1.一種衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：包括底盤(pán)主體，所述底盤(pán)主體包括外模、內(nèi)模以及填充層，所述外模包括底模及邊模，所述邊模朝同一方向凸出連接于所述底模四周并與所述底模圍合形成第一澆注空間，所述內(nèi)模設(shè)置于所述外模內(nèi)并與所述邊模共同圍合形成與所述第一澆注空間連通的第二澆注空間；所述填充層填充于所述第一澆注空間內(nèi)并與所述底模共同形成所述底盤(pán)主體的底壁，所述填充層填充于所述第二澆注空間內(nèi)并與所述邊模和所述內(nèi)模共同形成所述底盤(pán)主體的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：所述底模面向所述邊模的表面垂直且間隔布設(shè)若干限位件，所述填充層覆蓋于若干所述限位件上且填充于相鄰兩個(gè)所述限位件之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：所述衛(wèi)浴底盤(pán)包括地表層，所述地表層鋪設(shè)于所述第一澆注空間內(nèi)所述填充層的表面。
4.如權(quán)利要求3所述的衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：所述地表層為瓷磚和pvc同質(zhì)透心卷材。
5.如權(quán)利要求1所述的衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：所述底盤(pán)主體上貫通開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)地漏孔。
6.如權(quán)利要求1所述的衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：所述衛(wèi)浴底盤(pán)包括裝飾條，所述裝飾條蓋設(shè)于所述內(nèi)模與所述邊模遠(yuǎn)離所述底模的一端并遮擋所述第二澆注空間內(nèi)的所述填充層。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的衛(wèi)浴底盤(pán)，其特征在于：所述外模由塑料、樹(shù)脂、薄鋼板、薄鋁板或硬紙板制作而成，所述內(nèi)模由塑料、樹(shù)脂、薄鋼板或薄鋁板制作而成，且所述內(nèi)模背向所述邊模的內(nèi)側(cè)設(shè)置有裝飾；所述填充層為現(xiàn)澆的超高強(qiáng)混凝土。
8.一種衛(wèi)浴底盤(pán)的制作工藝，其特征在于：包括以下步驟：
將外模鋪設(shè)于水平面上，并在所述外模的底模上布設(shè)限位件及地漏孔堵頭；
在所述外模的所述底模上澆筑填充層，并澆筑至保持所述限位件的頭部外露；
在已澆筑的所述底模的所述填充層上設(shè)置內(nèi)模；
在已澆筑的所述底模的所述填充層上及包圍于所述內(nèi)模內(nèi)的區(qū)域鋪設(shè)地表層，且所述地表層的底部與所述限位件接觸；
待所述地表層鋪設(shè)完成后，在所述內(nèi)模和所述外模的邊模之間填充所述填充層，并抹平收光。
9.如權(quán)利要求8所述的衛(wèi)浴底盤(pán)的制作工藝，其特征在于：在所述內(nèi)模和所述外模的邊模之間填充完所述填充層后，還包括以下步驟：
使用裝飾條蓋住所述內(nèi)模和所述外模的邊模之間的澆筑面。
10.如權(quán)利要求8所述的衛(wèi)浴底盤(pán)的制作工藝，其特征在于：待填充于所述內(nèi)模和所述外模之間的所述填充層達(dá)到強(qiáng)度后，還包括以下步驟：
移除所述地漏孔堵頭，形成地漏孔。