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      經(jīng)顱磁刺激定位帽的制作方法_2

      文檔序號:8891290閱讀:來源:國知局
      ,方便醫(yī)護(hù)人員根據(jù)定位帽的視覺化區(qū)分和腦電圖(10-20)(10-10)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)部位,更快更準(zhǔn)地找到最佳刺激部位。
      [0036]利用國際腦電圖10-20(10-10)系統(tǒng)電極放置法即國際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn),奇數(shù)表示左側(cè),偶數(shù)表示右側(cè)。具體方法如下:
      [0037]①、前后矢狀線標(biāo)記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線,在此線上,由前至后依次標(biāo)出5個(gè)點(diǎn),額極中點(diǎn)(Fpz)、額中點(diǎn)(Fz)、中央點(diǎn)(Cz)、頂點(diǎn)(Pz)、枕點(diǎn)(Oz)0額極中點(diǎn)至鼻根的距離和枕點(diǎn)至枕外粗隆的距離各占此連線全長的10%,其余各點(diǎn)均以此連線全長的20%相隔。
      [0038]②、橫位:從左耳前點(diǎn)(耳屏前顴弓根凹陷處)通過中央點(diǎn)(Cz)至右耳前做一連線,在此連線上,從左到右依次標(biāo)出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)右顳中(T4KT3、T4點(diǎn)與耳前點(diǎn)的距離占此線全長的10%,其余各點(diǎn)(包括Cz點(diǎn))均以此連線全長的20%相隔。
      [0039]③、側(cè)位:從Fpz點(diǎn)向后通過T3、T4點(diǎn)至枕點(diǎn)分別取左右側(cè)連線,在左右側(cè)連線上由前至后對稱地標(biāo)出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點(diǎn)。Fpl、Fp2點(diǎn)至額極中點(diǎn)(Fpz)的距離與01、02點(diǎn)至Oz點(diǎn)的距離各占此連線全長的10%,其余各點(diǎn)(包括T3、T4)均以此連線的20%相隔。
      [0040]④、左額(F3)位于Fpl與C3點(diǎn)的中間,右額(F4)位于Fp2與C4點(diǎn)的中間;左頂(P3)位于C3與01點(diǎn)的中間,右頂(P4)位于C4與02點(diǎn)的中間。
      [0041]刺激帽根據(jù)腦電圖電極與大腦皮質(zhì)分葉和溝回之間的解剖關(guān)系,在定位帽上標(biāo)定出雙側(cè)大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)功能區(qū)的部位,因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)區(qū)的定位是磁刺激引起靶肌動(dòng)作最基礎(chǔ)的刺激點(diǎn)。
      [0042]經(jīng)顱磁刺激首先要個(gè)體化的確定閾刺激,要找準(zhǔn)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)拇指部位,以引出拇短展肌發(fā)生運(yùn)動(dòng)的最小刺激強(qiáng)度作為閾刺激強(qiáng)度,用閾強(qiáng)度的百分比來確定刺激強(qiáng)度,所以快速找出拇指的皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)區(qū)是實(shí)施經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的基礎(chǔ)。
      [0043]臨床適應(yīng)癥中很多疾病都引起運(yùn)動(dòng)功能障礙,如腦卒中運(yùn)動(dòng)障礙、脊髓損傷、帕金森病等,大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)中樞是軀體運(yùn)動(dòng)的最高級中樞,位于大腦皮質(zhì)中央前回的4區(qū)和6區(qū),依照解剖學(xué)位置及大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)區(qū)對軀體運(yùn)動(dòng)的調(diào)節(jié)特點(diǎn),經(jīng)顱磁刺激定位帽標(biāo)識(shí)了軀體運(yùn)動(dòng)中樞,包括頭面部、手指、軀干、四肢,一側(cè)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)支配另一側(cè)軀體肌肉的活動(dòng);特定的皮質(zhì)功能區(qū)域支配對側(cè)的靶肌,使用刺激帽具有幫助精細(xì)的功能區(qū)定位。
      [0044]本技術(shù)在定位帽上反映出人的2個(gè)大腦半球、4個(gè)腦葉、常用腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆標(biāo)記點(diǎn),所含信息多,便于操作、便于多次治療能夠在同一部位的重復(fù)準(zhǔn)確刺激。
      [0045]本技術(shù)實(shí)現(xiàn)的成本低,降低了患者的醫(yī)療費(fèi)用;操作方便,省時(shí)省力,提高了設(shè)備的利用率。定位帽中的多部位標(biāo)記信息使刺激部位比較精確,便于科研時(shí)的刺激部位的定位描述與重復(fù)刺激。解決了傳統(tǒng)靠目測與經(jīng)驗(yàn)刺激定位的不確定性,能提高刺激神經(jīng)的功能調(diào)制與治療效果。
      [0046]本實(shí)用新型經(jīng)顱磁刺激定位帽相比傳統(tǒng)的輔助定位裝置,具有如下優(yōu)點(diǎn):
      [0047]1、結(jié)構(gòu)簡單,制作方便,降低設(shè)備成本及患者的醫(yī)療成本,不用使用導(dǎo)航,增加額外的醫(yī)療費(fèi)用。
      [0048]2、操作方便,省時(shí)省力,最大限度地提高了醫(yī)護(hù)人員的工作效率。
      [0049]3、劃分了大腦功能區(qū),每個(gè)功能區(qū)的定位點(diǎn),結(jié)合疾病的特點(diǎn),指導(dǎo)醫(yī)護(hù)人員定點(diǎn)刺激。
      [0050]4、加快了經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的發(fā)展,推動(dòng)經(jīng)顱磁刺激技術(shù)在國內(nèi)的推廣,在更多更廣的領(lǐng)域?yàn)槿祟惙?wù)。
      [0051]5、刺激部位精確,針對性更強(qiáng),在最短的時(shí)間達(dá)到最佳的治療效果,同時(shí)減少了患者的治療周期及治療費(fèi)用。
      [0052]上述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種經(jīng)顏磁刺激定位帽,其特征在于,包括:與人腦外形適配的殼體,所述殼體上對應(yīng)設(shè)有用于標(biāo)記兩個(gè)大腦半球、四個(gè)腦葉、腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標(biāo)記部。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽,其特征在于,所述標(biāo)記兩個(gè)大腦半球的標(biāo)記部為區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽,其特征在于,所述四個(gè)腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽,其特征在于,所述腦電圖電極部位對應(yīng)的標(biāo)記部包括標(biāo)記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)至右耳前的橫位線,以及側(cè)位線。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽,其特征在于,各標(biāo)記部以絲印層的方式設(shè)置在所述殼體上。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種經(jīng)顱磁刺激定位帽,包括:與人腦外形適配的殼體,所述殼體上對應(yīng)設(shè)有用于標(biāo)記兩個(gè)大腦半球、四個(gè)腦葉、腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標(biāo)記部。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的成本低,降低了患者的醫(yī)療費(fèi)用;操作方便,省時(shí)省力,提高了設(shè)備的利用率。定位帽中的多部位標(biāo)記信息使刺激部位比較精確,便于科研時(shí)的刺激部位的定位描述與重復(fù)刺激。解決了傳統(tǒng)靠目測與經(jīng)驗(yàn)刺激定位的不確定性,能提高刺激神經(jīng)的功能調(diào)制與治療效果。
      【IPC分類】A61N2-04
      【公開號】CN204601393
      【申請?zhí)枴緾N201520018729
      【發(fā)明人】楊亦錚
      【申請人】深圳英智科技有限公司
      【公開日】2015年9月2日
      【申請日】2015年1月4日
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