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      環(huán)件結構及其制作方法

      文檔序號:9919969閱讀:895來源:國知局
      環(huán)件結構及其制作方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域,具體涉及一種環(huán)件結構及其制作方法。
      【背景技術】
      [0002]在半導體制造中常用到濺射(Sputtering)工藝,這種工藝用于將金屬濺射到襯底上以形成薄膜。這種工藝是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n, PVD)中的一種,通過高能量粒子轟擊濺射靶材,使被轟擊的靶材原子或分子沉積在基底表面上形成薄膜。
      [0003]在濺射過程中,為了提高濺射沉積的均勻性,通常在濺射設備中安置環(huán)件結構,以約束濺射粒子的運動軌跡,也就是說,所述環(huán)件結構在濺射過程中起到聚焦高能量粒子的作用。
      [0004]具體可以參考圖1,為現(xiàn)有技術中濺射沉積設備的結構示意圖,濺射靶材70設于中濺射沉積設備的腔體上方,環(huán)件結構72通過連接部(knob) 73設于濺射靶材70與待沉積表面74之間。高能量粒子(其軌跡參考圖1中的軌跡71)轟擊濺射靶材產生的顆粒物部分落在待沉積表面74上,還有部分落在環(huán)件結構72上。
      [0005]但是,現(xiàn)有的環(huán)件結構在使用過程中可能會影響濺射沉積的質量,例如,在濺射過程中環(huán)件結構上會留有濺射產生的顆粒物,這些顆粒物在環(huán)件結構上聚集變?yōu)槌练e物,沉積物聚集到一定程度后會發(fā)生剝落現(xiàn)象(peeling),剝落的沉積物不僅會影響濺射環(huán)境,還容易掉落在濺射表面上,導致產品產生缺陷甚至報廢。此外,剝落的沉積物還可能在濺射沉積的過程中導致濺射設備中發(fā)生異常放電現(xiàn)象,濺射設備會因此意外中止工作,給整個生產進度帶來影響。
      [0006]為此,如何改進環(huán)件結構以減少環(huán)件結構對濺射沉積過程的影響,成為本領域技術人員亟待解決的問題。

      【發(fā)明內容】

      [0007]本發(fā)明解決的問題是提供一種環(huán)件結構及其制作方法,以減少環(huán)件結構對濺射沉積過程的影響。
      [0008]為解決上述問題,本發(fā)明提供一種環(huán)件結構,包括:
      [0009]環(huán)形體部,包括軸向相背的兩個圓環(huán)形端面以及設于所述兩個圓環(huán)形端面之間且徑向相背的外圓周面和內圓周面,所述外圓周面與所述的兩個圓環(huán)形端面相垂直;
      [0010]所述環(huán)形體部的外圓周面與所述兩個圓環(huán)形端面之間呈圓角連接,所述圓角的圓角半徑小于外圓周面寬度的一半。
      [0011]可選的,所述圓角的圓角半徑小于1.5毫米。
      [0012]可選的,所述圓角的圓角半徑在0.7?1.0毫米的范圍內。
      [0013]可選的,所述環(huán)形體部的材料為鉭、鈦或銅。
      [0014]可選的,所述環(huán)形體部的表面均具有凹凸的紋理。
      [0015]可選的,所述環(huán)件結構應用于濺射沉積設備中,所述環(huán)件結構還包括設于所述環(huán)形體部外圓周面的若干連接部,所述環(huán)件結構通過所述連接部設于濺射沉積設備中。
      [0016]可選的,所述連接部表面設有凹凸的紋理。
      [0017]此外,本發(fā)明還提供一種環(huán)件結構的制作方法,包括:
      [0018]形成環(huán)形體部,包括軸向相背的兩個圓環(huán)形端面以及設于所述兩個圓環(huán)形端面之間且徑向相背的外圓周面和內圓周面,所述外圓周面與所述的兩個圓環(huán)形端面相垂直;
      [0019]對外圓周面與所述兩個圓環(huán)形端面之間進行倒角處理,以使外圓周面與所述兩個圓環(huán)形端面之間呈圓角連接,所述圓角的圓角半徑小于外圓周面寬度的一半。
      [0020]可選的,所述圓角的圓角半徑小于1.5毫米。
      [0021]可選的,所述圓角的圓角半徑在0.7?1.0毫米的范圍內。
      [0022]可選的,倒角處理的步驟之后,所述制作方法還包括:在環(huán)形體部的表面形成凹凸的紋理。
      [0023]可選的,形成凹凸的紋理的步驟之后,所述制作方法還包括:對所述環(huán)形體部進行酸洗處理。
      [0024]可選的,所述環(huán)件結構應用于濺射沉積設備中,在倒角處理的步驟之后,所述制作方法還包括:在所述環(huán)形體部的外圓周面設置若干連接部,所述環(huán)件結構通過上述連接部設于濺射沉積設備中。
      [0025]可選的,設置連接部的步驟還包括:在所述連接部的表面形成凹凸的紋理。
      [0026]可選的,采用滾花加工或者噴砂加工的方式形成所述凹凸的紋理。
      [0027]與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的技術方案具有以下優(yōu)點:
      [0028]本發(fā)明的環(huán)件結構的環(huán)形體部的外圓周面與其圓環(huán)形端面之間呈圓角連接,且所述圓角的圓角半徑小于外圓周面寬度的一半,相對于現(xiàn)有技術來說,環(huán)形體部的面積相對較大。同樣尺寸規(guī)格的環(huán)形體部相比之下,本發(fā)明的環(huán)形體部表面積相對較大,一方面,在實際使用過程中,環(huán)形體部吸附濺射產生顆粒物的能力更強,也就是說,沉積在環(huán)件結構上的顆粒物比較不容易從環(huán)件結構上掉落,進而減少了濺射沉積過程中出現(xiàn)剝落現(xiàn)象的幾率;另一方面,環(huán)形體部表面積更大也減少了濺射沉積過程中發(fā)生放電擊穿現(xiàn)象的幾率,進而減小了環(huán)件結構在使用時,對濺射沉積過程的影響。
      【附圖說明】
      [0029]圖1是現(xiàn)有技術中濺射沉積設備的結構示意圖;
      [0030]圖2至圖4是本發(fā)明環(huán)件結構一實施例的結構示意圖;
      [0031]圖5是本發(fā)明環(huán)件結構的制作方法一實施例的流程示意圖。
      【具體實施方式】
      [0032]現(xiàn)有技術中發(fā)生剝落(peeling)現(xiàn)象的原因是:環(huán)件結構中環(huán)形體部的表面積較小,在濺射沉積的過程中,吸附濺射產生的顆粒物的能力較弱,進而導致顆粒物在環(huán)件結構上聚集到一定程度后發(fā)生剝落現(xiàn)象,這不僅可能導致產品的良率下降,還可能在濺射沉積的過程中導致濺射設備中發(fā)生異常放電現(xiàn)象。
      [0033]因此,本發(fā)明提供一種環(huán)件結構,包括:
      [0034]環(huán)形體部,包括軸向相背的兩個圓環(huán)形端面以及設于所述兩個圓環(huán)形端面之間且徑向相背的外圓周面和內圓周面,所述外圓周面與所述的兩個圓環(huán)形端面相垂直;
      [0035]所述環(huán)形體部的外圓周面與所述兩個圓環(huán)形端面之間呈圓角連接,所述圓角的圓角半徑小于外圓周面寬度的一半。
      [0036]本發(fā)明環(huán)件結構圓角的圓角半徑小于外圓周面寬度的一半,與同樣尺寸規(guī)格的現(xiàn)有環(huán)形體部相比,本發(fā)明的環(huán)形體部表面積相對較大,一方面,環(huán)形體部吸附濺射產生沉積物的能力更強,沉積物不易從環(huán)件結構上掉落,進而減少了濺射沉積過程中出現(xiàn)剝落現(xiàn)象的幾率;另一方面,環(huán)形體部表面積相對較大也減少了濺射沉積過程中發(fā)生放電擊穿現(xiàn)象的幾率。
      [0037]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂,下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。
      [0038]參考圖2至圖4,為本發(fā)明環(huán)件結構一實施例的結構示意圖。
      [0039]首先參考圖2并結合參考圖3,本發(fā)明的環(huán)件結構包括環(huán)形體部100,所述環(huán)形體部100包括軸向相背的兩個圓環(huán)形端面以及設于所述兩個圓環(huán)形端面之間且徑向相背的外圓周面102和內圓周面104,所述外圓周面102與所述的兩個圓環(huán)形端面相垂直;
      [0040]所述環(huán)形體部的外圓周面102與所述兩個圓環(huán)形端面之間呈圓角連接,所述圓角103的圓角半徑小于外圓周面102寬度h的一半。
      [0041]繼續(xù)參考圖4,如前文所述,圓角103的圓角半徑小于外圓周面102寬度h的一半,在同樣尺寸規(guī)格,也就是同樣的寬高下(參考圖4中的點劃線A、B),本發(fā)明的環(huán)形體部100的表面積大于現(xiàn)有技術中圓角半徑大于外圓周面寬度一半的環(huán)件結構(參考圖4中虛線11,為現(xiàn)有技術中圓角半徑大于外圓周面寬度一半時環(huán)形體部的外圓周面輪廓)的表面積。
      [0042]因此,本發(fā)明環(huán)形體部100吸附濺射產生沉積物的能力更強,沉積物不易從環(huán)件結構上掉落,進而減少了濺射沉積過程中出現(xiàn)剝落現(xiàn)象的幾率。
      [0043]另一方面,環(huán)形體部100表面積更大,也相對減少了濺射沉積過程中發(fā)生放電擊穿現(xiàn)象的幾率。
      [0044]在本實施例中,圓角103的圓角半徑小于1.5毫米,這樣能夠盡量增加環(huán)形體部100表面積。
      [0045]具體來說,可以在0.7?1.0毫米的范圍內,在此范圍內圓角103的圓角半徑不至于過小,而導致外圓周面102與其圓環(huán)形端面101之間的圓角103變得過于“尖銳”,而導致在濺射沉積過程中發(fā)生放電擊穿現(xiàn)象,同時,所述圓角103的圓角半徑也不至于過大,而導致環(huán)形體部100的表面積變得過小。
      [0046]具體的,本實施例圓角103的圓角半徑為0.7毫米。
      [0047]進一步,本實施例中,所述環(huán)形體部100的寬度h為3.5毫米。
      [0048]在本實施例中,所述外圓周面102與環(huán)形體部100的圓環(huán)形端面101相垂直,也就是說,圓角103的圓角半徑小于外圓周面102寬度的一半(本實施例中圓角半徑0.
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