一種膜轉(zhuǎn)印設(shè)備、轉(zhuǎn)印版組件、轉(zhuǎn)印設(shè)備吸附力控制裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種膜轉(zhuǎn)印設(shè)備、轉(zhuǎn)印版組件、轉(zhuǎn)印設(shè)備吸附力控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]成膜技術(shù)是液晶顯示制造領(lǐng)域常用的技術(shù)，通過轉(zhuǎn)印版進行轉(zhuǎn)印成膜是常見的成膜工藝。然而，在轉(zhuǎn)印成膜工藝過程中，由于成膜物質(zhì)溶液從轉(zhuǎn)印版表面網(wǎng)孔向基板表面轉(zhuǎn)印時容易發(fā)生殘留，而且殘留的成膜物質(zhì)溶液在連續(xù)性生產(chǎn)過程中容易形成顆粒物質(zhì)粘附在后續(xù)膜層上，使得后續(xù)膜層厚度和膜面顆粒物質(zhì)一直很難控制。對轉(zhuǎn)印版材料和網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化改善是現(xiàn)有技術(shù)中針對上述問題的慣用技術(shù)手段，然而改善轉(zhuǎn)印版材料或網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)成本較高，靈活性較低，對不同的基板和不同的成膜物質(zhì)不具有針對性。因此，有必要提出一種改善轉(zhuǎn)印成膜過程中殘留、顆?，F(xiàn)象的新方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種膜轉(zhuǎn)印設(shè)備、轉(zhuǎn)印版組件、轉(zhuǎn)印設(shè)備吸附力控制裝置。本發(fā)明提供的膜轉(zhuǎn)印設(shè)備、轉(zhuǎn)印版組件、轉(zhuǎn)印設(shè)備吸附力控制裝置能夠通過簡單、成本低的方法減少轉(zhuǎn)印成膜過程中的殘留、顆?，F(xiàn)象。
[0004]基于上述目的本發(fā)明提供的膜轉(zhuǎn)印設(shè)備，包括用于向待轉(zhuǎn)印膜層的基板轉(zhuǎn)印一膜層的轉(zhuǎn)印版、用于承載所述基板的基臺；所述膜轉(zhuǎn)印設(shè)備還包括:
[0005]吸附力控制單元，在轉(zhuǎn)印過程中作用于所述基板和/或轉(zhuǎn)印版中的至少一個，以增大所述基板對從轉(zhuǎn)印版轉(zhuǎn)移出的成膜物質(zhì)的第一吸附力與所述轉(zhuǎn)印版對所述成膜物質(zhì)產(chǎn)生的第二吸附力之差。
[0006]可選的，所述膜層為表面配向膜層。
[0007]可選的，所述吸附力控制單元包括溫差控制子單元，用于在轉(zhuǎn)印過程中作用于所述基板和/或轉(zhuǎn)印版中的至少一個，以增大所述轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度與所述基板的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度的差值。
[0008]可選的，所述溫差控制子單元設(shè)置于轉(zhuǎn)印版外部，所述溫差控制子單元包括:
[0009]冷卻源裝置，在轉(zhuǎn)印過程中與所述基板相對運動，用于通過降低所述基板的溫度以增大所述轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度與所述基板的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度的差值。
[0010]可選的，所述冷卻源裝置為條狀，設(shè)置位置與所述轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)軸平行，與所述基板的轉(zhuǎn)印界面之間的距離小于第一設(shè)定值且所述冷卻源裝置與所述轉(zhuǎn)印版軸心之間的距離大于第二設(shè)定值，在轉(zhuǎn)印過程中，所述冷卻源裝置用于使得所述基板的轉(zhuǎn)印界面上對應(yīng)的轉(zhuǎn)印區(qū)在所述轉(zhuǎn)印版處進行轉(zhuǎn)印之前預(yù)降溫，從而轉(zhuǎn)印過程中轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度與所述基板的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度的差值增大。
[0011]可選的，所述冷卻源裝置通過支桿在所述轉(zhuǎn)印版軸心處與所述轉(zhuǎn)印版連接；或者所述冷卻源通過支桿與設(shè)置于基板或基臺下方的導(dǎo)軌連接，所述支桿與導(dǎo)軌的相對位置可調(diào)節(jié)。
[0012]可選的，所述冷卻源接近轉(zhuǎn)印版的一側(cè)設(shè)置有溫度阻隔版，用于阻擋所述冷卻源的冷卻源工作區(qū)域?qū)D(zhuǎn)印版產(chǎn)生的冷卻效果。
[0013]可選的，所述冷卻源裝置包括:
[0014]外殼，用于容納制冷用的盤管；
[0015]盤管，在所述外殼中均勻盤繞設(shè)置，用于在所述外殼中產(chǎn)生冷卻源；
[0016]循環(huán)冷凝液導(dǎo)管，用于向所述盤管輸入循環(huán)冷凝液，并將所述盤管中的循環(huán)冷凝液輸出。
[0017]可選的，所述溫差控制子單元還包括:
[0018]熱源裝置:包括一與轉(zhuǎn)印版?zhèn)让嫖恢脤?yīng)的加熱工作區(qū)域，在轉(zhuǎn)印過程中，所述加熱工作區(qū)域用于增加所述轉(zhuǎn)印版的溫度以增大所述轉(zhuǎn)印版的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度與所述基板的轉(zhuǎn)印區(qū)的溫度的差值。
[0019]同時，本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)印版組件，包括轉(zhuǎn)印版，還包括本發(fā)明任意一項實施例所述的吸附力控制單元。
[0020]進一步，本發(fā)明還提供一種轉(zhuǎn)印設(shè)備吸附力控制裝置，包括本發(fā)明任意一項實施例所提供的吸附力控制單元。
[0021]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的膜轉(zhuǎn)印設(shè)備，具有吸附力控制單元，該吸附力控制單元在轉(zhuǎn)印過程中作用于基板或轉(zhuǎn)印版中的至少一個，不需要對轉(zhuǎn)印版或基板做出復(fù)雜的改進，提高基板對成膜物質(zhì)的吸附力相對于轉(zhuǎn)印版對成膜物質(zhì)的吸附力的差值，使得成膜物質(zhì)更容易附著在基板上或者更容易從轉(zhuǎn)印版上脫離，從而改善成膜轉(zhuǎn)印過程中膜層不均勻、容易出現(xiàn)顆粒的狀況，進而優(yōu)化基板的光學(xué)性能；還有利于對成膜厚度進行控制。
[0022]當所述轉(zhuǎn)印版為APR Plate、所述成膜物質(zhì)為PI時，現(xiàn)有技術(shù)中對APR Plate性能改善是當前優(yōu)化PI轉(zhuǎn)印成膜工藝的主流方案，但是該方式應(yīng)用起來相對困難:改善APRPlate來解決PI液殘留本身存在技術(shù)瓶頸，APR Plate價格昂貴，驗證或更換都容易造成成本上升；現(xiàn)有技術(shù)中，通過APR網(wǎng)孔的結(jié)構(gòu)改進來改善PI液殘留，對APR Plate精細度會提出更高的要求，限制APR Plate的使用壽命，導(dǎo)致生產(chǎn)過程成本上升。本申請在轉(zhuǎn)印成膜過程中，提高基板對成膜物質(zhì)的吸附力與轉(zhuǎn)印版對成膜物質(zhì)的吸附力之差，由于這種改善行為是在轉(zhuǎn)印成膜的過程中執(zhí)行，無需對轉(zhuǎn)印版本身或者基板本身的表面結(jié)構(gòu)進行改變，在所述轉(zhuǎn)印版為任意材料的轉(zhuǎn)印版、所述成膜物質(zhì)為任意液體成膜物質(zhì)時，均可以提高成膜物質(zhì)的成膜效果；尤其是在轉(zhuǎn)印版為APR Plate、成膜物質(zhì)為PI時，更具有降低成本、不影響APR Plate使用壽命的有益效果。
【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明實施例的膜轉(zhuǎn)印設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明另一實施例的膜轉(zhuǎn)印設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實施例的冷卻源裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為了給出有效的實現(xiàn)方案，本發(fā)明提供了下述實施例，以下結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例進行說明。
[0027]本發(fā)明首先提供一種膜轉(zhuǎn)印設(shè)備，如圖1所示，包括用于向待轉(zhuǎn)印膜層的基板104轉(zhuǎn)印一膜層的轉(zhuǎn)印版101、用于承載所述基板104的基臺102 ;所述膜轉(zhuǎn)印設(shè)備還包括:
[0028]吸附力控制單元，在轉(zhuǎn)印過程中作用于所述基板104和/或轉(zhuǎn)印版101中的至少一個，以增大所述基板104對從轉(zhuǎn)印版101轉(zhuǎn)移出的成膜物質(zhì)的第一吸附力與所述轉(zhuǎn)印版101對所述成膜物質(zhì)產(chǎn)生的第二吸附力之差。
[0029]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的膜轉(zhuǎn)印設(shè)備，具有吸附力控制單元，該吸附力控制單元在轉(zhuǎn)印過程中作用于基板或轉(zhuǎn)印版中的至少一個，提高基板對成膜物質(zhì)的吸附力相對于轉(zhuǎn)印版對成膜物質(zhì)的吸附力的差值，使得成膜物質(zhì)更容易附著在基板上或者更容易從轉(zhuǎn)印版上脫離，在現(xiàn)有技術(shù)中，若先前應(yīng)當轉(zhuǎn)印在基板上的膜層沒有完全轉(zhuǎn)印，那么殘留的成膜物質(zhì)會停留在轉(zhuǎn)印版上，隨著轉(zhuǎn)印版轉(zhuǎn)動下一圈，殘留的成膜物質(zhì)會隨著下一層成膜物質(zhì)轉(zhuǎn)印到基板，在基板上形成突出的顆?；蛘吣硬痪鶆?。本發(fā)明能夠使得成膜物質(zhì)更容易地從轉(zhuǎn)印版上轉(zhuǎn)印到基板上，從而改善成膜轉(zhuǎn)印過程中膜層不均勻、容易出現(xiàn)顆粒的狀況，進而優(yōu)化基板的光學(xué)性能；還有利于對成膜厚度進行控制。
[0030]在本發(fā)明具體實施例中，所述吸附力控制單元用于改變所述基板104或所述轉(zhuǎn)印版101對所述成膜物質(zhì)的吸附力，使得所述基板104對所述成膜物質(zhì)的吸附力增加，所述轉(zhuǎn)印版101對所述成膜物質(zhì)的吸附力減少，從而進一步使得在轉(zhuǎn)印過程中，成膜物質(zhì)更容易從轉(zhuǎn)印版101上轉(zhuǎn)印到基板104上。
[0031]在本發(fā)明具體實施例中，所述吸附力控制單元可以通過任何形式改變基板和轉(zhuǎn)印版對成膜物質(zhì)的吸附力。例如，所述吸附力控制單元可以為靜電發(fā)生裝置，通過向所述基板輸表面輸送靜電，使得所述基板界面攜帶靜電，基板對成膜物質(zhì)的吸附力相對于轉(zhuǎn)印版對成膜物質(zhì)的吸附力增大。再如，所述吸附力控制單元可以通過改變基板或轉(zhuǎn)印版的溫度，使得所述基板對成膜物質(zhì)的吸附力相對于轉(zhuǎn)印版對成膜物質(zhì)的吸附力增大。
[0032]在本發(fā)明具體實施例中，所述膜層為表面配向膜層。在一般情況下，轉(zhuǎn)印版為 APR Plate (Asahikasei photosensitive resin Plate，感光樹脂板)。更進一步的，PI (Polyimide，聚酰亞胺)膜是當前IXD使用最為廣泛的表面配向膜，而通過APR Plate轉(zhuǎn)印方式成膜則是當前最常見的成膜工藝。在LCD制造業(yè)中，液晶在液晶盒內(nèi)的初始取向排列主要由上下基板內(nèi)表面的配向膜決定，該取向膜