5波的發(fā)送波形TP12的包絡(luò)線EV2為（大致） 正弦波曲線的情況進(jìn)行說明。另外，與所述第一實(shí)施例同樣，W使低通濾波器的衰減頻率f。 與驅(qū)動(dòng)頻率f。相等的方式設(shè)定圖1的（A)或者度）的電感器L。 陽15引在本例中，如圖21所示，通過施加電壓依次為Vp-V"-Vp-V。的連續(xù)的脈沖信號(hào)，如圖 22所示那樣，利用共振作用而使發(fā)送波TP12的峰值依次為Vpi-V"i-Vp2-V"2。然后，由于存在 不施加脈沖電壓的期間，因此在共振衰減中發(fā)送波TP12的峰值縮小，依次為Vp3-Vn3-Vp4。此 時(shí)，W使Vp產(chǎn)Vp4、V。產(chǎn)￥。3、Vp2> Vp3的方式設(shè)定圖1的（A)或者做的電阻R，使共振的 衰減系數(shù)最優(yōu)化。
[0159] 另外，在此之前，因?yàn)樽詈髿埩艄舱窕祉懻駝?dòng)，所W通過最后施加抑制其的方向的 電壓Vp的正脈沖，抑制過渡響應(yīng)，將阻尼抑制為最小限度。運(yùn)樣，即使波數(shù)增加，也具有與 第一實(shí)施例同樣的效果。
[0160] W上的實(shí)施例是發(fā)送波數(shù)為2. 5波W及3. 5波的例子，在下面對(duì)2波、3波等波數(shù) 為整數(shù)的實(shí)施例進(jìn)行說明。 陽161] 此處，在圖23中示出第S實(shí)施例中的脈沖發(fā)生器110的驅(qū)動(dòng)方法W及脈沖發(fā)生器 輸出波P013,將脈沖發(fā)生器輸出波P013和向超聲波換能器元件輸入的發(fā)送波TP13重疊并 在圖24中示出。
[0162] 在本實(shí)施例中，如圖24所示，對(duì)2波的發(fā)送波形TP13的包絡(luò)線EV3為（大致）正 弦波曲線的情況進(jìn)行說明。另外，W使由上式（1)表示的低通濾波器的截止頻率fc與驅(qū)動(dòng) 頻率化相等的方式，設(shè)定圖1的（A)或者度）的電感器L。另外，在第S實(shí)施例中，使用圖 7所示的構(gòu)成的脈沖發(fā)生器110。 陽163] 在本例中，如圖23所示，通過施加電壓依次為Vp-V。的連續(xù)的脈沖信號(hào)，如圖24所 示那樣，利用共振作用使發(fā)送波TP13的峰值依次為Vpi-V"i。另外，為了使Vp2> -V。:，進(jìn)一步 連續(xù)施加電壓Vp/2的正脈沖。然后，經(jīng)過不施加脈沖電壓的期間，最后施加用于抑制共振混 響振動(dòng)的方向的負(fù)脈沖Vy2。由此，在共振衰減中發(fā)送波TPll的峰值縮小，依次為Vp2-Vn2。 此時(shí)，W使Vp/2 = -V"/2且Vp2> -Vni、Vp產(chǎn)-Vn2的方式設(shè)定圖1 (A)或者圖1度）的電阻R， 使共振的衰減系數(shù)最優(yōu)化。
[0164] 此時(shí)，僅使脈沖發(fā)生器110的電壓源從圖2的構(gòu)成的脈沖發(fā)生器110至少增加一 個(gè)，就能夠得到發(fā)送波形的包絡(luò)線EV3為（大致）正弦波曲線的發(fā)送波。根據(jù)W上，具有與 第一實(shí)施例同樣的效果。
[01化]接著，在圖25中示出第四實(shí)施例中的脈沖發(fā)生器110的驅(qū)動(dòng)方法W及脈沖發(fā)生器 輸出波P014,將脈沖發(fā)生器輸出波P014和向超聲波換能器元件輸入的發(fā)送波TP14重疊并 在圖26中示出。在本實(shí)施例中，如圖26所示，對(duì)3波的發(fā)送波形TP14的包絡(luò)線EV4為（大 致）正弦波曲線的情況進(jìn)行說明。 陽166] 在本例中，如圖25所示，通過施加電壓依次為Vp-V"-Vp的連續(xù)的脈沖信號(hào)，如圖26 所示那樣，利用共振作用而使發(fā)送波TP14的峰值依次為Vpi-V"i-Vp2。另外，為了使Vp2>-Vn2， 進(jìn)一步連續(xù)施加電壓2V"/3的負(fù)脈沖。然后，經(jīng)過不施加脈沖電壓的期間，最后施加用于抑 制共振混響振動(dòng)的方向的負(fù)脈沖2Vy3。由此，在共振衰減中，發(fā)送波TP14的峰值縮小，依 次為 Vp3-Vn3。此時(shí)，W使 2Vp/3 = -2Vy3 且 Vp2> -V。2、Vp產(chǎn)-V。3、-V的方式設(shè)定圖 1的（A)或者度）的電阻R，使共振的衰減系數(shù)最優(yōu)化。
[0167] 此時(shí)，所謂第S實(shí)施例，對(duì)脈沖發(fā)生器110施加的電壓值不同，然而僅使脈沖發(fā)生 器110的電壓源從圖2的構(gòu)成的脈沖發(fā)生器110至少增加一個(gè)，就能夠得到發(fā)送波形的包 絡(luò)線EV4為（大致）正弦波曲線的發(fā)送波。根據(jù)W上，具有與第一實(shí)施例同樣的效果。
[0168] 4.超聲波換能器元件
[0169] 在圖27的（A)~（C)示出超聲波換能器裝置的超聲波換能器元件10的構(gòu)成例。 該超聲波換能器元件10具有振動(dòng)膜（隔膜、支承構(gòu)件）50和壓電元件部。壓電元件部具有 第一電極層（下部電極）21、壓電體層（壓電體膜）30、第二電極層（上部電極）22。
[0170] 圖27的（A)是形成于基板（娃基板）60的超聲波換能器元件10的從垂直于元件 形成面?zhèn)鹊幕?0的方向觀察的俯視圖。圖27的做是示出沿著圖27的（A)的A-A'截 取的截面圖。圖27的（C)是示出沿著圖27的（A)的B-B'截取的截面圖。 陽171] 第一電極層21例如由金屬薄膜在振動(dòng)膜50的上層形成。如圖27的（A)所示，該 第一電極層21可W是向元件形成區(qū)域的外側(cè)延伸、被連接在相鄰的超聲波換能器元件10 的配線。 陽172] 壓電體層30例如由PZT(錯(cuò)鐵酸鉛）薄膜形成，設(shè)置為覆蓋第一電極層21的至少 一部分。另外，壓電體層30的材料并不限定于PZT，可W使用例如鐵酸鉛任bTi〇3)、錯(cuò)酸鉛 (PbZr〇3)、鐵酸鉛銅（(PKLa)Ti〇3)等。
[0173] 第二電極層22例如由金屬薄膜形成，設(shè)置為覆蓋壓電體層30的至少一部分。如 圖27的（A)所示，該第二電極層22可W是向元件形成區(qū)域的外側(cè)延伸、被連接在相鄰的超 聲波換能器元件10的配線。
[0174] 振動(dòng)膜（隔膜）50例如由Si〇2薄膜和ZrO 2薄膜的兩層構(gòu)造設(shè)置為阻塞開口 40。 該振動(dòng)膜50在支承壓電體層30 W及第一、第二電極層21、22的同時(shí)，隨著壓電體層30的 伸縮而振動(dòng)，能夠使超聲波產(chǎn)生。
[01巧]開口 40通過從基板60 (娃基板）的背面（未形成有元件的面）側(cè)利用反應(yīng)性離子 蝕刻巧I巧等進(jìn)行蝕刻而形成。由該開口 40的開口部45的尺寸決定超聲波的共振頻率， 該超聲波被放射至壓電體層30側(cè)（在圖27的（A)中從紙面縱深向跟前方向）。 陽176] 超聲波換能器元件10的下部電極（第一電極）由第一電極層21形成，上部電極 (第二電極）由第二電極層22形成。具體而言，第一電極層21中的被覆蓋壓電體層30的 部分形成下部電極，第二電極層22中的覆蓋壓電體層30的部分形成上部電極。目P，壓電體 層30被下部電極和上部電極夾持而設(shè)置。
[0177] 5.超聲波換能器裝置
[0178] 在圖28中示出超聲波換能器裝置（元件忍片）的構(gòu)成例。本構(gòu)成例的超聲波換 能器裝置包含多個(gè)超聲波換能器元件組UGl~UG64、驅(qū)動(dòng)電極線DLl~化64 (廣義而言為 第1~第n的驅(qū)動(dòng)電極線，n為2 W上的整數(shù)）、公共電極線CLl~化8 (廣義而言為第1~ 第m的公共電極線。m為2 W上的整數(shù)）。另外，驅(qū)動(dòng)電極線的根數(shù)（n)、公共電極線的根數(shù) (m)不限定為圖28所示的根數(shù)。 陽1巧]多個(gè)超聲波換能器元件組UGl~UG64沿著第二方向D2(掃描方向）配置為64列。 UGl~UG64的各超聲波換能器元件組具有沿著第一方向Dl (分層方向）而配置的多個(gè)超聲 波換能器元件。
[0180] 在圖29的（A)示出超聲波換能器元件組UGOJGl~UG64)的例子。在圖29的（A) 中，超聲波換能器元件組UG由第1~第4元件列構(gòu)成。第1元件列由沿著第一方向Dl而 配置的超聲波換能器元件肥11~肥18構(gòu)成，第二元件列由沿著第一方向Dl而配置的超聲 波換能器元件肥21~肥2