本發(fā)明屬于電器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種加熱電路和具有該加熱電路的電飯煲。

背景技術(shù)：

對(duì)于電飯煲的加熱電路，通常采用1個(gè)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊控制2個(gè)諧振電路，兩個(gè)諧振電路共用1個(gè)諧振電容，如果兩個(gè)諧振電路輸出功率相差較大，輸出功率較低的那路諧振電路的線盤的電感量需要設(shè)計(jì)的較大，但是，在產(chǎn)品有限的空間繞制會(huì)困難。如果輸出功率較低的諧振電路的電感量不足，IGBT模塊的開關(guān)損耗高，導(dǎo)致IGBT溫升高。

為了解決上述問題，在相關(guān)技術(shù)中采用的方式是為不同輸出功率的諧振電路匹配不同的諧振電容。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。

為此，本實(shí)用新型需要提出一種加熱電路，該加熱電路的諧振單元的線盤更容易匹配，降低IGBT模塊的損耗和溫升。

本實(shí)用新型還提出一種采用該加熱電路的電飯煲。

為了解決上述問題，本實(shí)用新型一方面提出的加熱電路，包括：諧振模塊，所述諧振模塊包括M個(gè)諧振單元和諧振電容，所述M個(gè)諧振單元與所述諧振電容分別相互并聯(lián)或串聯(lián)連接；補(bǔ)償電感模塊，所述補(bǔ)償電感模塊與所述諧振模塊相連；IGBT模塊，所述IGBT模塊與所述諧振模塊相連；和控制模塊，所述控制模塊與所述IGBT模塊相連。

本實(shí)用新型的加熱電路，通過添加補(bǔ)償電感模塊，諧振單元與諧振電容的輸出更加容易匹配，降低IGBT模塊的開關(guān)損耗和溫升，諧振單元的線盤的繞制更加簡單。

所述諧振模塊還包括：開關(guān)單元，所述開關(guān)單元分別與所述M個(gè)諧振單元和所述控制模塊相連，所述控制模塊根據(jù)加熱設(shè)置參數(shù)控制所述開關(guān)單元以切換所述M個(gè)諧振單元輸出。

具體地，M＝2，所述諧振模塊包括第一諧振單元、第二諧振單元和諧振電容，所述第一諧振單元、所述第二諧振單元和所述諧振電容分別并聯(lián)或串聯(lián)連接。

其中，所述第二諧振單元的輸出功率小于所述第一諧振單元的輸出功率，所述補(bǔ)償電感模塊包括第一補(bǔ)償電感，所述第一補(bǔ)償電感與所述第二諧振單元串聯(lián)連接且與所述第一諧振單元并聯(lián)連接。

進(jìn)一步地，所述補(bǔ)償電感模塊還包括第二補(bǔ)償電感，第二補(bǔ)償電感與第一諧振單元111串聯(lián)連接且與第二諧振單元112并聯(lián)連接。

其中，所述第一補(bǔ)償電感為K個(gè)，所述第二補(bǔ)償電感為M個(gè)，其中，K為自然數(shù)，M為自然數(shù)。

另外，所述第二諧振單元可以包括一個(gè)或多個(gè)加熱線盤，其中，所述多個(gè)加熱線盤分別相互并聯(lián)或串聯(lián)連接且分別與所述第一補(bǔ)償電感串聯(lián)連接。

進(jìn)一步地，所述加熱電路包括N個(gè)諧振模塊和N個(gè)IGBT模塊，所述N個(gè)諧振模塊與所述N個(gè)IGBT模塊一一對(duì)應(yīng)連接，每個(gè)諧振模塊中的第二諧振單元共用所述第一補(bǔ)償電感且分別與所述第一補(bǔ)償電感串聯(lián)連接，N為大于1的自然數(shù)。

所述加熱電路還包括平滑濾波電容，所述平滑濾波電容分別與所述諧振模塊和所述IGBT模塊相連。

具體地，所述開關(guān)單元的第一選擇端與所述第一諧振單元相連，所述開關(guān)單元的第二選擇端與所述第二諧振單元相連，所述開關(guān)單元的公共端與所述補(bǔ)償電感模塊相連，所述開關(guān)單元的控制端與所述控制模塊相連。

基于上述方面的加熱電路，本實(shí)用新型的電飯煲，包括上述的加熱電路。

本實(shí)用新型的電飯煲，采用上述方面的加熱電路，通過在加熱電路中增加補(bǔ)償電感模塊，可以使得諧振電路的線盤的繞制簡單，降低IGBT模塊的損耗和溫升。

附圖說明

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的加熱電路的功能框圖；

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的加熱電路的功能框圖；

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的加熱電路的示意圖；

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體實(shí)施例的加熱電路的示意圖；

圖5是根據(jù)本實(shí)用新型的再一個(gè)具體實(shí)施例的加熱電路的示意圖；

圖6是根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施例的加熱電路的示意圖；

圖7是根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施例的加熱電路的示意圖；

圖8是根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施例的加熱電路的示意圖；以及

圖9是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電飯煲的框圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

下面參照附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例提出的加熱電路和采用該加熱電路的電飯煲。

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱電路的功能框圖，如圖1所示，該加熱電,100包括諧振模塊10、補(bǔ)償電感模塊20、IGBT模塊30和控制模塊40。

諧振模塊10包括M個(gè)諧振單元11(例如IH加熱線盤電路)和諧振電容12，M個(gè)諧振單元11與諧振電容12分別相互并聯(lián)或串聯(lián)連接，即言，M個(gè)諧振單元11共用一個(gè)諧振電容12，對(duì)于諧振單元與諧振電容12的連接將在以下實(shí)施例中進(jìn)一步說明；補(bǔ)償電感模塊20與諧振模塊10相連，基于不同需要的考慮，將在下面的實(shí)施例中對(duì)補(bǔ)償電感模塊20的具體鏈接關(guān)系進(jìn)行描述。IGBT模塊30與諧振模塊10相連，控制模塊40與IGBT模塊30相連。

在工作時(shí)，控制模塊40控制IGBT模塊30的通斷，IGBT模塊30驅(qū)動(dòng)諧振模塊10的諧振單元，M個(gè)諧振單元11共用1個(gè)諧振電容12，M個(gè)諧振單元11分別與諧振電容12構(gòu)成諧振回路以產(chǎn)生加熱渦流，基于電磁感應(yīng)對(duì)鍋具進(jìn)行加熱。但是，多個(gè)諧振單元11的輸出功率往往存在一定差異，M個(gè)諧振單元11共用1個(gè)諧振電容12容易出現(xiàn)一些諧振單元輸出不匹配的情況，而只是通過改變諧振電路中線盤的繞制，往往會(huì)受到線盤所處空間的限制，達(dá)不到預(yù)想的效果，考慮到電感具有感抗隨頻率變化的特性，可以根據(jù)具體情況在M個(gè)諧振單元11的電路中接入補(bǔ)償電感，補(bǔ)償電感模塊20的電感量根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定，例如考慮諧振單元設(shè)置空間對(duì)諧振單元的線盤的繞制的限制，再例如考慮M個(gè)諧振單元11的功率輸出情況，對(duì)相應(yīng)的諧振電路進(jìn)行電感補(bǔ)償，以使得諧振單元與諧振電容12的功率輸出更加容易匹配，諧振單元的線盤繞制更加簡單。

本實(shí)用新型的加熱電路100，通過添加補(bǔ)償電感模塊20，諧振單元與諧振電容12的輸出更加容易匹配，降低IGBT模塊30的開關(guān)損耗和溫升，諧振單元的線盤的繞制更加簡單。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，如圖2所述，諧振模塊10還包括開關(guān)單元13，開關(guān)單元13分別與M個(gè)諧振單元11和控制模塊40相連，控制模塊40根據(jù)加熱設(shè)置參數(shù)控制開關(guān)單元13以切換M個(gè)諧振單元11，實(shí)現(xiàn)輸出功率的切換。

為了方便描述，以下實(shí)施例中以諧振模塊10包括兩個(gè)諧振單元和1個(gè)諧振電容為例進(jìn)行說明。具體地，如圖3所示，M＝2，諧振模塊10包括第一諧振單元111、第二諧振單元112和諧振電容12，第一諧振單元111和第二諧振單元112分別與諧振電容12并聯(lián)或串聯(lián)連接，例如，第一諧振單元111與諧振電容12并聯(lián)且第二諧振單元112也與諧振電容12并聯(lián)連接，或者，第一諧振單元111與諧振電容12串聯(lián)且第二諧振單元112也與諧振電容12串聯(lián)。

其中，對(duì)于輸出功率偏小的諧振單元的電感量不足，增加IGBT模塊30的開關(guān)損耗和溫升的問題，可以在輸出功率偏小的諧振單元側(cè)增加補(bǔ)償電感，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，第二諧振單元112的輸出功率小于第一諧振單元111的輸出功率，補(bǔ)償電感模塊20包括第一補(bǔ)償電感21，第一補(bǔ)償電感21與第二諧振單元112串聯(lián)連接且與第一諧振單元111并聯(lián)連接。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，第一補(bǔ)償電感21為K個(gè)，其中，K為自然數(shù)，可以根據(jù)具體情況選擇第一補(bǔ)償電感21的數(shù)量及其電感量。通過為第二諧振單元112補(bǔ)償電感量，即低功率諧振電路串聯(lián)補(bǔ)償電感，可以達(dá)到與諧振電容低功率輸出匹配的效果，降低IGBT模塊30的損耗和溫升。

另外，考慮到線盤的設(shè)置空間的限制，在不考慮成本的前提下，也可以在第一諧振單元111的電路上串聯(lián)一個(gè)補(bǔ)償電感，即言，在第一諧振單元111和第二諧振單元112分支分別設(shè)置補(bǔ)償電感。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，補(bǔ)償電感模塊20還包括第二補(bǔ)償電感，第二補(bǔ)償電感與第一諧振單元111串聯(lián)連接且與第二諧振單元112并聯(lián)連接。在一些實(shí)施例中，第二補(bǔ)償電感為M個(gè)，其中，M為自然數(shù)。實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)具體情況選擇第二補(bǔ)償電感的數(shù)量及其電感量，一般地，功率輸出偏小的諧振電路的補(bǔ)償電感要大于輸出功率偏大的諧振電路的補(bǔ)償電感，以免兩者的輸出功率差太大，不容易與諧振電容12進(jìn)行匹配。

如圖2所示，加熱電路100還包括平滑濾波電容14，平滑濾波電容14分別與諧振模塊10和IGBT模塊30相連。

下面以幾個(gè)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱電路100的連接進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施例1，參照?qǐng)D3所示，其中，開關(guān)單元13的公共端1分別與平滑濾波電容14的一端1a和諧振電容12的一端1b相連，平滑濾波電容14的另一端2a與IGBT模塊30的第一端1c相連，諧振電容12的另一端與IGBT模塊30的第二端2c相連，開關(guān)單元13的第一選擇端2與第一諧振單元111(例如IH加熱線盤2)的一端1d相連，第一諧振單元111的另一端2d與IGBT模塊30的第二端2c相連，開關(guān)單元13的第二選擇端3與第一補(bǔ)償電感21的一端1e相連，第一補(bǔ)償電感21的另一端2e與第二諧振單元112(例如IH加熱線盤1)的一端1f相連，第二諧振單元112的另一端2f與IGBT模塊30的第二端2c相連，IGBT模塊30的控制端與控制模塊40相連，開關(guān)單元12的控制端與控制模塊40相連。在本實(shí)施例中，諧振電容12分別與第一諧振單元111和第二諧振單元112并聯(lián)連接，第一補(bǔ)償電感21與第二諧振單元112串聯(lián)連接而與第一諧振單元111并聯(lián)連接。

實(shí)施例2，如圖4所示，其中，開關(guān)單元13的公共端1分別與諧振電容12的一端1b和IGBT模塊30的第二端2c相連，諧振電容12的另一端2b分別與平滑濾波電容14的一端1a、第一補(bǔ)償電感21的一端1e和第一諧振單元111的一端1d相連，第一補(bǔ)償電感21的另一端2e與第二諧振單元112的一端1f相連，開關(guān)單元13的第一選擇端2與第一諧振單元111的另一端2d相連，開關(guān)單元13的第二選擇端3與第二諧振單元112的另一端2f相連，開關(guān)單元13的控制端與控制模塊40相連，IGBT模塊20的第一端1c與平滑濾波電容14的另一端2a相連，IGBT模塊30的控制端與控制模塊40相連，開關(guān)單元13的控制端與控制模塊40相連。在本實(shí)施例中，諧振電容12分別與第一諧振單元111和第二諧振單元112并聯(lián)連接，第一補(bǔ)償電感21與第二諧振單元112串聯(lián)連接而與第一諧振單元111并聯(lián)連接，相比于實(shí)施例1，開關(guān)單元13的位置不同。

實(shí)施例3，如圖5所示，其中，開關(guān)單元13的公共端1與平滑濾波電容14的一端1a相連，平滑濾波電容14的另一端2a分別與諧振電容12的一端1b和IGBT模塊30的一端1c相連，開關(guān)單元13的第一選擇端2與第一諧振單元111的一端1d相連，第一諧振單元111的另一端2d分別與諧振電容12的另一端2b和IGBT模塊30的第二端2c相連，所述開關(guān)單元13的第二選擇端3與所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e相連，所述第一補(bǔ)償電感21的另一端2e與所述第二諧振單元112的一端1f相連，所述第二諧振單元112的另一端2f分別與所述諧振電容12的另一端2b和所述IGBT模塊30的第二端2c相連，所述IGBT模塊30的控制端與所述控制模塊40相連，所述開關(guān)單元12的控制端與所述控制模塊40相連。在本實(shí)施例中，諧振電容12分別與第一諧振單元111和第二諧振單元112串聯(lián)連接，第一補(bǔ)充電感21與第二諧振單元112串聯(lián)連接且與第一諧振單元111并聯(lián)連接。

實(shí)施例4，如圖6所示，其中，所述開關(guān)單元13的公共端1分別與所述諧振電容12的另一端2b和所述IGBT模塊30的第二端2c相連，所述開關(guān)單元13的第一選擇端2與所述第一諧振單元111的另一端2d相連，所述第一諧振單元111的一端1d與所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述開關(guān)單元13的第二選擇端3與所述第二諧振單元112的另一端2f相連，所述第二諧振單元112的一端1f與第一補(bǔ)償電感21的另一端2e相連，所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e與所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述平滑濾波電容14的另一端2a分別與所述諧振電容12的一端1b和所述IGBT模塊30的第一端1c相連，所述IGBT模塊30的控制端與所述控制模塊40相連，所述開關(guān)單元12的控制端與所述控制模塊40相連。在本實(shí)施例中，諧振電容12分別與第一諧振單元111和第二諧振單元112串聯(lián)連接，第一補(bǔ)充電感21與第二諧振單元112串聯(lián)連接且與第一諧振單元111并聯(lián)連接，其中，相較于實(shí)施例3，開關(guān)單元13的位置不同。

實(shí)施例5，補(bǔ)償電感模塊20還可以串聯(lián)在開關(guān)單元13的公共端1，具體地址，開關(guān)單元13的第一選擇端2與第一諧振單元111相連，開關(guān)單元13的第二選擇端3與第二諧振單元112相連，開關(guān)單元13的公共端1與補(bǔ)償電感模塊20相連，開關(guān)單元13的控制端與控制模塊40相連，即第一諧振單元111和第二諧振單元112共用補(bǔ)償電感模塊20，補(bǔ)償電感模塊20的電感量的選擇可以根據(jù)第一諧振單元111和第二諧振單元112的輸出功率的差值來確定。在本實(shí)施例中，諧振電容12分別與諧振單元串聯(lián)連接。

概括來說，加熱電路100包括第一諧振單元111例如第一加熱線盤電路，第二諧振單元112例如第二路加熱線盤電路，補(bǔ)償電感模塊20，諧振電容12、平滑濾波電容14、開關(guān)單元13、IGBT模塊30和控制模塊40，IGBT模塊30控制兩個(gè)諧振電路，兩個(gè)諧振電路共用一個(gè)諧振電容12，通過開關(guān)單元13切換兩個(gè)諧振電路，低功率諧振電路串聯(lián)補(bǔ)償電感，從而達(dá)到與諧振電容低功率輸出匹配，降低IGBT模塊30的損耗和溫升。

另外，補(bǔ)償電感模塊20還可以連接多個(gè)加熱線盤，具體地，第二諧振單元112包括一個(gè)或多個(gè)加熱線盤，其中，多個(gè)加熱線盤分別相互并聯(lián)或串聯(lián)連接且分別與第一補(bǔ)償電感21串聯(lián)連接。

如圖7所示，多個(gè)加熱線盤分別相互并聯(lián)連接，以第二諧振單元112包括兩個(gè)加熱線盤例如第一加熱線盤1121和第二加熱線盤1122，為例，第一諧振單元111例如加熱線盤的一端1d分別與第一補(bǔ)償電感21的一端1e和平滑濾波電容14的一端1a相連，平滑濾波電容14的另一端2a與IGBT模塊30的第一端1c相連，第一諧振單元111的另一端與開關(guān)單元13的第一選擇端2相連，諧振電容12的一端1b分別與第一補(bǔ)償電感21的一端1e和平滑濾波電容的一端1a相連，諧振電容12的另一端2b分別與開關(guān)單元12的公共端1和IGBT模塊30的第二端2c相連，第一加熱線盤1121的一端01f與所述第一補(bǔ)償電感21的另一端2e相連，第一加熱線盤1121的另一端02f與開關(guān)單元13的第二選擇端3相連，第二加熱線盤1122的一端01g與第一補(bǔ)償電感21的另一端2e相連，第二加熱線盤1122的另一端02g與開關(guān)單元13的第三選擇端4相連。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，多個(gè)諧振模塊也可以共用一個(gè)補(bǔ)償電感模塊20。具體來說，加熱電路100包括N個(gè)諧振模塊10和N個(gè)IGBT模塊30，N個(gè)諧振模塊10與所述N個(gè)IGBT模塊30一一對(duì)應(yīng)連接，每個(gè)諧振模塊10中的第二諧振單元112共用所述第一補(bǔ)償電感21且分別與所述第一補(bǔ)償電感21串聯(lián)連接，N為大于1的自然數(shù)。

為了便于說明，以N＝2為例進(jìn)行描述，其中，如圖8所示，所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e與所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述平滑濾波電容14的另一端2a分別與所述一個(gè)IGBT模塊30的第一端1c1和另一個(gè)IGBT模塊30＇的第一端相連2c1相連；在一個(gè)諧振模塊例如圖8中下面的諧振模塊中，所述第一諧振單元111的一端1d1分別與所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e和所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述第一諧振單元111的另一端2d1與所述開關(guān)單元13的第一選擇端2相連，所述諧振電容12的一端1b1分別與所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e和所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述諧振電容12的另一端2b1分別與所述開關(guān)單元12的公共端1和所述一個(gè)IGBT模塊30的第二端2c1相連，所述一個(gè)IGBT模塊30的控制端與所述控制模塊40相連，所述第二諧振單元112的一端1f1與所述第一補(bǔ)償電感21的另一端2e相連，所述第二諧振單元112的另一端2f1與所述開關(guān)單元13的第二選擇端3相連，所述開關(guān)單元13的控制端與所述控制模塊40相連。在另一個(gè)諧振模塊如圖8上面的諧振模塊中，所述第一諧振單元111的一端1d2分別與所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e和所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述第一諧振單元111＇的另一端2d2與所述開關(guān)單元13＇的第一選擇端2＇相連，所述諧振電容12＇的一端1b2分別與所述第一補(bǔ)償電感21的一端1e和所述平滑濾波電容14的一端1a相連，所述諧振電容12＇的另一端2b2分別與所述開關(guān)單元13＇的公共端1＇和所述另一個(gè)IGBT模塊30＇的第二端2c2相連，所述另一個(gè)IGBT模塊30＇的控制端與所述控制模塊40相連，所述第二諧振單元112＇的一端1f2與所述第一補(bǔ)償電感21的另一端2e相連，所述第二諧振單元112＇的另一端2f2與所述開關(guān)單元13＇的第二選擇端3＇相連，所述開關(guān)單元13＇的控制端與所述控制模塊40相連。

需要說明的是，補(bǔ)償電感模塊20包括的電感數(shù)量以及設(shè)置的位置和電感量的選擇可以根據(jù)具體情況進(jìn)行確定，以上只是舉例說明，其他可預(yù)見的電路的變形電路也屬于本實(shí)用新型的限定范圍內(nèi)。

基于上述方面實(shí)施例的加熱電路，下面參照附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型另一方面實(shí)施例提出的電飯煲。

圖9是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電飯煲的框圖，該電飯煲1000包括上述方面實(shí)施例的加熱電路100。

例如對(duì)于IH電飯煲，設(shè)置有多個(gè)諧振電路，往往會(huì)出現(xiàn)線盤設(shè)置空間限制使得線盤不容易繞制的情況，或者諧振電路輸出不匹配，增加IGBT模塊損耗和溫升的情況，本實(shí)用新型的電飯煲1000采用上述方面實(shí)施例的加熱電路100，通過在加熱電路100中增加補(bǔ)償電感模塊，可以使得諧振電路的線盤的繞制簡單，降低IGBT模塊的損耗和溫升。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。