背景技術(shù)：

噴墨打印機(jī)可以包括例如打印頭之類的流體噴射裝置，以將例如墨之類的標(biāo)記材料的液滴噴射到例如紙之類的可打印介質(zhì)上。例如，打印頭可在打印頭和紙之間發(fā)生相對運動時將墨滴噴射到紙上。在一些示例中，例如在涉及熱噴墨打印頭的示例中，可響應(yīng)于加熱墨來噴射墨滴。在一些示例中，可以使用例如光刻技術(shù)之類的光成像技術(shù)來形成打印頭。

附圖說明

圖1a-1j是形成打印頭的一個示例的各示例性階段期間的剖視圖。

圖2a-2b是形成打印頭的一個示例的各示例性階段期間的剖視圖。

圖3是形成打印頭的方法的一個示例的流程圖。

圖4是形成打印頭的方法的一個示例的流程圖。

具體實施方式

例如熱噴墨打印頭之類的打印頭有時包括處于電阻器之上的腔室(例如，有時稱為噴發(fā)腔室(firingchamber))。例如，在操作期間，例如響應(yīng)于電阻器中的耗散電流，被接收在噴發(fā)腔室中的墨可被電阻器加熱。墨的加熱可致使在與電阻器相鄰的墨中形成蒸氣泡，該蒸氣泡從腔室噴射處于氣泡之上的墨。

在本文所論述的一些示例中，可以在電阻器之上以及在電阻器之間的區(qū)域之上形成金屬導(dǎo)體。然后，可以從電阻器之間的區(qū)域之上去除金屬導(dǎo)體的傾斜段。例如，金屬導(dǎo)體的傾斜段可以是在形成電阻器時可能形成的電阻器之間的區(qū)域中的傾斜表面上形成金屬導(dǎo)體的結(jié)果。該金屬導(dǎo)體有時可被稱為氣蝕層(cavitationlayer)，例如，原因在于該金屬導(dǎo)體可以作用于抵抗由于電阻器加熱墨時在墨中產(chǎn)生的蒸氣泡的反復(fù)塌縮而產(chǎn)生的力。

傾斜段的去除用于防止當(dāng)傾斜段未被去除時在形成噴發(fā)腔室期間可能發(fā)生的來自傾斜段的表面的電磁輻射的反射，該電磁輻射例如紫外線輻射。在一些示例中，可以使用例如光刻法之類的光成像來形成噴發(fā)腔室。例如，諸如光致抗蝕劑之類的可光成像材料可以形成在電阻器之上以及電阻器之間的區(qū)域之上。在一些示例中，處于電阻器之間的區(qū)域之上的可光成像材料可以暴露于輻射，而電阻器之上的可光成像材料被覆蓋，例如使用掩模來覆蓋。

然后，例如有時稱為顯影劑的溶劑可以被施加于可光成像材料，以去除電阻器之上的被覆蓋的可光成像材料，從而在電阻器之上形成噴發(fā)腔室，并且將暴露于輻射且無法通過溶劑去除的可光成像材料留在電阻器之間。

然而，在金屬導(dǎo)體的傾斜表面未從電阻器之間的區(qū)域被去除的示例中，該傾斜表面可將輻射反射到電阻器之上的被覆蓋的可光成像材料中，從而使電阻器之上的至少一些可光成像材料暴露于輻射。結(jié)果，在施加溶劑之后，一些暴露的可光成像材料可能留在電阻器之上的噴發(fā)腔室中，原因在于溶劑將不會去除暴露的可光成像材料。

圖1a-1j是形成打印頭的一個示例的各示例性階段期間的剖視圖。在圖1a中，例如鋁銅(alcu)之類的金屬導(dǎo)體102(例如，一層導(dǎo)電金屬材料，諸如一定厚度的導(dǎo)電金屬材料等)形成在例如teos(正硅酸乙酯)之類的電介質(zhì)104之上。在一些示例中，金屬導(dǎo)體102形成為與電介質(zhì)104的上表面105直接物理接觸。

然后，開口106形成在金屬導(dǎo)體102中，以暴露部分的上表面105。例如，可以通過圖案化(pattern)金屬導(dǎo)體102并去除金屬導(dǎo)體102的暴露部分來形成開口106。例如，掩模(未示出)可以形成在金屬導(dǎo)體102之上，并被圖案化，以限定金屬導(dǎo)體102的用于去除的部分，所述掩模例如成像抗蝕劑，諸如光致抗蝕劑等。金屬導(dǎo)體102的為去除而限定的部分隨后例如通過蝕刻來去除，以形成可終止于上表面105處的開口106。在一些示例中，去除過程使金屬導(dǎo)體102的剩余部分107具有傾斜(例如，有坡度，例如成一定角度傾斜等)的側(cè)壁108，該側(cè)壁108也形成開口106的傾斜側(cè)壁。

然后，在電介質(zhì)104之上的開口106中以及在金屬導(dǎo)體102的剩余部分107之上形成電阻材料109(例如，一層電阻材料109，諸如一定厚度的電阻材料109等)，例如氮化鎢硅化物(tungstensilicidenitride，wsin)等。在一些示例中，開口106中的電阻材料109形成為與電介質(zhì)104的上表面105直接物理接觸，并且金屬導(dǎo)體102的剩余部分107之上的電阻材料109形成為與金屬導(dǎo)體102的剩余部分107的上表面和傾斜側(cè)壁108直接物理接觸。

在一些示例中，電介質(zhì)104可以形成在例如硅之類的半導(dǎo)體(未示出)之上。在一些示例中，其他電介質(zhì)(未示出)可處于半導(dǎo)體和電介質(zhì)104之間。

在圖1b的示例中，電阻器110(例如，電阻器110-1至110-3)在電介質(zhì)104之上由金屬導(dǎo)體102中的開口106中的電阻材料109形成。例如，電阻器110-1至110-3分別形成在與金屬導(dǎo)體102中的開口106相對應(yīng)的位置。例如，電阻器110以及包括金屬導(dǎo)體102之上的電阻材料109的導(dǎo)體電阻(例如，alcu-wsin)堆疊114可以在如下過程的同時形成，即：從圖1a的結(jié)構(gòu)去除電阻材料109的一部分和金屬導(dǎo)體102的一部分，以暴露處于電阻器110和堆疊114之間的區(qū)域112中的電介質(zhì)104的表面，如圖1b中所示。

在一些示例中，電阻器110和堆疊114可以通過如下方式來形成，即：對應(yīng)于電阻器110，圖案化開口106中的電阻材料109，以及對應(yīng)于堆疊114，圖案化導(dǎo)體102的剩余部分107之上的電阻材料109。去除開口106中的電阻材料109的暴露部分，從而留下電阻器110，并且去除電阻材料109的暴露部分以及導(dǎo)體102的剩余部分107的處于電阻材料109的暴露部分之下的部分，從而留下堆疊114，如圖1b中所示。

例如，掩模(未示出)可以形成在電阻材料109之上，并被圖案化，以限定用于去除的電阻材料109的部分和導(dǎo)體102的剩余部分107的處于電阻材料109之下的部分，所述掩模例如成像抗蝕劑，諸如光致抗蝕劑等。為去除而限定的電阻材料109的所述部分和導(dǎo)體102的剩余部分107的處于電阻材料109之下的所述部分隨后被去除，例如通過諸如干法蝕刻之類的蝕刻來去除，從而留下電阻器110和堆疊114。

去除過程繼續(xù)，直到導(dǎo)體102的剩余部分107的為去除而限定的部分被去除。這致使電介質(zhì)104中的一些被去除。電介質(zhì)104的去除使電介質(zhì)104在電阻器110和堆疊114之間的區(qū)域112中具有暴露的傾斜(例如，有坡度的，例如成一定角度傾斜的)表面116(例如，其在圖1b中可以從水平方向傾斜大約5度至大約10度)。注意，圖1b和后續(xù)附圖中的傾斜表面116的傾斜度非按比例繪制。

注意，傾斜表面116處于相鄰(例如，接連相鄰)的電阻器110之間，例如電阻器110-1和110-2之間以及電阻器110-2和110-3之間。傾斜表面116至少部分地由于去除導(dǎo)體102的剩余部分107的傾斜側(cè)壁108而產(chǎn)生。例如，去除電阻材料109和導(dǎo)體102可以形成傾斜表面116。

在一些示例中，堆疊114中的導(dǎo)體102可被電耦接到電阻器110-1至110-3中的相應(yīng)電阻器。例如，堆疊114中的導(dǎo)體102可以形成向電阻器110-1至110-3供應(yīng)電流以引起電阻器110-1至110-3的加熱的電路的返回部分。

在圖1b的結(jié)構(gòu)之上形成電介質(zhì)120(例如，一層介電材料，例如一定厚度的介電材料)，例如碳化硅(sic)或氮化硅(si3n4)或者碳化硅和氮化硅的組合，如圖1c的示例中所示。例如，電介質(zhì)120形成在電阻器110、暴露的電介質(zhì)104和堆疊114之上。例如，電介質(zhì)120的一部分形成在電阻器110-1至110-3之上，并且電介質(zhì)120的另一部分形成在處于接連相鄰的電阻器110-1和110-2之間的區(qū)域中以及處于接連相鄰的電阻器110-2和110-3之間的區(qū)域中的電介質(zhì)104的暴露的傾斜表面116之上。在一些示例中，電介質(zhì)120可被稱為鈍化材料，例如鈍化電介質(zhì)，并且可至少作用于保護(hù)例如電阻器110-1至110-3和電介質(zhì)104之類的底層結(jié)構(gòu)免受墨的不利影響。

在一些示例中，電介質(zhì)120的形成在電阻器110-1至110-3之上的部分形成為與電阻器110-1至110-3(例如，與其上表面)直接物理接觸，并且電介質(zhì)120的形成在電介質(zhì)104的暴露的傾斜表面116之上的部分形成為與電介質(zhì)104的傾斜表面116直接物理接觸。在一些示例中，具有傾斜表面124的電介質(zhì)120的傾斜部分(例如，傾斜段)122處于電介質(zhì)104的傾斜表面116之上(例如，正上方)并且與之直接物理接觸，如圖1c中所示。

在圖1c的示例中，金屬導(dǎo)體125(例如，一層導(dǎo)電金屬材料，例如一定厚度的導(dǎo)電金屬材料)形成在電介質(zhì)120之上，該金屬導(dǎo)體125例如鉭或包括鉭的堆疊、處于鉭之上的鉑和處于鉑之上的鉭等。例如，金屬導(dǎo)體125形成在電介質(zhì)120的形成在電阻器110-1至110-3之上的部分之上以及電介質(zhì)120的形成在處于接連相鄰的電阻器110-1和110-2之間的區(qū)域中及處于接連相鄰的電阻器110-2和110-3之間的區(qū)域中的電介質(zhì)104的傾斜表面116之上的另一部分之上。在一些示例中，金屬導(dǎo)體125形成為與電介質(zhì)120的表面直接物理接觸，所述電介質(zhì)120的表面例如其上表面。在一些示例中，金屬導(dǎo)體125包括傾斜段130，其處于電介質(zhì)120的傾斜部分122的傾斜表面124之上(例如，正上方)并且與之直接物理接觸。在一些示例中，電介質(zhì)120可以作用于使例如電阻材料109之類的電阻材料和其他導(dǎo)體(未示出)與金屬導(dǎo)體125電隔離。

部分的金屬導(dǎo)體125被從圖1c的結(jié)構(gòu)中去除，如圖1d的示例中所示。例如，導(dǎo)體125的傾斜段130被從處于電阻器110和堆疊114之間的區(qū)域112中的電介質(zhì)120的傾斜部分122的傾斜表面124去除，以暴露區(qū)域112中的電介質(zhì)120的傾斜部分122的傾斜表面124，如圖1d中所示。也就是說，例如，傾斜段130被從處于接連相鄰的電阻器110-1和110-2之間的區(qū)域中以及處于接連相鄰的電阻器110-2和110-3之間的區(qū)域中的電介質(zhì)120的傾斜部分122(例如，傾斜部分122的傾斜表面124)去除。注意，傾斜段130的去除不會作用于使導(dǎo)體125電隔離。

在一些示例中，金屬導(dǎo)體125可以被圖案化，并且金屬導(dǎo)體125的暴露部分被去除，例如在電介質(zhì)120上停止。例如，掩模(未示出)可以形成在金屬導(dǎo)體125之上，并被圖案化，以限定金屬導(dǎo)體125的用于去除的部分，所述掩模例如成像抗蝕劑，諸如光致抗蝕劑等。隨后，例如通過諸如干法蝕刻或濕法蝕刻之類的蝕刻來去除金屬導(dǎo)體125的為去除而限定的部分，從而將金屬導(dǎo)體125的剩余部分留在電阻器110-1至110-3之上，并且在圖1d的示例中，留在堆疊114之上。

金屬導(dǎo)體125的分別保留在電阻器110-1至110-3之上的部分例如可以被稱為氣蝕板(cavitationplate)135。氣蝕板135，并且因此，金屬導(dǎo)體125的分別保留在電阻器110-1至110-3之上的部分作用于抵抗由于電阻器加熱墨時在墨中產(chǎn)生的蒸氣泡的反復(fù)塌縮而產(chǎn)生的力。該蒸氣泡用于從打印頭噴射處于氣泡之上的墨。

在例如圖2a的示例之類的一些示例中，金屬導(dǎo)體125也被從電介質(zhì)120的處于堆疊114之上的部分去除，同時導(dǎo)體125的傾斜段130被從電介質(zhì)120的傾斜表面124去除。也就是說，在圖2a的示例中，如圖1c中所示的導(dǎo)體125的傾斜段130被從電介質(zhì)120的傾斜表面124以及從電介質(zhì)120的處于堆疊114之上的部分去除。

在圖1d的結(jié)構(gòu)之上形成例如su-8光致抗蝕劑之類的可光成像材料(例如，電介質(zhì))140(例如，一層可光成像材料140，諸如一定厚度的可光成像材料140等)，如圖1e的示例中所示。例如，可以使用諸如真空旋涂工藝之類的旋涂工藝或干膜層壓工藝來形成可光成像材料140。

掩模142形成在可光成像材料140之上，使得電阻器110-1至110-3之上(例如，正上方)的區(qū)域被掩模142覆蓋。例如紫外線輻射(例如，具有大約365納米的波長)之類的電磁輻射145被引導(dǎo)到可光成像材料140和掩模142上，以將可光成像材料140的掩模142未覆蓋的區(qū)域暴露于輻射145，同時留下可光成像材料140的被掩模142覆蓋的區(qū)域未受輻射145照射。

輻射145使得可光成像材料140的暴露于輻射145的區(qū)域交聯(lián)，而留下可光成像材料140的未暴露的區(qū)域未交聯(lián)。例如，術(shù)語“未暴露”可以被認(rèn)為包括產(chǎn)生如下交聯(lián)水平的暴露水平，即：所述交聯(lián)水平當(dāng)存在于可光成像材料中時，將允許通過溶劑來去除該可光成像材料，所述溶劑例如顯影劑，諸如乳酸乙酯等。術(shù)語“未交聯(lián)”可以被認(rèn)為包括如下交聯(lián)水平，即：所述交聯(lián)水平當(dāng)存在于可光成像材料中時，將允許通過溶劑來去除該可光成像材料。

在一些示例中，光吸收劑(例如，有時稱為染料)可被添加到可光成像材料140。例如，光吸收劑可以用于增加可光成像材料140所吸收的輻射145的量。

在輻射145被施加于圖1e的結(jié)構(gòu)之后，將包括交聯(lián)的和未交聯(lián)的區(qū)域的所得到的結(jié)構(gòu)暴露于溶劑。所述溶劑通過去除未交聯(lián)的區(qū)域同時留下交聯(lián)的可光成像材料140的部分152而在未交聯(lián)的區(qū)域中形成開口150，如圖1f的示例中所示。

開口150暴露導(dǎo)體125的處于電介質(zhì)120的如下部分之上并與之直接物理接觸的部分，即：電介質(zhì)120的所述部分處于電阻器110-1至110-3之上并與之直接物理接觸。在一些示例中，交聯(lián)的可光成像材料140的部分152可以被稱為底漆部分(primerportion)。

應(yīng)當(dāng)注意的是，圖1d中從電介質(zhì)120的傾斜表面124去除金屬導(dǎo)體125的傾斜段130防止了當(dāng)傾斜段130未被從電介質(zhì)120的傾斜表面124去除時發(fā)生的輻射145從傾斜段130的表面的反射。傾斜段130可以將在其處接收的輻射145的相對較大的部分反射到可光成像材料140的被掩模142覆蓋的區(qū)域，該掩模142可導(dǎo)致在被掩模142覆蓋的區(qū)域中形成可能不能通過溶劑去除的交聯(lián)的可光成像材料140。

在掩模142所覆蓋的區(qū)域中形成交聯(lián)的可光成像材料140可以至少限制開口150的尺寸和/或可以潛在地防止開口150的形成。例如，在掩模142所覆蓋的區(qū)域中形成交聯(lián)的可光成像材料140可導(dǎo)致在部分152的側(cè)壁上形成過量的交聯(lián)的可光成像材料140，或者可以在導(dǎo)體125的處于電介質(zhì)120的如下部分之上并與之直接物理接觸的部分之上形成一層交聯(lián)的可光成象材料140，即：電介質(zhì)120的所述部分處于電阻器110-1至110-3之上并與之直接物理接觸。

然而，當(dāng)傾斜段130被去除時，相對于被傾斜段130反射的輻射145的量，電介質(zhì)120的剩余的傾斜表面124可以至少將反射到可光成像材料140的掩模142所覆蓋的區(qū)域的輻射145的量限制于如下水平，即：至少將交聯(lián)的量限于在掩模142之下形成的交聯(lián)的可光成像材料140不會對形成開口150構(gòu)成顯著障礙的水平。例如，處于掩模142之下的區(qū)域可能基本上不含無法通過溶劑來去除的任何交聯(lián)的可光成像材料140。

在其中電介質(zhì)120是碳化硅和氮化硅的組合且電介質(zhì)104是teos并且其中導(dǎo)體125是鉭的示例中，例如對于365納米加或減10納米的輻射波長而言，電介質(zhì)120在電介質(zhì)104之上的傾斜部分122的反射率比金屬導(dǎo)體125的傾斜段130的反射率小大約60％。

在圖1f的結(jié)構(gòu)之上形成例如su-8光致抗蝕劑之類的可光成像材料(例如，電介質(zhì))160(例如，一層可光成像材料160，諸如一定厚度的可光成像材料160等)，從而填充開口150，如圖1g的示例中所示。例如，可以使用諸如真空旋涂工藝之類的旋涂工藝或干膜層壓工藝來形成可光成像材料160。

掩模162形成在可光成像材料160之上，使得電阻器110-1至110-3之上(例如，正上方)的區(qū)域被掩模162覆蓋。輻射145被引導(dǎo)到可光成像材料160和掩模162上，以將可光成像材料160的掩模162未覆蓋的區(qū)域暴露于輻射145，同時留下可光成像材料160的被掩模162覆蓋的區(qū)域未受輻射145照射。輻射145使得可光成像材料160的暴露于輻射145的區(qū)域交聯(lián)，而留下可光成像材料160的未暴露的區(qū)域未交聯(lián)。

在輻射145被施加于圖1g的結(jié)構(gòu)之后，將包括交聯(lián)的和未交聯(lián)的區(qū)域的所得到的結(jié)構(gòu)暴露于溶劑。如圖1h的示例中所示，溶劑使開口150重新開放，并且通過去除未交聯(lián)的區(qū)域而在未交聯(lián)的區(qū)域中形成處于開口150之上并與開口150毗連的開口164，同時將交聯(lián)的可光成像材料160的部分168留在交聯(lián)的可光成像材料140的部分152之上。

毗連的開口150和164形成單一的連續(xù)開口165，該開口165暴露導(dǎo)體125的處于電介質(zhì)120的如下部分之上并與之直接物理接觸的部分，即：電介質(zhì)120的所述部分處于電阻器110-1至110-3之上并與之直接物理接觸。在一些示例中，部分168可以被稱為腔室部分(chamberportion)。

圖1d中從電介質(zhì)120的傾斜表面124去除金屬導(dǎo)體125的傾斜段130防止了當(dāng)傾斜段130未被去除時發(fā)生的輻射145從傾斜段130的表面反射到可光成像材料160的被掩模162所覆蓋的區(qū)域。這些反射可導(dǎo)致在掩模162所覆蓋的區(qū)域中形成可能不能通過溶劑去除的交聯(lián)的可光成像材料160。

在掩模162所覆蓋的區(qū)域中形成交聯(lián)的可光成像材料160可以至少限制開口164的尺寸和/或可以潛在地防止開口164的形成。例如，在掩模162所覆蓋的區(qū)域中形成交聯(lián)的可光成像材料160可導(dǎo)致在部分168的側(cè)壁上形成過量的交聯(lián)的可光成像材料160，或者在導(dǎo)體125的處于電介質(zhì)120的如下部分之上并與之直接物理接觸的部分之上可以形成跨開口164的層或者可以形成一層交聯(lián)的可光成象材料160，即：電介質(zhì)120的所述部分處于電阻器110-1至110-3之上并與之直接物理接觸。

然而，當(dāng)傾斜段130被去除時，相對于被傾斜段130反射的輻射145的量，電介質(zhì)120的剩余的傾斜表面124可以至少將反射到可光成像材料160的掩模162所覆蓋的區(qū)域的輻射145的量限制于如下水平，即：至少將交聯(lián)的量限于在掩模162之下形成的交聯(lián)的可光成像材料160不會對形成開口150和164構(gòu)成顯著障礙的水平。例如，處于掩模162之下的區(qū)域可基本上沒有任何交聯(lián)的可光成像材料160。

在圖1h的開口165中形成例如蠟之類的犧牲材料170，如圖1i的示例中所示。例如，犧牲物170可將開口165填充得溢出并且遍布交聯(lián)的可光成像材料160的部分168的上表面。然后，例如通過化學(xué)機(jī)械平坦化(cmp)從部分168的上表面去除犧牲材料170，使得犧牲材料170的上表面與部分168的上表面齊平，如圖1i中所示。

在部分168的上表面和犧牲材料170的上表面之上形成例如su-8光致抗蝕劑之類的可光成像材料(例如，電介質(zhì))175(例如，一層可光成像材料175，諸如一定厚度的可光成像材料175等)，如圖1i中所示。例如，可以使用諸如真空旋涂工藝之類的旋涂工藝或干膜層壓工藝來形成可光成像材料175。

掩模178形成在可光成像材料175之上，使得電阻器110-1至110-3之上的區(qū)域被掩模178覆蓋。輻射145被引導(dǎo)到可光成像材料175和掩模178上。輻射145使得可光成像材料175的暴露于輻射145的區(qū)域交聯(lián)，而留下可光成像材料175的未暴露的區(qū)域未交聯(lián)。

在輻射145被施加于圖1i的結(jié)構(gòu)之后，將包括交聯(lián)的和未交聯(lián)的區(qū)域的所得到的結(jié)構(gòu)暴露于溶劑。如圖1j的示例中所示，溶劑通過去除犧牲材料170而使開口165重新開放，并且通過去除未交聯(lián)的區(qū)域而在未交聯(lián)的區(qū)域中形成處于開口165之上并與開口165毗連的開口(例如，孔口)180，同時將交聯(lián)的可光成像材料175的層(例如，一定厚度)182留在交聯(lián)的可光成像材料160的部分168之上。例如，層182可被稱為孔口層(例如，孔口板)182。在一些示例中，層182可被稱為頂帽層(tophatlayer)。注意，圖1j圖示了打印頭190的一個示例的一部分。

在一些示例中，開口165可被稱為噴發(fā)腔室165。例如，相應(yīng)的孔口180可以為相應(yīng)的噴發(fā)腔室165提供出口。

在一些示例中，交聯(lián)的可光成像材料175的層182的一部分處于交聯(lián)的可光成像材料160的部分168之上處于交聯(lián)的可光成像材料140的部分152之上形成可稱為可光成像材料192的可光成像材料的堆疊192。在其他示例中，可光成像材料192可被稱為電介質(zhì)192，例如電介質(zhì)的堆疊192。接連相鄰的電介質(zhì)192的側(cè)壁195形成接連相鄰的電介質(zhì)192之間的噴發(fā)腔室165的側(cè)壁195。

在圖2b的示例中示出了打印頭200的一部分的示例。在圖1j和圖2b中使用共同的編號來圖示相似部分(例如，相同的部件)。例如，打印頭200可以通過如下方式來形成，即：通過在圖2a的結(jié)構(gòu)之上形成交聯(lián)的可光成像材料140的部分152，例如，如結(jié)合圖1e和圖1f所述，通過在部分152之上形成交聯(lián)的可光成像材料160的部分168，例如，如結(jié)合圖1g和圖1h所述，以及通過在部分168之上形成交聯(lián)的可光成像材料175的層182，例如，如結(jié)合圖1i和圖1j所述。

在一些示例中，打印頭190和200包括處于電介質(zhì)104之上的電阻器110-1和110-2。對于一些示例，電介質(zhì)120包括相應(yīng)地處于電阻器110-1和110-2之上的第一部分和第二部分，以及傾斜部分122，該傾斜部分122處于電阻器110-1和110-2之間的區(qū)域中的電介質(zhì)104的傾斜表面116之上并與之直接物理接觸，如圖1j和圖2b中所示。相應(yīng)的金屬導(dǎo)體125相應(yīng)地處于第二電介質(zhì)的第一和第二部分之上，如圖1j和圖2b中所示。處于電阻器110-1和110-2之間的電介質(zhì)192與電介質(zhì)120的傾斜部分122直接物理接觸。電介質(zhì)192的處于電阻器110-1和110-2之間的相對的側(cè)壁195分別是相應(yīng)地處于相應(yīng)的金屬導(dǎo)體125之上的噴發(fā)腔室165的側(cè)壁，如圖1j和圖2b中所示。

在一些示例中，金屬導(dǎo)體102處于電阻器110-1和110-2之間的區(qū)域中的電介質(zhì)104之上，并且電介質(zhì)104的傾斜表面116處于電阻器110-1和金屬導(dǎo)體102之間，如圖1j和圖2b中所示。

在一些示例中，傾斜部分122是電介質(zhì)120的第一傾斜部分122，并且電介質(zhì)120具有處于金屬導(dǎo)體102之上的第三部分，以及第二傾斜部分122，該第二傾斜部分122處于電介質(zhì)104的在電阻器110-2和金屬導(dǎo)體102之間的傾斜表面116之上并與之直接物理接觸，如圖1j和圖2b中所示。

在一些示例中，打印頭190和200還包括處于電介質(zhì)120的第三部分和金屬導(dǎo)體102之間的電阻材料109，如圖1j和圖2b中所示。例如，處于金屬導(dǎo)體102之上的電阻材料109形成堆疊114，如圖1j和圖2b中所示。

在一些示例中，打印頭190還包括處于電介質(zhì)120的第三部分之上的金屬導(dǎo)體125，如圖1j中所示。在圖2b中的打印頭200的示例中，金屬導(dǎo)體125已從電介質(zhì)120的處于金屬導(dǎo)體102之上的第三部分去除。也就是說，例如，電介質(zhì)120的處于電阻器110-1和110-2之間的金屬導(dǎo)體102之上的第三部分在圖2b中沒有金屬導(dǎo)體125。

在打印頭190的一些示例中，處于電阻器110-1和110-2之間的電介質(zhì)192與電介質(zhì)120的第二傾斜部分122直接物理接觸，并且與電介質(zhì)120的第三部分之上的導(dǎo)體125直接物理接觸，如圖1j中所示。

在一些示例中，打印頭190和200包括處于電介質(zhì)104之上的電阻器110，例如電阻器110-2等。電阻器110-2處于電介質(zhì)104之上的一對金屬導(dǎo)體102之間。注意，在一些示例中，金屬導(dǎo)體102是在導(dǎo)體102之上包括電阻材料109的堆疊114的一部分。

打印頭190和200包括電介質(zhì)120。在一些示例中，電介質(zhì)120包括：處于電阻器110-2之上的第一部分；處于電阻器110-2左側(cè)的所述一對金屬導(dǎo)體102中的第一個金屬導(dǎo)體之上的第二部分；處于電阻器110-2右側(cè)的所述一對金屬導(dǎo)體102中的第二個金屬導(dǎo)體之上的第三部分；第一傾斜部分122，其處于所述一對金屬導(dǎo)體102中的第一個金屬導(dǎo)體和電阻器110-2之間的區(qū)域(例如，電阻器110-2的左側(cè))中的電介質(zhì)104的第一傾斜上表面116之上；以及第二傾斜部分122，其處于所述一對金屬導(dǎo)體102中的第二個金屬導(dǎo)體和電阻器110-2之間的區(qū)域(例如，電阻器110-2的右側(cè))中的電介質(zhì)104的第二傾斜上表面116之上，如圖1j和圖2b中所示。例如，金屬導(dǎo)體125處于電介質(zhì)120的第一部分之上，如圖1j和圖2b中所示。

在一些示例中，電介質(zhì)120的處于所述一對金屬導(dǎo)體102中在電阻器110-2左側(cè)的第一個金屬導(dǎo)體之上的第二部分處于該對金屬導(dǎo)體102中的第一個金屬導(dǎo)體之上的電阻材料109之上并與之直接物理接觸，并且電介質(zhì)120的處于該對金屬導(dǎo)體102中在電阻器110-2右側(cè)的第二個金屬導(dǎo)體之上的第三部分處于該對金屬導(dǎo)體102中的第二個金屬導(dǎo)體之上的電阻材料109之上并與之直接物理接觸，如圖1j和圖2b中所示。

例如，處于電阻器110-2左側(cè)上的電介質(zhì)192具有處于電介質(zhì)120的第二部分之上的第一部分，以及與電介質(zhì)120的第一傾斜部分122直接物理接觸的第二部分，如圖1j和圖2b中所示。例如，處于電阻器110-2右側(cè)上的電介質(zhì)192具有處于電介質(zhì)120的第三部分之上的第一部分，以及與電介質(zhì)120的第二傾斜部分122直接物理接觸的第二部分，如圖1j和圖2b中所示。噴發(fā)腔室165處于金屬導(dǎo)體125之上，并且處于電阻器110-2左側(cè)上的電介質(zhì)192和電阻器110-2右側(cè)上的電介質(zhì)192之間。

在圖2b中的打印頭200的示例中，處于電介質(zhì)120的第二部分之上的電阻器110-2左側(cè)上的電介質(zhì)192的第一部分與電介質(zhì)120的第二部分直接物理接觸，并且處于電介質(zhì)120的第三部分之上的電阻器110-2右側(cè)上的電介質(zhì)192的第一部分與電介質(zhì)120的第三部分直接物理接觸。

在圖1j中的打印頭190的示例中，金屬導(dǎo)體125處于所述一對金屬導(dǎo)體102在電阻器110-2左側(cè)的第一個金屬導(dǎo)體之上，并且金屬導(dǎo)體125處于該對金屬導(dǎo)體102在電阻器110-2右側(cè)的第二個金屬導(dǎo)體之上。在圖1j中的打印頭190的示例中，與電介質(zhì)120的第一傾斜部分122直接物理接觸的電阻器110-2左側(cè)上的電介質(zhì)192的第二部分在電阻器110-2之上的金屬導(dǎo)體125和處于所述一對金屬導(dǎo)體102中電阻器110-2左側(cè)的第一個金屬導(dǎo)體之上的金屬導(dǎo)體125之間延伸，并且與電介質(zhì)120的第二傾斜部分122直接物理接觸的電阻器110-2右側(cè)上的電介質(zhì)192的第二部分在電阻器110-2之上的金屬導(dǎo)體125和處于該對金屬導(dǎo)體102中電阻器110-2右側(cè)上的第二個金屬導(dǎo)體之上的金屬導(dǎo)體125之間延伸。

圖3是形成打印頭的方法300的一個示例的流程圖。在框310中，在例如電介質(zhì)104的第一電介質(zhì)之上形成第一和第二電阻器，例如電阻器110-1和110-2等。在框320中，在第一電阻器和第二電阻器之上形成例如電介質(zhì)120的第二電介質(zhì)的第一部分，并且在第一電介質(zhì)的處于第一電阻器和第二電阻器之間的區(qū)域中的例如傾斜表面116的暴露的傾斜表面之上形成所述第二電介質(zhì)的第二部分。在框330處，例如金屬導(dǎo)體125的金屬導(dǎo)體形成在第二電介質(zhì)的第一部分和第二部分之上。在框340中，從第二電介質(zhì)的第二部分的例如傾斜表面124的傾斜表面去除金屬導(dǎo)體的傾斜段，例如傾斜段130，以暴露第二電介質(zhì)的第二部分的所述傾斜表面。

在一些示例中，第二電介質(zhì)的第二部分可與第一電介質(zhì)的傾斜表面直接物理接觸，并且在第二電介質(zhì)的第二部分之上形成金屬導(dǎo)體可包括形成與第二電介質(zhì)的第二部分的傾斜表面直接物理接觸的金屬導(dǎo)體的傾斜段。

在一些示例中，方法300還可以包括：在第二電介質(zhì)的第一部分之上形成可光成像材料的第一部分，并且在第一電阻器和第二電阻器之間的區(qū)域中以及在第二電介質(zhì)的第二部分的暴露的傾斜表面之上形成所述可光成像材料的第二部分；使所述可光成像材料的第二部分暴露于輻射，同時覆蓋所述可光成像材料的第一部分；以及將所述可光成像材料的第一部分和第二部分暴露于溶劑，以去除第一部分，同時留下第二部分。去除金屬導(dǎo)體的傾斜段用于防止當(dāng)所述金屬導(dǎo)體的所述傾斜段未被去除時在所述可光成像材料的第二部分暴露于輻射時發(fā)生的輻射從所述金屬導(dǎo)體的所述傾斜段的表面反射到所述可光成像材料的被覆蓋的第一部分。

在一些示例中，金屬導(dǎo)體可以是第一金屬導(dǎo)體，并且方法300還可以包括在例如金屬導(dǎo)體102的第二金屬導(dǎo)體之上、即在第一和第二電阻器之間的區(qū)域中形成第二電介質(zhì)的第三部分，以及在第二電介質(zhì)的第三部分之上形成第一金屬導(dǎo)體。在一些示例中，方法300還可以包括從第二電介質(zhì)的第三部分去除第一金屬導(dǎo)體，同時從第二電介質(zhì)的第二部分的傾斜表面去除金屬導(dǎo)體的傾斜段。

圖4是形成打印頭的方法400的一個示例的流程圖。在框410中，在例如電介質(zhì)104的第一電介質(zhì)之上的例如金屬導(dǎo)體102的第一金屬導(dǎo)體之上，以及在第一金屬導(dǎo)體中的例如開口106的開口中的第一電介質(zhì)之上形成電阻材料，例如電阻材料109。在框420處，由所述開口中的電阻材料形成電阻器，例如電阻器110，并且形成包括第一金屬導(dǎo)體之上的所述電阻材料的堆疊，例如堆疊114，同時去除電阻材料的一部分和述第一金屬導(dǎo)體的一部分，以在所述電阻器和所述堆疊之間的區(qū)域中形成第一電介質(zhì)的傾斜表面，例如傾斜表面116。在框430處，在所述電阻器、所述第一電介質(zhì)的傾斜表面和所述堆疊之上形成第二電介質(zhì)，例如電介質(zhì)120。在框440中，在第二電介質(zhì)之上形成第二金屬導(dǎo)體，例如金屬導(dǎo)體125。在框450中，從與第一電介質(zhì)的傾斜表面直接物理接觸的第二電介質(zhì)的傾斜部分，例如傾斜部分122，去除第二金屬導(dǎo)體的傾斜段，例如傾斜段130。

在一些示例中，方法400還可以包括從第二電介質(zhì)的處于所述堆疊之上并與所述堆疊直接物理接觸的部分去除第二金屬導(dǎo)體。

盡管本文已圖示和描述了具體的示例，但顯然意圖是所要求保護(hù)的主題的范圍僅由所附權(quán)利要求及其等同物來限制。