本實(shí)用新型涉及陶瓷電容器生產(chǎn)領(lǐng)域，特別是一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的分立元件—陶瓷電容器以圓片形為主，這種結(jié)構(gòu)成型簡單、工藝成熟、操作簡便，便于批量化、規(guī)模化生產(chǎn)。但是對于高壓陶瓷電容器來說，主要考慮的是耐壓強(qiáng)度和標(biāo)稱電容器盡可能高。而這兩者之間，恰恰是相互矛盾的。同等條件下：介質(zhì)越薄，電容量越大，耐壓強(qiáng)度越低，反之亦然。傳統(tǒng)的圓盤式陶瓷電容器體積相對大，不利于電力器件的組裝。

另外，陶瓷電容器成型時，容易產(chǎn)生毛刺或裂紋。后續(xù)絕緣涂覆時，當(dāng)在相同涂覆下，由于毛刺或裂紋的存在，將使得陶瓷電容器的絕緣厚度差異大，也使得陶瓷電容器的耐壓強(qiáng)度降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具，該高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片，沖壓效率高，成型好，所沖壓出的瓷介質(zhì)芯片體積小，電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺，耐壓強(qiáng)度高。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具，瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部，圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部，圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2～3倍，圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3～4/5；圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧，瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型。

沖壓模具包括同軸設(shè)置的上模和下模，上模的高度能夠升降。

上模上設(shè)置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部；下模上設(shè)置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部。

圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質(zhì)芯片的圓盤凹部相對應(yīng)；圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質(zhì)芯片的圓環(huán)凸部相對應(yīng)。

圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設(shè)置有與圓弧相對應(yīng)的倒角。

圓盤上凸部上設(shè)置有豎向槽，豎向槽的底部設(shè)置有相貫通的橫向槽；豎向槽內(nèi)設(shè)置有彈簧，橫向槽內(nèi)設(shè)置有卸料板；彈簧的一端固定在豎向槽內(nèi)，彈簧的另一端與卸料板固定連接；當(dāng)彈簧壓縮時，卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。

圓盤下凸部內(nèi)設(shè)置有高度能夠升降的頂料桿。

上模固定在上壓板上，下模固定在下壓板上，上壓板和下壓板之間設(shè)置有若干根升降導(dǎo)柱。

所述升降導(dǎo)柱上設(shè)置有位移傳感器。

所述下壓板上設(shè)置有能對上模下降位移進(jìn)行限位的限位塊。

所述下壓板內(nèi)設(shè)置有能驅(qū)動頂料桿高度升降的電機(jī)。

本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu)后，能自動沖壓高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片，沖壓效率高，成型好，所沖壓出的瓷介質(zhì)芯片體積小，電容量大且不易產(chǎn)生裂紋或毛刺，耐壓強(qiáng)度高。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示了瓷介質(zhì)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體較佳實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1和圖2所示，一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具，包括上模1、圓環(huán)上凹部11、圓盤上凸部12、豎向槽121、彈簧122、橫向槽123、卸料板124、下模2、圓環(huán)下凹部21、圓盤下凸部22、頂料桿221、機(jī)架3、升降導(dǎo)柱31、位移傳感器32、上壓板33、下壓板34、瓷介質(zhì)芯片4、圓環(huán)凸部41、圓盤凹部42和圓弧43等主要技術(shù)特征。

如圖2所示，瓷介質(zhì)芯片包括同軸設(shè)置的圓盤凹部和圓環(huán)凸部，圓盤凹部位于圓環(huán)凸部的內(nèi)部。

圓環(huán)凸部的厚度為圓盤凹部厚度1.2～3倍，優(yōu)選為1.2～2倍，進(jìn)一步優(yōu)選為1.2～1.6倍。

圓盤凹部的直徑為瓷介質(zhì)芯片的2/3～4/5。

圓盤凹部和圓環(huán)凸部的交接處設(shè)置有圓弧，圓弧的角度優(yōu)選為15-60°，進(jìn)一步優(yōu)選為45°。該圓弧的設(shè)置，能防止成型毛刺及裂紋的產(chǎn)生，壓制合格率高。

上述瓷介質(zhì)芯片為整體壓制成型。

圓盤凹部上能用于設(shè)置內(nèi)電極，圓環(huán)凸部上能用于設(shè)置外電極。

如圖1所示，一種高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片成型用沖壓模具，包括同軸設(shè)置的上模和下模，上模的高度能夠升降。

上模上設(shè)置有圓環(huán)上凹部和向下凸起的圓盤上凸部；下模上設(shè)置有圓環(huán)下凹部和向上凸起的圓盤下凸部。

圓盤上凸部和圓盤下凸部均與瓷介質(zhì)芯片的圓盤凹部相對應(yīng)；圓環(huán)上凹部和圓環(huán)下凹部均與瓷介質(zhì)芯片的圓環(huán)凸部相對應(yīng)。

圓環(huán)下凹部與圓盤下凸部的交接處、以及圓環(huán)上凹部和圓盤上凸部的交接處設(shè)置有與圓弧相對應(yīng)的倒角。

圓盤上凸部上設(shè)置有豎向槽，豎向槽的底部設(shè)置有相貫通的橫向槽；豎向槽內(nèi)設(shè)置有彈簧，橫向槽內(nèi)設(shè)置有卸料板；彈簧的一端固定在豎向槽內(nèi)，彈簧的另一端與卸料板固定連接；當(dāng)彈簧壓縮時，卸料板的底部能與圓盤上凸部的底部相平齊。

圓盤下凸部內(nèi)設(shè)置有高度能夠升降的頂料桿。

上模固定在上壓板上，下模固定在下壓板上，上壓板和下壓板之間設(shè)置有若干根升降導(dǎo)柱。

所述升降導(dǎo)柱上設(shè)置有位移傳感器。

所述下壓板上設(shè)置有能對上模下降位移進(jìn)行限位的限位塊。

所述下壓板內(nèi)設(shè)置有能驅(qū)動頂料桿高度升降的電機(jī)。

以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換，這些等同變換均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。