[0245]綜上所述，上面對本實用新型提供的射頻消融系統(tǒng)及其射頻消融設(shè)備進(jìn)行了介紹。在該射頻消融方法中，通過使用指導(dǎo)參數(shù)，并通過使用溫度檢測模塊和阻抗測量模塊對消融過程進(jìn)行監(jiān)測，使得射頻消融術(shù)安全、可控。同時，本實用新型通過對射頻消融設(shè)備中的射頻電極、射頻消融導(dǎo)管和導(dǎo)引導(dǎo)管進(jìn)行改進(jìn)，使得射頻消融手術(shù)的精度更高，對患者血管的損害更小，減少了并發(fā)癥的發(fā)生。
[0246]以上對本實用新型所提供的射頻消融系統(tǒng)及其射頻消融設(shè)備進(jìn)行了詳細(xì)的說明。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不背離本實用新型實質(zhì)精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都將構(gòu)成對本實用新型專利權(quán)的侵犯，將承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。
【主權(quán)項】
1.一種射頻消融系統(tǒng)，其特征在于包括中央處理及控制模塊，分別與所述中央處理及控制模塊連接的射頻釋放模塊、容積阻抗測量模塊、溫度監(jiān)測模塊，以及與所述中央處理及控制模塊連接的報警及自動存儲模塊； 其中，所述中央處理及控制模塊，用于生成指導(dǎo)參數(shù)；同時用于根據(jù)所述容積阻抗測量模塊和所述溫度監(jiān)測模塊的監(jiān)測結(jié)果，對所述射頻釋放模塊進(jìn)行控制； 所述容積阻抗測量模塊，用于測量靶組織的容積阻抗，為靶組織的定位及射頻損毀程度判斷提供依據(jù)； 所述溫度監(jiān)測模塊，用于實時監(jiān)測靶組織周圍的溫度，防止目標(biāo)管腔的過度損傷； 所述報警及自動存儲模塊，用于綜合分析來自監(jiān)測模塊的信號，對超過預(yù)設(shè)安全閾值的情況及時報警，并用于對消融過程中使用的參數(shù)及采集的信息進(jìn)行整理和保存。2.如權(quán)利要求1所述的射頻消融系統(tǒng)，其特征在于還包括分別與所述中央處理及控制模塊連接的腔內(nèi)光學(xué)斷層成像模塊和腔內(nèi)超聲成像模塊； 所述腔內(nèi)光學(xué)斷層成像模塊，用于對靶組織周圍的血管壁進(jìn)行實時動態(tài)成像監(jiān)控； 所述腔內(nèi)超聲成像模塊，用于對靶組織周圍的血管壁進(jìn)行超聲成像監(jiān)控。3.一種射頻消融設(shè)備，其特征在于包括射頻消融導(dǎo)管、控制手柄和溫控射頻儀； 其中，所述射頻消融導(dǎo)管的中間部分承載長條狀連接電極，所述射頻消融導(dǎo)管的遠(yuǎn)端形成有射頻電極，所述射頻電極通過所述長條狀連接電極與所述控制手柄連接； 所述控制手柄包括用于控制所述射頻消融導(dǎo)管遠(yuǎn)端的彎曲程度的導(dǎo)管導(dǎo)向控制柄，和用于控制所述射頻電極的張開程度的導(dǎo)管電極控制手柄和導(dǎo)管電極控制輔助手柄； 所述溫控射頻儀包括中央處理及控制模塊，分別與所述中央處理及控制模塊連接的射頻釋放模塊、容積阻抗測量模塊、溫度監(jiān)測模塊，以及與所述中央處理及控制模塊連接的報警及自動存儲模塊； 在所述控制手柄的后端設(shè)置有綜合接口，所述溫控射頻儀通過所述綜合電纜與設(shè)置在所述控制手柄上的所述綜合接口連接。4.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述射頻電極的貼壁射頻位置設(shè)置有穿壁段。5.如權(quán)利要求4所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述穿壁段設(shè)置在瓣狀射頻電極中部的貼壁位置，或者設(shè)置在長條穿刺針射頻電極的前端，或者設(shè)置在球囊型射頻電極的球囊壁上。6.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述綜合接口中心位置設(shè)置有復(fù)用通道，在復(fù)用通道的外側(cè)分別設(shè)置有阻抗電極接口、溫控電極接口、射頻電極接口。7.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于包括設(shè)置在所述射頻消融導(dǎo)管的外部的導(dǎo)引導(dǎo)管，在所述導(dǎo)引導(dǎo)管的后端設(shè)置有帶有接口的導(dǎo)管分支。8.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于包括設(shè)置在所述射頻消融導(dǎo)管的外部的導(dǎo)引導(dǎo)管，所述導(dǎo)引導(dǎo)管具有抗電磁干擾的功能； 所述導(dǎo)引導(dǎo)管包括圓柱形的空心管體，所述管體前端有端口，所述管體后端設(shè)置有后端接口，所述管體和后端接口中包括由導(dǎo)電材料編織的屏蔽網(wǎng)，所述導(dǎo)電材料沿所述管體的管壁交叉鋪設(shè)形成一個閉合的環(huán)形屏蔽網(wǎng)，并且，所述屏蔽網(wǎng)在后端接口處引出形成接頭，所述接頭接地。9.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述射頻電極兼具測溫功能和測阻抗功能； 所述射頻電極包括射頻釋放點，所述射頻釋放點同時作為阻抗測量點； 在所述射頻電極上連接第二材料構(gòu)成測溫?zé)犭娕?，所述第二材料是指不同于?gòu)造所述射頻電極所用材料的材料。10.如權(quán)利要求9所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述第二材料通過焊接、電鍍、套接或者壓接中的任意一種方式與所述射頻電極連接。11.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述射頻消融導(dǎo)管表面形成有溝槽； 所述射頻消融導(dǎo)管包括配置在所述消融導(dǎo)管中心部位的支撐導(dǎo)管，和配置在所述支撐導(dǎo)管的外表面上的多條導(dǎo)線；多條所述導(dǎo)線圍繞所述支撐導(dǎo)管的圓周方向配置，并且，每條所述導(dǎo)線沿所述支撐導(dǎo)管的長度方向延伸;在每條所述導(dǎo)線的外部配置有用于包覆所述導(dǎo)線的密封層，相鄰的密封層在所述支撐導(dǎo)管的外表面上形成溝槽。12.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述射頻消融導(dǎo)管的管身是通過電纜制作工藝制作而成的電纜一體式導(dǎo)管管身，導(dǎo)管管身的一端用于連接控制手柄，導(dǎo)管管身的另一端用于制作電極段。13.如權(quán)利要求12所述的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述導(dǎo)管管身中包括多組相互絕緣的記憶合金絲和金屬絲，所述記憶合金絲的一端用于制作記憶合金支架，所述記憶合金支架的中間段裸露形成導(dǎo)電部分，所述金屬絲纏繞在導(dǎo)電部分，并在纏繞金屬絲上固定電極材料，形成電極段。14.如權(quán)利要求13所述的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述電極材料的形狀是環(huán)形，所述電極材料套在纏繞的金屬絲上。15.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 在所述射頻消融導(dǎo)管的遠(yuǎn)端至少設(shè)置有一個不透X線的標(biāo)記。16.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 在所述射頻電極與所述長條狀連接電極之間設(shè)置有連接點和可斷開的分離裝置。17.如權(quán)利要求3所述的射頻消融設(shè)備，其特征在于: 所述射頻電極上承載藥物。18.一種用于射頻消融設(shè)備的射頻電極，其特征在于: 所述射頻電極兼具測溫功能和測阻抗功能； 所述射頻電極包括射頻釋放點，所述射頻釋放點同時作為阻抗測量點； 在所述射頻電極上連接第二材料構(gòu)成測溫?zé)犭娕?，所述第二材料是指不同于?gòu)造所述射頻電極所用材料的材料。19.如權(quán)利要求18所述的射頻電極，其特征在于: 所述第二材料通過焊接、電鍍、套接或者壓接中的任意一種方式與所述射頻電極連接。20.如權(quán)利要求18所述的射頻電極，其特征在于: 所述射頻電極包括由多瓣射頻電極構(gòu)成的瓣狀電極支架，所述射頻電極包括裸露的射頻釋放點，所述第二材料連接在所述射頻電極上。21.如權(quán)利要求18所述的射頻電極，其特征在于: 所述射頻電極是長穿刺針型電極，包括支撐導(dǎo)向金屬條和穿刺射頻電極;所述第二材料連接在所述穿刺射頻電極上。22.如權(quán)利要求18所述的射頻電極，其特征在于: 所述射頻電極由記憶合金構(gòu)成。23.如權(quán)利要求22所述的射頻電極，其特征在于: 所述記憶合金是鎳鈦合金、銅鎳合金、鈦合金中的任一種。24.如權(quán)利要求18所述的射頻電極，其特征在于: 所述第二材料是銅鋅合金、鈾合金、純銅、鎳絡(luò)合金中的任一種。25.—種溫控射頻儀，其特征在于包括中央處理器、正弦波發(fā)生模塊、信號放大模塊、功率放大模塊、開關(guān)模塊、射頻電極模塊、輸出電壓電流監(jiān)測模塊和溫度采集模塊； 所述正弦波發(fā)生模塊和所述中央處理器連接，所述射頻電極模塊通過所述開關(guān)模塊與所述中央處理器連接，所述正弦波發(fā)生模塊、所述信號放大模塊、所述功率放大模塊、所述開關(guān)模塊和所述射頻電極模塊依序連接;所述輸出電壓電流監(jiān)測模塊分別與所述中央處理器和所述功率放大模塊連接，所述溫度采集模塊分別與所述中央處理器和所述開關(guān)模塊連接； 所述中央處理器控制所述開關(guān)模塊進(jìn)行工作模式切換，同時所述中央處理器控制所述正弦波發(fā)生模塊產(chǎn)生對應(yīng)頻率的正弦波，所述正弦波經(jīng)過所述信號放大模塊放大信號后，再經(jīng)過所述功率放大模塊功率放大，最后通過所述開關(guān)模塊后傳輸至所述射頻電極模塊；當(dāng)所述開關(guān)模塊切換至阻抗測量模式，所述輸出電壓電流監(jiān)測模塊測量所述功率放大模塊輸出的電流和電壓并反饋至所述中央處理器；當(dāng)所述開關(guān)模塊切換至溫度測量模式，所述溫度采集模塊采集射頻回路中的電流計算溫度并反饋至所述中央處理器。26.如權(quán)利要求25所述的溫控射頻儀，其特征在于: 所述開關(guān)模塊包括三個并列設(shè)置的開關(guān)元件(S1、S2和S3)，所述射頻電極模塊包括射頻電極、由射頻電極和第二材料組成的熱電偶和體表電極;三個開關(guān)元件(S1、S2和S3)分別用于與射頻電極導(dǎo)線、熱電偶導(dǎo)線、以及與所述體表電極連接的導(dǎo)線實現(xiàn)接通;所述射頻電極導(dǎo)線同時作為熱電偶導(dǎo)線，所述射頻電極導(dǎo)線和所述熱電偶導(dǎo)線分別與所述射頻電極和連接于所述射頻電極上的第二材料連接;當(dāng)所述開關(guān)模塊中的第一開關(guān)(SI)和第二開關(guān)(S2)接通時，所述射頻電極和連接于所述射頻電極上的第二材料形成熱電偶測量回路；當(dāng)所述開關(guān)模塊中的第一開關(guān)(SI)和第三開關(guān)(S3)接通時，所述射頻電極、所述體表電極和人體阻抗形成射頻釋放回路。27.如權(quán)利要求25所述的溫控射頻儀，其特征在于: 所述開關(guān)模塊包括三個并列設(shè)置的開關(guān)元件(S1、S2和S3)，所述射頻電極模塊包括射頻電極、由射頻電極和第二材料組成的熱電偶和第二射頻電極;三個開關(guān)元件(S1、S2和S3)分別用于與射頻電極導(dǎo)線、熱電偶導(dǎo)線、以及與所述第二射頻電極連接的導(dǎo)線實現(xiàn)接通;所述射頻電極導(dǎo)線同時作為熱電偶導(dǎo)線，所述射頻電極導(dǎo)線和所述熱電偶導(dǎo)線分別與所述射頻電極和連接于所述射頻電極上的第二材料連接;當(dāng)所述開關(guān)模塊中的第一開關(guān)(SI)和第二開關(guān)(S2)接通時，所述射頻電極和連接于所述射頻電極上的第二材料形成熱電偶測量回路；當(dāng)所述開關(guān)模塊中的第一開關(guān)(SI)和第三開關(guān)(S3)接通時，所述射頻電極、所述第二射頻電極和人體阻抗形成射頻釋放回路。28.如權(quán)利要求26或27所述的溫控射頻儀，其特征在于: 所述射頻釋放回路同時作為阻抗測量回路;在阻抗測量工作模式，所述正弦波發(fā)生模塊分別發(fā)射出兩個不同頻率的正弦波用于測量阻抗。29.如權(quán)利要求26或27所述的溫控射頻儀，其特征在于: 在所述溫度測量回路的冷端串聯(lián)一個橋式補償電路。30.一種用于射頻消融設(shè)備的射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述射頻消融導(dǎo)管包括配置在所述消融導(dǎo)管中心部位的支撐導(dǎo)管，和配置在所述支撐導(dǎo)管的外表面上的多條導(dǎo)線；多條所述導(dǎo)線圍繞所述支撐導(dǎo)管的圓周方向配置，并且，每條所述導(dǎo)線沿所述支撐導(dǎo)管的長度方向延伸;在每條所述導(dǎo)線的外部配置有用于包覆所述導(dǎo)線的密封層，相鄰的密封層在所述支撐導(dǎo)管的外表面上形成溝槽。31.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述密封層具有圓弧形的截面，所述密封層的底端與所述支撐導(dǎo)管的外表面緊密連接，形成一個圓弧狀空間；所述導(dǎo)線配置于所述圓弧狀空間內(nèi)。32.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述密封層的截面具有圓弧形的頂部，和與所述圓弧形頂部的底邊連接并向所述支撐導(dǎo)管的外表面延伸的直線形側(cè)壁，所述導(dǎo)線配置于由圓弧形頂部、直線型側(cè)壁和所述支撐導(dǎo)管的外表面構(gòu)成的封閉空間內(nèi)。33.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 相鄰的所述密封層彼此連接，覆蓋整個所述支撐導(dǎo)管的外表面。34.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述導(dǎo)線與所述支撐導(dǎo)管的外表面相切，所述導(dǎo)線與所述密封層的頂部相切。35.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 多條所述導(dǎo)線圍繞所述支撐導(dǎo)管的外圓周均勻排布。36.如權(quán)利要求35所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 多條所述導(dǎo)線圍繞所述支撐導(dǎo)管的外圓周排布成梅花狀。37.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述導(dǎo)線的數(shù)量為6條。38.如權(quán)利要求30所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述密封層由高分子材料制成。39.如權(quán)利要求38所述的消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述高分子材料為聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯或尼龍中的一種。40.—種用于射頻消融設(shè)備的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于包括控制手柄、導(dǎo)管管身和電極段，所述導(dǎo)管管身是通過電纜制作工藝制作而成的電纜一體式導(dǎo)管管身，導(dǎo)管管身的一端用于連接控制手柄，導(dǎo)管管身的另一端用于制作電極段； 所述導(dǎo)管管身中包括多組相互絕緣的記憶合金絲和金屬絲，所述記憶合金絲的一端用于制作記憶合金支架，所述記憶合金支架的中間段裸露形成導(dǎo)電部分，所述金屬絲纏繞在導(dǎo)電部分，并在纏繞金屬絲上固定電極材料，形成電極段。41.如權(quán)利要求40所述的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述電極材料的形狀是環(huán)形，所述電極材料套在纏繞的金屬絲上。42.如權(quán)利要求40所述的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述記憶合金絲的材料是鎳鈦合金、銅鎳合金和鈦合金中的任意一種； 所述金屬絲的材料是銅線、銅鋅合金、鈾合金、鎳絡(luò)合金中的任一種。43.如權(quán)利要求40所述的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 構(gòu)成記憶合金支架的記憶合金和金屬絲構(gòu)成熱電偶，用于測量射頻釋放點的溫度。44.如權(quán)利要求40所述的電纜式射頻消融導(dǎo)管，其特征在于: 所述導(dǎo)管管身中心是貫穿的通孔，伸縮控制線從通孔穿過，一端和控制手柄相連，另一端與所述電極段的遠(yuǎn)端固定。45.—種用于射頻消融設(shè)備的具有抗電磁干擾功能的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于包括圓柱形的空心管體，所述管體前端有端口，所述管體后端設(shè)置有后端接口，所述管體和后端接口中包括由導(dǎo)電材料編織的屏蔽網(wǎng)，所述導(dǎo)電材料沿所述管體的管壁交叉鋪設(shè)形成一個閉合的環(huán)形屏蔽網(wǎng)，并且，所述屏蔽網(wǎng)在后端接口處引出形成接頭，所述接頭接地。46.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述導(dǎo)電材料選自不銹鋼材料、鎳鈦材料或者碳纖維。47.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述屏蔽網(wǎng)的編織密度在30pic?200pic之間，其中，pic表示每英寸長度上的編織網(wǎng)交叉點的數(shù)量。48.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述接頭通過引線直接接地。49.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述接頭通過與所述后端接口連接的皮膚電極接地。50.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述接頭與綜合電纜連接，并通過綜合電纜接地。51.如權(quán)利要求50所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述接頭設(shè)置成拔插接頭，并通過拔插接頭與綜合電纜連接;所述綜合電纜穿過控制手柄后到達(dá)綜合電纜接頭處進(jìn)行接地。52.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 在所述后端接口內(nèi)設(shè)置有止血閥。53.如權(quán)利要求45所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 所述后端接口內(nèi)沒有設(shè)置止血閥。54.如權(quán)利要求53所述的導(dǎo)引導(dǎo)管，其特征在于: 在所述導(dǎo)引導(dǎo)管的后端連接有Y閥，所述Y閥的管體內(nèi)部設(shè)置有由導(dǎo)電材料編織的屏蔽網(wǎng)，所述屏蔽網(wǎng)通過引出的接頭接地。
【專利摘要】本實用新型公開了一種射頻消融設(shè)備，包括射頻消融導(dǎo)管(10)、控制手柄(20)和溫控射頻儀(35)。射頻消融導(dǎo)管(10)的中間部分承載長條狀連接電極，射頻消融導(dǎo)管(10)的遠(yuǎn)端形成有射頻電極(12)，射頻電極(12)通過長條狀連接電極與控制手柄(20)連接?？刂剖直?20)包括用于控制射頻消融導(dǎo)管(10)遠(yuǎn)端的彎曲程度的導(dǎo)管導(dǎo)向控制柄(21)，和用于控制射頻電極(12)的張開程度的導(dǎo)管電極控制手柄(23)和導(dǎo)管電極控制輔助手柄。本實用新型還提供了用于射頻消融設(shè)備的射頻電極(12)、溫控射頻儀(35)、射頻消融導(dǎo)管(10)和導(dǎo)引導(dǎo)管(16)。
【IPC分類】A61M25/01, A61N1/04, A61B18/12
【公開號】CN205215353
【申請?zhí)枴緾N201490000298
【發(fā)明人】曹紅光, 董永華, 郭久林
【申請人】上海魅麗緯葉醫(yī)療科技有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年2月7日
【公告號】EP2954865A1, US20150374435, WO2014121664A1