異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)系統(tǒng)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)系統(tǒng)和一種異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在ACF (異方向性導(dǎo)電膠膜)處理工序中，通過ACF貼附裝置一邊牽引ACF，一邊對其進(jìn)行切割的方式，然后將切割好的ACF貼覆于基板上。其中，牽引ACF不穩(wěn)定以及機(jī)構(gòu)磨損會影響切割精度，導(dǎo)致切割得到的ACF面積與待貼覆的基板面積不相符，進(jìn)而影響貼覆精度。
[0003]針對上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中所采用的方案是增加固定卡板及引出卡板的表面摩擦力，或者直接更換卡盤，以穩(wěn)定地牽引AFC，從而使得貼付精度提高。但該種方案操作起開難度較大，而且開銷較高，更重要的是無法徹底改善對ACF的牽引精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何提高對異方向性導(dǎo)電膠膜的牽引精度。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)系統(tǒng)，包括:
[0006]切割元件，用于切割異方向性導(dǎo)電膠膜；
[0007]圖像采集元件，按照預(yù)定周期采集異方向性導(dǎo)電膠膜的切痕圖像；
[0008]處理元件，將所述切痕圖像與預(yù)定圖像進(jìn)行比較，以確定所述切痕圖像中切痕相對于所述預(yù)定圖像中切痕的偏移量；
[0009]牽引元件，用于牽引異方向性導(dǎo)電膠膜，并根據(jù)所述偏移量調(diào)整牽引異方向性導(dǎo)電膠膜的速度。
[0010]優(yōu)選地，所述圖像采集元件中設(shè)置有標(biāo)尺，所述切痕圖像中切痕與所述標(biāo)尺成第一關(guān)系，所述預(yù)定圖像中切痕與所述標(biāo)尺成第二關(guān)系，
[0011]其中，所述處理元件將所述第一關(guān)系與所述第二關(guān)系進(jìn)行比較，以確定所述偏移量。
[0012]優(yōu)選地，所述圖像采集元件包括:
[0013]圖像傳感器，按照預(yù)定周期采集所述切痕圖像；
[0014]數(shù)據(jù)處理卡，在所述切痕圖像中生成標(biāo)尺，確定所述切痕圖像中切痕與所述標(biāo)尺的第一關(guān)系，
[0015]其中，所述預(yù)定圖像中切痕與所述標(biāo)尺成第二關(guān)系，
[0016]所述處理元件將所述第一關(guān)系與所述第二關(guān)系進(jìn)行比較，以確定所述偏移量。
[0017]優(yōu)選地，所述圖像采集元件還用于對所述切痕圖像進(jìn)行編碼，所述處理元件還用于對編碼后的切痕圖像進(jìn)行解碼。
[0018]優(yōu)選地，所述牽引元件包括:
[0019]可編程邏輯控制器，用于根據(jù)所述偏移量進(jìn)行邏輯運(yùn)算，以得到牽引速度的改變量;
[0020]驅(qū)動電機(jī)，根據(jù)所述牽引速度的改變量調(diào)整牽引異方向性導(dǎo)電膠膜的速度。
[0021]優(yōu)選地，還包括:
[0022]設(shè)置元件，根據(jù)接收到的指令設(shè)置所述預(yù)定周期和/或補(bǔ)正精度，
[0023]其中，所述牽引元件在所述偏移量大于或等于所述補(bǔ)正精度時，調(diào)整牽引異方向性導(dǎo)電膠膜的速度。
[0024]優(yōu)選地，所述處理元件在所述切痕圖像中未檢測到切痕時發(fā)出提示信息。
[0025]本發(fā)明還提出了一種異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)方法，包括:
[0026]按照預(yù)定周期采集異方向性導(dǎo)電膠膜的切痕圖像；
[0027]將所述切痕圖像與預(yù)定圖像進(jìn)行比較，以確定所述切痕圖像中切痕相對于所述預(yù)定圖像中切痕的偏移量；
[0028]根據(jù)所述偏移量調(diào)整牽引異方向性導(dǎo)電膠膜的速度。
[0029]優(yōu)選地，采集所述切痕圖像包括:
[0030]在所述切痕圖像中生成標(biāo)尺，確定所述切痕圖像中切痕與所述標(biāo)尺的第一關(guān)系，
[0031]其中，所述預(yù)定圖像中切痕與所述標(biāo)尺成第二關(guān)系，
[0032]確走所述偏移星包括:
[0033]將所述第一關(guān)系與所述第二關(guān)系進(jìn)行比較，以確定所述偏移量。
[0034]優(yōu)選地，還包括:
[0035]根據(jù)接收到的指令設(shè)置所述預(yù)定周期和/或補(bǔ)正精度，
[0036]確定所述偏移量還包括:在所述偏移量大于或等于所述補(bǔ)正精度時，調(diào)整牽引異方向性導(dǎo)電膠膜的速度。
[0037]根據(jù)上述技術(shù)方案，通過在切割元件切割A(yù)CF的過程中自動調(diào)整牽引元件對ACF的牽引速度，可以保證牽引元件的牽引速度與預(yù)定牽引速度相符，進(jìn)而保證切割元件在ACF上的切痕間距相同，使得切割后的ACF能夠與基板面積相對應(yīng)，從而良好地貼覆于基板。
【附圖說明】
[0038]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0039]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的切痕圖像中切痕與標(biāo)尺的關(guān)系示意圖；
[0041]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的預(yù)定圖像中切痕與標(biāo)尺的關(guān)系示意圖；
[0042]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的信號流向示意圖；
[0043]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的異方向性導(dǎo)電膠膜切割校準(zhǔn)方法的示意流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0045]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0046]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的異方向性導(dǎo)電膠膜(以下為了描述簡潔，用ACF表示異方向性導(dǎo)電膠膜)切割校準(zhǔn)系統(tǒng)，包括:
[0047]切割元件11，用于切割A(yù)CF ;
[0048]圖像采集元件12，按照預(yù)定周期采集ACF的切痕圖像；
[0049]處理元件13，將切痕圖像與預(yù)定圖像進(jìn)行比較，以確定切痕圖像中切痕相對于預(yù)定圖像中切痕的偏移量；
[0050]牽引元件14，用于牽引ACF，并根據(jù)偏移量調(diào)整牽引ACF的速度。
[0051]切割元件11只會切開ACF表面的膠體，而不會切斷膠體之下的膜，從而不會切斷ACF，只會在ACF表面留下切痕。其中切割元件11的切割頻率是固定的，因此可以設(shè)置預(yù)定周期，使得圖像采集元件12每次采集到的切痕圖像中一般都會存在切痕，如果處理元件13沒有在切痕圖像中檢測到切痕，說明切割的偏移量過大，屬于設(shè)備故障的等級，需要發(fā)出警報。以下僅針對切痕圖像中存在切痕的情況進(jìn)行論述。
[0052]牽引元件14在接收到切痕圖像中切痕相對于預(yù)定圖像中切痕的偏移量Δχ之后，獲取預(yù)定圖像中切痕與切割元件11的距離S和牽引元件14當(dāng)前的牽引速度V1，其中S在預(yù)先設(shè)定預(yù)定圖像時已確定，Vl則可以直接獲取。判斷偏移量ΛΧ的正負(fù)，若偏移量Λχ*正，貝1J判定牽引元件14當(dāng)前的牽引速度V1K形成預(yù)定圖像中切痕時的牽引速度Vci快，則需要將牽引速度V1下調(diào)，下調(diào)量V i △ X/ (S+ △ X)，使得下調(diào)后的速度趨于V(l，具體推理過程如下:
[0053]由于形成切痕圖像中切痕和形成預(yù)定圖像中切痕的預(yù)定周期是相同的，因此可以得出
[0054]S/v0= (S+Δ X)/v i，即 V。= S v J (S+ Δ χ),
[0055]而牽引元件14當(dāng)前的牽引速度V1K形成預(yù)定圖像中切痕時的牽引速度V 快，因此需要下調(diào)V1，即下調(diào)量
[0056]Δ V = V1-V0= V「S V1/ (S+ Δ x) = V1 Δ x/ (S+ Δ χ)。
[0057]同理，若偏移量Δχ為負(fù)，則判定牽引元件14當(dāng)前的牽引速度V1K形成預(yù)定圖像中切痕時的牽引速度V漫，則需要將牽引速度V ^，上調(diào)量V i Ax/(S-Ax)，使得上調(diào)后的速度趨于Vtl，具體推理過程如下:
[0058]由于形成切痕圖像中切痕和形成預(yù)定圖像中切痕的預(yù)定周期是相同的，因此可以得出
[0059]S/v0= (S-Ax)ZV1JPv0=S v J (S- Δ χ),
[0060]而牽引元件14當(dāng)前的牽引速度V1K形成預(yù)定圖像中切痕時的牽引速度V 慢，因此需要上調(diào)V1，即上調(diào)量
[0061 ] Δ V = V1-V0 =V1-S V1/ (S- Δ x) =V1Ax/ (S- Δ χ) 0
[0062]通過在切割元件11切割A(yù)CF的過程中自動調(diào)整牽引元件14對ACF的牽引速度，可以保證牽引元件14的牽引速度與預(yù)定牽引速度(即Vtl)相符，進(jìn)而保證切割元件在ACF上的切痕間距相同，使得切割后的ACF能夠與基板面積相對應(yīng)，從而良好地貼覆于基板。
[0063]優(yōu)選地，ACF切割校準(zhǔn)系統(tǒng)還可以包括固定卡盤15和引出卡盤16，牽引元件14調(diào)整牽引速度可以通過控制固定卡盤15和引出卡盤16來實(shí)現(xiàn)。
[0064]優(yōu)選地，圖像采集元件12中設(shè)置有標(biāo)尺，切痕圖像中切痕21與標(biāo)尺成第一